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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1328306C
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200410025135.X
申请日：2004-06-11
Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所
IPC: C08J7/06
Abstract: 本发明公开了一种高分子薄膜与无机晶体涂层复合材料的制备方法，其特征在于其制备方法如下：1)将高分子薄膜浸入含2%～6%的丙烯酸羟丙酯、甲基丙烯酸或丙烯酸的水溶液或丙酮溶液中，用钴源辐照，辐照剂量为8～22KGy，剂量率为0.14～0.38Gy/s，2)将按步骤1)得到的接枝高分子薄膜浸入含0.2wt‰～0.4wt‰的聚丙烯酸、聚乙二醇或聚谷氨酸的无机过饱和溶液中，在8～15℃条件下静置6～10天，即得本复合材料。本发明也公开了由此方法制得的复合材料。本发明具有方法简单、污染小、对基材品种选择限制性小等优点。
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公开(公告)号：CN1844175A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200510025006.5
申请日：2005-04-08
Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所
IPC: C08F290/14 , C08G75/23
Abstract: 本发明公开了一种聚醚砜接枝改性的方法，其特征在于将聚醚砜粉体与丙烯酸类单体进行γ射线辐照接枝反应。使用本发明的方法制得的聚醚砜粉体具有良好的亲水性能，从而使以后利用该聚醚砜粉体制成的聚醚砜膜不仅具有较好的亲水性，且避免了膜接枝时单体链段堵塞膜孔的可能，而将具有更好的通透性及滤过功能。
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公开(公告)号：CN1706882A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200410025135.X
申请日：2004-06-11
Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所
IPC: C08J7/06
Abstract: 本发明公开了一种高分子薄膜与无机晶体涂层复合材料的制备方法，其特征在于其制备方法如下：1)将高分子薄膜浸入含2％～6％的丙烯酸羟丙酯、甲基丙烯酸或丙烯酸的水溶液或丙酮溶液中，用钴源辐照，辐照剂量为8～22KGy，剂量率为0.14～0.38Gy/s，2)将按步骤1)得到的接枝高分子薄膜浸入含0.2wt‰～0.4wt‰的聚丙烯酸、聚乙二醇或聚谷氨酸的无机过饱和溶液中，在8～15℃条件下静置6～10天，即得本复合材料。本发明也公开了由此方法制得的复合材料。本发明具有方法简单、污染小、对基材品种选择限制性小等优点。
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公开(公告)号：CN100556926C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200510025006.5
申请日：2005-04-08
Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所
IPC: C08F290/14 , C08G75/23
Abstract: 本发明公开了一种聚醚砜接枝改性的方法，其特征在于将聚醚砜粉体与丙烯酸类单体进行γ射线辐照接枝反应。使用本发明的方法制得的聚醚砜粉体具有良好的亲水性能，从而使以后利用该聚醚砜粉体制成的聚醚砜膜不仅具有较好的亲水性，且避免了膜接枝时单体链段堵塞膜孔的可能，而将具有更好的通透性及滤过功能。
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公开(公告)号：CN101105445A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200610028985.4
申请日：2006-07-14
Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种研究极性接枝链在透明或半透明的高分子薄膜内层分布的方法，该方法为染色切片法，该方法包括如下步骤：A)将接枝有极性接枝链的高分子薄膜置于染料溶液中进行染色；B)清洗染色后的薄膜，并干燥之；C)将干燥后的薄膜进行石蜡包埋；D)将包埋好的薄膜切成厚度为60～120μm的薄膜切片；E)显微镜观察薄膜切片。本发明的染色切片法是一种直观、简便的观察接枝链在高分子薄膜内层分布情况和研究接枝单体如何在聚合物中扩散的方法，容易观察各种接枝条件对接枝链在高分子薄膜内层分布的影响，而且本染色切片法得到的薄膜切片的染色效果较好，染色图片清晰可见，得到的接枝链渗透深度数据精确、可靠。
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