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公开(公告)号：CN107345826B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201710548164.1
申请日：2017-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01F1/69
Abstract: 本发明提供一种热式气体流量传感器及其制备方法，结构包括：衬底，包括凹槽，开设于衬底上表面；第一介质膜，位于凹槽上方，包括若干个第一介质膜单元及槽型结构，第一介质膜单元与衬底相连接，槽型结构贯穿第一介质膜且位于相邻第一介质膜单元之间，第一介质膜与衬底围成一个隔热腔体；电阻组件，包括至少一个加热单元和至少两个热敏单元，每个加热单元与每个热敏单元位于不同的第一介质膜单元上，热敏单元位于加热单元的两侧。通过上述技术方案，本发明的热式气体流量传感器的加热电阻的热量与衬底彻底隔离，降低了加热电阻热损耗，提高了气体流量的检测灵敏度和响应时间；采用单硅片单面体硅微机械工艺制作，结构尺寸小，成本低、工艺简单。
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公开(公告)号：CN107328449B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201710548160.3
申请日：2017-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01F1/688
Abstract: 本发明提供一种热电堆式气体流量传感器及其制备方法，结构包括：衬底，具有一凹槽，开设于衬底上表面；第一介质膜，覆盖于凹槽上方，与衬底相连接，且与衬底共同围成一个隔热腔体；加热元件，位于第一介质膜表面；至少两个感测元件，位于第一介质膜上，且设置于加热元件两侧，包括至少一组单晶硅‑金属热偶对组，单晶硅‑金属热偶对组包括若干个单晶硅‑金属热偶对。通过上述方案结合本发明的单硅片单面制作技术，在普通单晶硅片上加工出赛贝克系数最高的P型单晶硅‑金热偶对，并将热偶对以及加热元件通过隔热腔体与衬底隔离，最大程度降低了加热电阻的热耗散，提高了传感器的检测灵敏度。此外，本发明传感器尺寸小、成本低、适于大批量生产。
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公开(公告)号：CN107328449A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710548160.3
申请日：2017-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01F1/688
Abstract: 本发明提供一种热电堆式气体流量传感器及其制备方法，结构包括：衬底，具有一凹槽，开设于衬底上表面；第一介质膜，覆盖于凹槽上方，与衬底相连接，且与衬底共同围成一个隔热腔体；加热元件，位于第一介质膜表面；至少两个感测元件，位于第一介质膜上，且设置于加热元件两侧，包括至少一组单晶硅-金属热偶对组，单晶硅-金属热偶对组包括若干个单晶硅-金属热偶对。通过上述方案结合本发明的单硅片单面制作技术，在普通单晶硅片上加工出赛贝克系数最高的P型单晶硅-金热偶对，并将热偶对以及加热元件通过隔热腔体与衬底隔离，最大程度降低了加热电阻的热耗散，提高了传感器的检测灵敏度。此外，本发明传感器尺寸小、成本低、适于大批量生产。
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公开(公告)号：CN107345826A
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201710548164.1
申请日：2017-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01F1/69
CPC classification number: G01F1/69
Abstract: 本发明提供一种热式气体流量传感器及其制备方法，结构包括：衬底，包括凹槽，开设于衬底上表面；第一介质膜，位于凹槽上方，包括若干个第一介质膜单元及槽型结构，第一介质膜单元与衬底相连接，槽型结构贯穿第一介质膜且位于相邻第一介质膜单元之间，第一介质膜与衬底围成一个隔热腔体；电阻组件，包括至少一个加热单元和至少两个热敏单元，每个加热单元与每个热敏单元位于不同的第一介质膜单元上，热敏单元位于加热单元的两侧。通过上述技术方案，本发明的热式气体流量传感器的加热电阻的热量与衬底彻底隔离，降低了加热电阻热损耗，提高了气体流量的检测灵敏度和响应时间；采用单硅片单面体硅微机械工艺制作，结构尺寸小，成本低、工艺简单。
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