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公开(公告)号：CN113517015B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110471674.X
申请日：2021-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明涉及一种实现存储单元多级存储的方法及装置，方法包括：根据存储单元的电阻随电脉冲变化率划分每个阻态对应的电阻区间；统计所述每个电阻区间对应的电脉冲范围，确定多级存储进行每个阻态操作时设置的电脉冲范围；根据所述电阻区间和所述电脉冲范围对所述存储单元进行脉冲操作，并在每次脉冲操作后通过读操作确认所述相变存储器的电阻值是否到达目标状态，用以控制脉冲操作的停止或继续。本发明能够提高较多位多级存储的成功率，并且降低了功耗，提高了效率。
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公开(公告)号：CN113517015A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110471674.X
申请日：2021-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明涉及一种实现存储单元多级存储的方法及装置，方法包括：根据存储单元的电阻随电脉冲变化率划分每个阻态对应的电阻区间；统计所述每个电阻区间对应的电脉冲范围，确定多级存储进行每个阻态操作时设置的电脉冲范围；根据所述电阻区间和所述电脉冲范围对所述存储单元进行脉冲操作，并在每次脉冲操作后通过读操作确认所述相变存储器的电阻值是否到达目标状态，用以控制脉冲操作的停止或继续。本发明能够提高较多位多级存储的成功率，并且降低了功耗，提高了效率。
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公开(公告)号：CN112285519A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011156695.4
申请日：2020-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种二极管选通阵列中串联电阻及理想因子的测量方法，采用测试设备测量二极管选通阵列中待测二极管在正向偏压下的电流得到I‑V曲线，通过I‑V曲线上大电压区内的近邻两点计算所述待测二极管的串联电阻，通过I‑V曲线上截止区外小电压区内的近邻两点计算所述待测二极管的理想因子。本发明在不使用高精度的测试设备下能够较为准确的测出串联电阻及理想因子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116103657A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310062225.9
申请日：2023-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于锗硒及其掺杂合金的化学机械抛光组合物，包括0.1～3.0％氧化剂、0.01～1.0％碱金属添加剂、0.01～2.0％络合剂、0.1～2.0％第一缓蚀剂、0.2～2.0％第二缓蚀剂、0～5％磨料，其余为pH缓冲剂和去离子水。本发明通过碱金属添加剂的作用促进了化学反应进行可以获得较高的锗硒化学机械抛光速率，同时添加的组合缓腐蚀剂可以使得在静止状态下的腐蚀速率降低，降低抛光后的表面腐蚀坑情形，获得平滑表面，具有良好的综合效果。
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公开(公告)号：CN111948507A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010651804.3
申请日：2020-07-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种不同写操作下相变存储芯片热稳定性预测方法，包括以下步骤：(1)将存储单元通过写脉冲操作到非晶态；(2)对所述存储单元进行电学V-I测试，得到所述写脉冲操作电流下的所述存储单元的V-I数据；(3)根据设定的电流步长调整写脉冲操作电流，并重复步骤(2)，得到不同写脉冲操作下的存储单元V-I数据；(4)采用数理统计方法对不同写脉冲操作下的存储单元的V-I数据进行处理和分析，实现对所述存储单元的热稳定性进行预测。本发明避免了高温环境下的繁琐测试流程以及高温对相变存储单元的损伤。
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公开(公告)号：CN112285519B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011156695.4
申请日：2020-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种二极管选通阵列中串联电阻及理想因子的测量方法，采用测试设备测量二极管选通阵列中待测二极管在正向偏压下的电流得到I‑V曲线，通过I‑V曲线上大电压区内的近邻两点计算所述待测二极管的串联电阻，通过I‑V曲线上截止区外小电压区内的近邻两点计算所述待测二极管的理想因子。本发明在不使用高精度的测试设备下能够较为准确的测出串联电阻及理想因子。
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公开(公告)号：CN113539311A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110724690.5
申请日：2021-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种减少二极管选通阵列寄生漏电的偏置方法，所述二极管阵列包括十字交叉的至少两根位线和至少两根字线，所述位线和字线的交叉点处设置有二极管，对多根相邻位线施加选通信号，其他位线接地，将选通单元所在的字线接地，并对其他字线施加一个大于操作电压且小于二极管反向击穿电压的电压Vp，其中，所述选通单元位于同一根字线上。本发明能够减少阵列寄生漏电，同时提高存储单元可靠性。
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公开(公告)号：CN113488093A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110754913.2
申请日：2021-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明涉及一种实现存储器多级存储的方法及装置，方法包括以下步骤：将存储器单元操作至低阻态；根据所述存储器单元的电阻变化特性，提取一组电脉冲，使得所述存储器单元的电阻随所述电脉冲个数的增加而线性增加；使用所述电脉冲来实现所述存储器的多级存储，并在每个脉冲操作后都紧随一个读操作，确认所述存储器单元的电阻值是否到达目标状态，用以控制脉冲操作的停止或继续。本发明能够降低功耗，提高效率，节约成本，提高多级存储成功率。
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