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公开(公告)号：CN117970568A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410059030.3
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体光电技术领域，特别涉及一种光子结构的形成方法、光子结构及光子芯片。通过提供一异质结构；所述异质结构包括支撑衬底和位于所述支撑衬底上的钽酸锂层；在所述钽酸锂层上形成类金刚石掩膜；利用干法刻蚀工艺对所述钽酸锂层进行刻蚀，并去除所述类金刚石掩膜，得到目标光子结构。从而能够使得刻蚀出的钽酸锂功能层的结构形貌光滑，具有高速电光调制同时保证低损耗传输的光子芯片。
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公开(公告)号：CN117908186A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410104574.7
申请日：2024-01-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种单片集成高速调制硅基光芯片及制备方法，从下至上依次包括硅基光电子层(I)、中间层(II)、铌酸锂层或钽酸锂层(III)；所述硅基光电子层(I)从下至上包括衬底(1)、绝缘层(2)、硅波导(3)、InP激光器(4)、硅锗光电探测器(5)和热光移相器(6)。本发明基于铌酸锂(或钽酸锂)优良的电光调制性能，聚焦于特殊的键合方法和CMOS兼容的硅光子流片工艺，获得了铌酸锂(或钽酸锂)‑硅多层结构，进一步地实现了激光器、光电探测器、电光调制器全集成的收发一体光芯片，其能够满足当前片上光系统对于高紧凑性和低功耗的要求。
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公开(公告)号：CN118091996A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410059483.6
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及信息功能材料与器件制备领域，特别涉及一种异质集成光学芯片及其制备方法。方法包括获取带有缺陷层的单晶硅晶片和绝缘体上钽酸锂晶片，将单晶硅晶片与绝缘体上钽酸锂晶片进行键合，得到第一异质键合结构；沿缺陷层剥离部分单晶硅晶片，得到第二异质键合结构；对第二异质键合结构中的单晶硅晶片进行刻蚀，形成硅波导；在硅波导所在的预设区间内，刻蚀钽酸锂层，形成钽酸锂波导；对硅波导进行离子掺杂，形成光电探测器；在绝缘体上钽酸锂晶片表面制备共面波导电极，得到目标异质集成光学芯片。本发明的异质集成光学芯片结合硅的工艺便利性和光探测性及钽酸锂的电光特性，可获得片上大带宽高速传输和高速光信号探测,且经济型更强。
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公开(公告)号：CN113284839A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110557868.1
申请日：2021-05-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，本发明公开了一种钻石晶体的异质键合方法及异质结构。本申请提供的该异质键合方法通过在钻石晶体表面引入键合介质层，继而可以采用亲水键合或者SAB键合等键合方法，绕过了钻石晶体不易抛光和键合的缺点，上述键合方法具有键合灵活以及键合强度高的优点。
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公开(公告)号：CN118039727A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410057181.5
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本申请实施例涉及一种钽酸锂‑氮化硅光电芯片的制备方法及光电芯片，制备方法包括：提供绝缘体上钽酸锂材料；绝缘体上钽酸锂材料包括上下分布的钽酸锂薄膜层和衬底层；采用晶圆键合法在钽酸锂薄膜层上制备氮化硅薄膜层；去除部分氮化硅薄膜层，形成图案化氮化硅薄膜层；在钽酸锂薄膜层上制备金属电极，形成钽酸锂‑氮化硅光电芯片；金属电极和图案化氮化硅薄膜层的位置分离。本申请实施例中，通过采用晶圆键合法形成钽酸锂‑氮化硅异质结构，避开高温沉积氮化硅工艺，确保钽酸锂的极化完整性；通过刻蚀氮化硅形成钽酸锂‑氮化硅异质波导，避开刻蚀钽酸锂这一复杂工艺，充分利用钽酸锂低成本、微波特性和电光属性优良的优势，满足了光电芯片需求。
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公开(公告)号：CN112530855B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202011412909.X
申请日：2020-12-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种复合异质集成半导体结构、半导体器件及制备方法，可集成具有不同功能、不同特性的材料层，实现复合异质集成，且根据不同材料层所具有的特点，从而可发挥各材料层的不同优势，以获得高质量、高性能的半导体器件；进一步的，半导体单晶晶片可以回收循环利用，从而可大大降低成本。
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公开(公告)号：CN113284839B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202110557868.1
申请日：2021-05-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，本发明公开了一种钻石晶体的异质键合方法及异质结构。本申请提供的该异质键合方法通过在钻石晶体表面引入键合介质层，继而可以采用亲水键合或者SAB键合等键合方法，绕过了钻石晶体不易抛光和键合的缺点，上述键合方法具有键合灵活以及键合强度高的优点。
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公开(公告)号：CN117950242A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410058164.3
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及半导体光电技术领域，尤其涉及一种光学频率梳产生装置、光学系统及光电设备。光学频率梳产生装置包括：泵浦光源和集成光子芯片；泵浦光源用于产生泵浦光；集成光子芯片包括钽酸锂器件层；钽酸锂器件层中形成有耦合波导和环形谐振腔；耦合波导靠近环形谐振腔设置；耦合波导用于将泵浦光源产生的泵浦光耦合进环形谐振腔，以使环形谐振腔产生光学频率梳。通过采用在钽酸锂器件层中形成环形谐振腔，由于钽酸锂具有较小的双折射效应，可以有效地减弱横向模场和纵向模场的兼并，即其腔内模场间不会产生干扰，使其能够同时满足环形谐振腔中模式交叉的消除以及平面内高电光效应的保持，从而实现高速可调谐、大转换效率片上光学频率梳。
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公开(公告)号：CN116736445A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310610948.8
申请日：2023-05-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/293
Abstract: 本发明涉及一种自干涉光学微谐振腔及其调控方法，其中，自干涉光学微谐振腔包括，微腔结构，由首尾相连的波导构成；总线波导，与所述微腔结构耦合2n+1次构成2n+1个耦合器，相邻两个耦合器在所述微腔结构所在波导上的光程与相邻两个耦合器在所述总线波导上的光程不同。本发明能够在不改变光学微谐振腔的绝对谐振频率情况下调控光学微谐振腔的谐振透射率。
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