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公开(公告)号：CN108751122B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201810471981.6
申请日：2018-05-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种三维微型加热器及制备方法，制备包括：提供半导体衬底，形成具有平台腐蚀窗口牺牲层；腐蚀半导体衬形成若干个下沉平台结构；形成定义有加热膜区、支撑梁区及电极区的介质薄膜，加热膜区经支撑梁区与电极区连接；制备加热电阻丝、连接引线、电极、电极引线；于介质薄膜上形成薄膜释放窗口；腐蚀半导体衬底形成隔热腔体，以释放出加热膜区及支撑梁区。通过上述方案，本发明的三维加热器具有凹槽形下沉平台结构加热膜区阵列，加热电阻丝排布在下沉平台阵列内部，加热膜区结构稳定、功耗低，加热电阻丝加热分布均匀，具有大的气体接触面积和气体流通速度；在不同下沉平台结构上设置不同形状及布局的加热电阻丝，实现加热膜区热量调整。
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公开(公告)号：CN107799387A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201610804968.9
申请日：2016-09-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L21/02603 , H01L21/02532 , H01L29/0676
Abstract: 本发明提供一种在掺杂的多晶硅层上制备硅纳米线的方法及结构，所述制备方法包括：S1：提供一基板；S2：在基板表面制备多晶硅层，对多晶硅层进行掺杂；S3：在掺杂的多晶硅层表面制备顶绝缘层；S4：在顶绝缘层表面制备铜薄膜层；S5：在铜薄膜层表面形成光刻胶图形并行图形化处理，去除光刻胶图形，得到铜薄膜图形；S6：进行退火处理，铜薄膜图形收缩成纳米尺寸的铜图形，基于铜图形与顶绝缘层反应使掺杂的多晶硅层中硅原子及掺杂离子穿过顶绝缘层形成带有掺杂离子的硅纳米线。通过本发明提供的在掺杂的多晶硅层上制备硅纳米线的方法及结构，解决了现有技术制备硅纳米线时工艺流程复杂，工艺价格昂贵，生长的硅纳米线尺度较大的问题。
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公开(公告)号：CN104889410B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201510136274.8
申请日：2015-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种可控金属纳米颗粒的制作方法，包括：首先提供一包括基体和顶绝缘层的基板；然后在顶绝缘层上方沉积金属纳米薄膜；接着采用光刻和刻蚀的方法得到微米金属图形；最后采用聚焦离子束辐照的方法，刻蚀金属的同时得到尺寸可控的金属纳米颗粒。本发明工艺简单、金属纳米颗粒的位置、尺寸可控、且效率高，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在催化剂、微电子领域、生化检测领域有着较广的使用前景。
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公开(公告)号：CN108751122A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810471981.6
申请日：2018-05-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: B81C1/00468 , B81B7/02 , B81C1/00523 , B81C2201/013 , H05B3/20
Abstract: 本发明提供一种三维微型加热器及制备方法，制备包括：提供半导体衬底，形成具有平台腐蚀窗口牺牲层；腐蚀半导体衬形成若干个下沉平台结构；形成定义有加热膜区、支撑梁区及电极区的介质薄膜，加热膜区经支撑梁区与电极区连接；制备加热电阻丝、连接引线、电极、电极引线；于介质薄膜上形成薄膜释放窗口；腐蚀半导体衬底形成隔热腔体，以释放出加热膜区及支撑梁区。通过上述方案，本发明的三维加热器具有凹槽形下沉平台结构加热膜区阵列，加热电阻丝排布在下沉平台阵列内部，加热膜区结构稳定、功耗低，加热电阻丝加热分布均匀，具有大的气体接触面积和气体流通速度；在不同下沉平台结构上设置不同形状及布局的加热电阻丝，实现加热膜区热量调整。
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公开(公告)号：CN104889410A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510136274.8
申请日：2015-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种可控金属纳米颗粒的制作方法，包括：首先提供一包括基体和顶绝缘层的基板；然后在顶绝缘层上方沉积金属纳米薄膜；接着采用光刻和刻蚀的方法得到微米金属图形；最后采用聚焦离子束辐照的方法，刻蚀金属的同时得到尺寸可控的金属纳米颗粒。本发明工艺简单、金属纳米颗粒的位置、尺寸可控、且效率高，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在催化剂、微电子领域、生化检测领域有着较广的使用前景。
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