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公开(公告)号：CN119390008B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510000703.2
申请日：2025-01-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00 , C12N5/079 , G01N33/487 , G01N27/327
Abstract: 本发明涉及一种多孔微电极阵列的制备方法，包括：S100：在衬底上沉积牺牲层，衬底包括第一部分和第二部分，牺牲层沉积在第一部分上；S200：在衬底的第二部分和牺牲层上沉积第一封装层，其中位于牺牲层上的第一封装层具有多个第一通孔；S300：在第一封装层上沉积第一金属层；S400：在位于衬底的第二部分的上方的第一封装层上沉积第二金属层，其中第二金属层覆盖第一金属层的部分；S500：沉积第二封装层，其中第二封装层具有多个第二通孔，第二封装层的各第二通孔与第一封装层的各第一通孔一一对齐；S600：腐蚀掉牺牲层，并将衬底的第一部分切除。本发明的多孔微电极阵列的制备方法，相较于现有的制备方法，工艺更简单。
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公开(公告)号：CN119391527B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411976658.6
申请日：2024-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微流控器件，包括由下至上依次排列的基板、微流道层、多孔微电极阵列和细胞培养层，微流道层固定在基板上，多孔微电极阵列的至少部分固定于微流道层和细胞培养层之间，细胞培养层与微流道层固定；细胞培养层上设有第一通孔和第二通孔，微流道层靠近细胞培养层的一面上设有第一盲孔、第二盲孔和微流通道，微流通道的两端分别与第一盲孔和第二盲孔连通，第一通孔与第一盲孔对齐，多孔微电极阵列的位于微流道层和细胞培养层之间的部分上设有多个第三通孔，第一通孔和第一盲孔通过各第三通孔中的至少部分相互连通，第二通孔与第二盲孔对齐并相互连通。
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公开(公告)号：CN119391527A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411976658.6
申请日：2024-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微流控器件，包括由下至上依次排列的基板、微流道层、多孔微电极阵列和细胞培养层，微流道层固定在基板上，多孔微电极阵列的至少部分固定于微流道层和细胞培养层之间，细胞培养层与微流道层固定；细胞培养层上设有第一通孔和第二通孔，微流道层靠近细胞培养层的一面上设有第一盲孔、第二盲孔和微流通道，微流通道的两端分别与第一盲孔和第二盲孔连通，第一通孔与第一盲孔对齐，多孔微电极阵列的位于微流道层和细胞培养层之间的部分上设有多个第三通孔，第一通孔和第一盲孔通过各第三通孔中的至少部分相互连通，第二通孔与第二盲孔对齐并相互连通。
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公开(公告)号：CN119390008A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202510000703.2
申请日：2025-01-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00 , C12N5/079 , G01N33/487 , G01N27/327
Abstract: 本发明涉及一种多孔微电极阵列的制备方法，包括：S100：在衬底上沉积牺牲层，衬底包括第一部分和第二部分，牺牲层沉积在第一部分上；S200：在衬底的第二部分和牺牲层上沉积第一封装层，其中位于牺牲层上的第一封装层具有多个第一通孔；S300：在第一封装层上沉积第一金属层；S400：在位于衬底的第二部分的上方的第一封装层上沉积第二金属层，其中第二金属层覆盖第一金属层的部分；S500：沉积第二封装层，其中第二封装层具有多个第二通孔，第二封装层的各第二通孔与第一封装层的各第一通孔一一对齐；S600：腐蚀掉牺牲层，并将衬底的第一部分切除。本发明的多孔微电极阵列的制备方法，相较于现有的制备方法，工艺更简单。
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