公开(公告)号：CN102779892A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201110120147.0

申请日：2011-05-10

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 盛振 ,  仇超 ,  甘甫烷 ,  武爱民 ,  杜骏杰 ,  陈静 ,  王曦 ,  邹世昌

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0216 ,  G02B6/34

Abstract: 本发明公开了一种基于异质集成和垂直光耦合的硅基InGaAsPIN光电探测器，包括：SOI衬底；制作于SOI衬底顶层硅中的垂直耦合光栅；覆盖于垂直耦合光栅上的BCB键合层；位于BCB键合层之上的抗反射层；位于抗反射层之上的第一导电型磷化铟层；位于第一导电型磷化铟层之上的本征铟镓砷层；以及位于本征铟镓砷层之上的第二导电型磷化铟层；其中，垂直耦合光栅通过刻蚀SOI衬底的顶层硅制成，刻蚀深度为70-110nm；光栅周期为600-680nm；抗反射层的折射率介于BCB键合层与第一导电型磷化铟层之间。本发明的硅基InGaAsPIN光电探测器采用粘合性键合工艺将InP/InGaAs/InP叠堆材料层粘合于刻蚀在SOI衬底上的光栅上，使光与InP/InGaAs/InP层实现垂直耦合，为硅基InGaAs光电探测器的具体应用提供合适的设计及优化方案。

公开(公告)号：CN102779892B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201110120147.0

申请日：2011-05-10

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 盛振 ,  仇超 ,  甘甫烷 ,  武爱民 ,  杜骏杰 ,  陈静 ,  王曦 ,  邹世昌

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0216 ,  G02B6/34

Abstract: 本发明公开了一种基于异质集成和垂直光耦合的硅基InGaAsPIN光电探测器，包括：SOI衬底；制作于SOI衬底顶层硅中的垂直耦合光栅；覆盖于垂直耦合光栅上的BCB键合层；位于BCB键合层之上的抗反射层；位于抗反射层之上的第一导电型磷化铟层；位于第一导电型磷化铟层之上的本征铟镓砷层；以及位于本征铟镓砷层之上的第二导电型磷化铟层；其中，垂直耦合光栅通过刻蚀SOI衬底的顶层硅制成，刻蚀深度为70-110nm；光栅周期为600-680nm；抗反射层的折射率介于BCB键合层与第一导电型磷化铟层之间。本发明的硅基InGaAsPIN光电探测器采用粘合性键合工艺将InP/InGaAs/InP叠堆材料层粘合于刻蚀在SOI衬底上的光栅上，使光与InP/InGaAs/InP层实现垂直耦合，为硅基InGaAs光电探测器的具体应用提供合适的设计及优化方案。