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公开(公告)号：CN120085400A
公开(公告)日：2025-06-03
申请号：CN202510392853.2
申请日：2025-03-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于石墨烯的三波段吸收增强结构及其制备方法，包括由上而下层叠设置的纳米孔阵列、单层石墨烯、二氧化硅层、背反射层、硅衬底；通过调整背反射层材料及其厚度H2、二氧化硅层厚度T、纳米孔阵列厚度H1、纳米孔半径R、纳米孔阵列周期P、在纳米孔中填充介质或施加外部电压实现动态调控三波段吸收增强结构的吸收峰位置和吸收峰强度。本发明的吸收增强结构的吸收峰位置和强度可通过调整结构材料和几何参数实现动态调控，达到临界耦合，实现光的全吸收；采用PDMS模板压印法制备纳米孔阵列，具有低成本、可批量制备的优点，同时兼具高分辨率。
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