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公开(公告)号：CN110601877B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201910802185.0
申请日：2019-08-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种服务协商方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：服务请求方接收服务提供方返回的多个第一建议提议；其中每个第一建议提议包含建议属性值；服务请求方基于性价比函数确定每个第一建设提议的性价比程度值，并基于第二效用函数确定值最大的性价比程度值对应的第一建议提议的建议属性值的建议效用值；服务请求方还基于第二效用函数确定当前期望属性值的当前期望效用值；若建议效用值大于等于当前期望效用值，向服务提供方发送第三协商反馈信息，用于确定使用服务提供方发送的建议效用值对应的第一建议提议。如此，可以提高服务协商的成功率。
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公开(公告)号：CN110601877A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910802185.0
申请日：2019-08-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种服务协商方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：服务请求方接收服务提供方返回的多个第一建议提议；其中每个第一建议提议包含建议属性值；服务请求方基于性价比函数确定每个第一建设提议的性价比程度值，并基于第二效用函数确定值最大的性价比程度值对应的第一建议提议的建议属性值的建议效用值；服务请求方还基于第二效用函数确定当前期望属性值的当前期望效用值；若建议效用值大于等于当前期望效用值，向服务提供方发送第三协商反馈信息，用于确定使用服务提供方发送的建议效用值对应的第一建议提议。如此，可以提高服务协商的成功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109495565B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201811350519.7
申请日：2018-11-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H04L29/08
Abstract: 本发明涉及一种基于分布式泛在计算的高并发服务请求处理方法和设备，所述方法包括：处理设备根据请求间的相似性将请求分组，相似性判定依据同时包括请求的功能特性和非功能特性；处理设备提取一组请求中的服务需求，并根据该需求找到可满足需求的微服务。所述设备包括：请求分组模块和服务管理模块。本发明在解决大量并发服务请求时，不仅可以缩短服务响应时间，还可以减少数据流量。
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公开(公告)号：CN101174640A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710170408.3
申请日：2007-11-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L21/84 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种以低介电常数材料为绝缘埋层的绝缘层上半导体结构及其制备方法，属于微电子学半导体材料及其制备工艺。本发明的特征在于此结构由三层构成：顶层半导体层、中间为相对介电常数小于4.2的绝缘埋层和下层硅衬底。其制备特征在于利用化学气相沉积或溶胶凝胶法等方法在硅片上制备低介电常数薄膜，然后与含半导体层的硅片键合，采用智能剥离技术或背面减薄技术实现顶层半导体层的转移。采用低介电常数材料代替已有的绝缘层上硅(SOI)中的SiO2埋层，使得绝缘埋层的电容减小，进而增大了高频下埋层的等效阻抗(1/2πfC)，因此，已有的SOI衬底材料相比，能够降低高频下通过衬底的信号串扰，更加适合低噪声SOI电路的需要。
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公开(公告)号：CN109495565A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811350519.7
申请日：2018-11-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H04L29/08
Abstract: 本发明涉及一种基于分布式泛在计算的高并发服务请求处理方法和设备，所述方法包括：处理设备根据请求间的相似性将请求分组，相似性判定依据同时包括请求的功能特性和非功能特性；处理设备提取一组请求中的服务需求，并根据该需求找到可满足需求的微服务。所述设备包括：请求分组模块和服务管理模块。本发明在解决大量并发服务请求时，不仅可以缩短服务响应时间，还可以减少数据流量。
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公开(公告)号：CN101465324B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200810204987.3
申请日：2008-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/822 , H01L27/24
Abstract: 本发明揭示一种实现三维立体结构相变存储芯片的工艺方法，该方法首先采用室温等离子体活化键合技术将有外围电路的硅片与外延了pn结的SOI片键合；并在150℃-400℃下低温退火，以加强键合强度；然后用KOH溶液腐蚀掉SOI片的体硅部分，并且腐蚀自动停止在埋氧层，用稀释的HF酸溶液漂掉埋氧层，从而使pn结外延层转移到有外围电路的硅片上，在硅外延层上沉积阻挡层、相变材料，最后通过反应离子刻蚀得到想要的单元器件结构，该结构适用于高密度、高速存储。本发明通过室温等离子活化键合技术使得在低于400℃的退火条件下即可得到较强的键合强度，避免了硅片上已有的电路结构受到高温退火的影响而引起的性能衰变。
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公开(公告)号：CN101465324A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810204987.3
申请日：2008-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/822 , H01L27/24
Abstract: 本发明揭示一种实现三维立体结构相变存储芯片的工艺方法，该方法首先采用室温等离子体活化键合技术将有外围电路的硅片与外延了pn结的SOI片键合；并在150℃－400℃下低温退火，以加强键合强度；然后用KOH溶液腐蚀掉SOI片的体硅部分，并且腐蚀自动停止在埋氧层，用稀释的HF酸溶液漂掉埋氧层，从而使pn结外延层转移到有外围电路的硅片上，在硅外延层上沉积阻挡层、相变材料，最后通过反应离子刻蚀得到想要的单元器件结构，该结构适用于高密度、高速存储。本发明通过室温等离子活化键合技术使得在低于400℃的退火条件下即可得到较强的键合强度，避免了硅片上已有的电路结构受到高温退火的影响而引起的性能衰变。
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