-
公开(公告)号：CN114587364B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202111515446.4
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海理微医疗科技发展有限公司
IPC: A61B5/256
Abstract: 本发明涉及可穿戴柔性器件领域，本发明公开了一种柔性电极及其制备方法。本发明提供的柔性电极包括第一柔性支撑结构、电极层和第二柔性支撑结构，该第一柔性支撑结构的顶部设有该电极层；该第一柔性支撑结构包括至少两个间隔设置的第一凸结构，该第一凸结构用于与皮肤接触，第一柔性支撑结构导电，该电极层的顶部设有该第二柔性支撑结构。从而使得该柔性电极具有柔性好、与皮肤的固定贴合度高和结构简单的特点。
-
公开(公告)号：CN114587364A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202111515446.4
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海理微医疗科技发展有限公司
IPC: A61B5/256
Abstract: 本发明涉及可穿戴柔性器件领域，本发明公开了一种柔性电极及其制备方法。本发明提供的柔性电极包括第一柔性支撑结构、电极层和第二柔性支撑结构，该第一柔性支撑结构的顶部设有该电极层；该第一柔性支撑结构包括至少两个间隔设置的第一凸结构，该第一凸结构用于与皮肤接触，第一柔性支撑结构导电，该电极层的顶部设有该第二柔性支撑结构。从而使得该柔性电极具有柔性好、与皮肤的固定贴合度高和结构简单的特点。
-
公开(公告)号：CN118996335A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411021782.7
申请日：2024-07-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种柔性电极及柔性电极的制备方法，柔性电极包括绝缘底层、绝缘顶层以及设置在绝缘底层上的金属布线层，金属布线层包括顶层、中层和底层，顶层设置在底层上，顶层层厚小于底层层厚。本申请实施例通过调节金属布线层顶层和底层厚度以控制顶层和底层之间的残余应力大小，利用制备后存储到电极器件内的残余应力，实现柔性电极从衬底上释放后的自卷曲效果，通过调节残余应力大小获得特定曲率半径，使柔性电极适应不同直径的动物外周神经，提高电极与神经外周的贴合程度，增大电极与神经外周的有效接触面积，使用贻贝粘蛋白进行黏合固定，能够在体内湿润环境下长期在体应用，提高电极工作稳定性和可靠性，提高神经调控的效率和安全性。
-
公开(公告)号：CN118436360A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410485894.1
申请日：2024-04-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种脑电极装置，包括电路板、第一胶带层、柔性电极结构、第二胶带层和芯片；柔性电极结构包括连接的植入结构和后端结构；所述后端结构包括焊盘容置孔和多个电路板暴露通孔，第一胶带层和第二胶带层的材质为聚酰亚胺，第二胶带层的电极焊料容置孔与柔性电极结构的焊盘容置孔对齐以形成第一聚合物通孔，所述第一聚合物通孔内填充有焊料以形成电极焊盘；芯片的一部分引脚与电极焊盘焊接，芯片的另一部分引脚穿过所述电路板暴露通孔与所述电路板焊盘焊接固定。本发明的脑电极装置及其制备方法在牢固焊接固定的前提下实现脑电极装置的小尺寸、轻量、高集成。
-
公开(公告)号：CN118266941A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202310627759.1
申请日：2023-05-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61B5/293 , A61B5/262 , A61B5/263 , A61B5/377 , B29C41/20 , B29C33/40 , A61L31/10 , A61L31/08 , A61L31/14 , A61L31/16
Abstract: 本发明涉及脑机接口技术领域，特别涉及一种柔性神经光电极阵列及其制备方法。该柔性神经光电极阵列包括：探针、光纤和固定结构；固定结构沿着水平方向延伸；探针和光纤沿着固定结构的延伸方向依次排列，探针的固定端连接于固定结构，光纤的固定端连接于探针和延伸面和/或固定结构的延伸面；探针包括柔性探针本体和第一蛋白质层；柔性探针本体外表面涂覆有第一蛋白质层；第一蛋白质层用于加固柔性探针本体。通过将光纤与探针集成在一起，提高了器件集成度，有效记录电信号，简化了操作流程；通过在柔性探针本体外表面涂覆有第一蛋白质层，可以有效增加探针的刚度，减少了组织损伤。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN117606545A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311455310.8
申请日：2023-11-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明涉及材料技术领域，特别涉及一种柔性感知设备、感知系统及其应用。柔性感知设备包括依次层叠设置的柔性基底层、柔性电路层和保护层；柔性基底层的底面设有丝蛋白薄膜；柔性基底层的底面与待装配物体贴附；柔性电路层包括柔性电路板和位于柔性电路板上的至少两种感知器件；至少两种感知器件分别与处理设备电连接；感知器件包括压力类传感器和环境检测类传感器；保护层包括开口，开口用于暴露至少两种传感器件；保护层的外表面设有丝蛋白薄膜。从而不仅可以提高对待装配物体的贴附强度，还可以提高对目标抓取物体的吸附力，辅助抓取；同时上述集成了多种感知器件可以实现对复杂场景的检测。
-
公开(公告)号：CN117359980A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311339193.9
申请日：2023-10-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种拉伸蛋白膜及其制备方法，该方法通过将蛋白膜进行湿润处理，得到湿润后的蛋白膜；将辅助拉伸膜与湿润后的蛋白膜中的任一膜面进行贴合，得到贴合后的蛋白膜；对贴合后的蛋白膜进行拉伸处理，得到拉伸蛋白膜；拉伸蛋白膜中的辅助拉伸膜和蛋白膜能够分离；且在拉伸处理过程中，辅助拉伸膜设置在蛋白膜和拉伸装置之间。如此，能够有效地避免蛋白膜在拉伸和固定过程中出现裂纹甚至损坏，避免了由蛋白膜的破损导致的浪费。
-
公开(公告)号：CN116621113A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310491694.2
申请日：2023-05-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS传感器的制作方法，包括：在硅片上沉积一层隔离层；利用多晶硅在隔离层上制作得到凸台和腐蚀引线，作为牺牲层；在具有牺牲层的硅片上沉积一层低应力氮化硅，作为结构层和敏感膜片；刻蚀得到腐蚀释放孔；使XeF2气体透过腐蚀释放孔对牺牲层进行腐蚀，在观察到凸台的颜色全部变化时停止腐蚀，将硅片清洗干净并烘干；在腐蚀释放孔处沉积氮化硅‑二氧化硅‑氮化硅多层材料，得到封堵层，来封堵所述腐蚀释放孔。本发明的方法采用多晶硅填充作为牺牲层，并且采用XeF2对牺牲层进行腐蚀，速率更快更容易控制，而且也不会因腐蚀传感器结构层等其他部分而导致器件损坏，提高了器件的成品率。
-
公开(公告)号：CN114376580A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210002988.X
申请日：2022-01-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及一种柔性神经电极及其制备方法、脑机接口，该方法包括：获取硅衬底；于硅衬底上形成牺牲层；在第一旋涂工艺条件下，于牺牲层上形成第一聚酰亚胺层；于第一聚酰亚胺层上形成探测电极阵列；在第二旋涂工艺条件下，于探测电极阵列上形成第二聚酰亚胺层；第二聚酰亚胺层的厚度大于各探测电极的厚度；于第二聚酰亚胺层上形成硬掩膜层；对硬掩膜层和第二聚酰亚胺层进行刻蚀，以露出各探测电极的部分表面；去除硬掩膜层，并释放牺牲层，使得硅衬底脱落，得到柔性神经电极。本申请可以降低柔性神经电极的整体厚度，进而可以提高器件柔性水平，减少神经电极植入大脑后对大脑的损伤，并进一步提升神经电极长期在体植入的可行性、可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
120
records
(took 0.067 seconds)
