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公开(公告)号：CN101655576B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910054731.3
申请日：2009-07-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供制备SOI基三维楔形耦合器集成衬底结构的方法，其特征在于采用硅微机械加工技术实现，所涉及的初始加工材料为SOI材料，利用硅材料不同晶面的选择性腐蚀特性，采用各向异性腐蚀、键合、光刻、干法刻蚀等微电子相关工艺得到在水平和垂直方向分别做线性变化的SOI基三维楔形耦合器集成衬底结构，且与该耦合器输出波导连接的微纳尺寸器件区域具有良好的表面质量，在有效提高通用光纤与小尺寸平面波导等光子学器件耦合效率的同时，也提供了良好的维纳尺寸光子学器件制备集成衬底结构，是制备高质量、高敏感度小尺寸光子学器件的保证，具有很强的实用性。
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公开(公告)号：CN101655576A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910054731.3
申请日：2009-07-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供制备SOI基三维楔形耦合器集成衬底结构的方法，其特征在于采用硅微机械加工技术实现，所涉及的初始加工材料为SOI材料，利用硅材料不同晶面的选择性腐蚀特性，采用各向异性腐蚀、键合、光刻、干法刻蚀等微电子相关工艺得到在水平和垂直方向分别做线性变化的SOI基三维楔形耦合器集成衬底结构，且与该耦合器输出波导连接的微纳尺寸器件区域具有良好的表面质量，在有效提高通用光纤与小尺寸平面波导等光子学器件耦合效率的同时，也提供了良好的维纳尺寸光子学器件制备集成衬底结构，是制备高质量、高敏感度小尺寸光子学器件的保证，具有很强的实用性。
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公开(公告)号：CN101308230A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810040173.0
申请日：2008-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于微机械加工的SOI(绝缘体上硅)基三维楔形模斑转换器及制作方法，用于光纤等光源设备与硅基波导等小尺寸光电子器件的高效耦合。该模斑转换器的制作利用硅晶片不同晶面的选择性腐蚀特性，采用体硅微机械加工工艺实现，属微电子学与固体电子学领域。本发明采用SOI材料，利用光刻、各向异性腐蚀和干法刻蚀等微机械工艺进行加工制作，得到在垂直和水平方向均有线性变化的三维楔形模斑转换器结构，可以有效提高通用光纤和小尺寸平面波导等光学及光电子器件的耦合效率。本发明的制作方法具有工艺简单，兼容性好，可控性强，实用性强等优点。
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