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公开(公告)号:CN1186621C
公开(公告)日:2005-01-26
申请号:CN03115175.2
申请日:2003-01-27
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种超快过程的探测装置,其构成和位置关系如下:光源经过第一分光镜分成透射的泵浦光和反射的探针光,该泵浦光经过脉冲展宽器件和第一延时光路系统后,被第一全反光镜反射并经第一汇聚透镜垂直照射在被测样品上,该探针光经第二全反光镜和第三全反光镜后被第二汇聚透镜聚焦到样品上,在该探针光相对于样品的反射光路上设置有第一探测器,在该探针光通过样品的透射方向设有第二探测器,所述的泵浦光的脉冲宽度经脉冲展宽器件被展宽为探针光脉冲宽度的几倍、几十倍或几百倍,所述的探针光与泵浦光共焦。本发明主要实用于测量半导体和透明介质等块体材料和纳米结构材料在超短脉冲激光作用下的驰豫过程,尤其是还能够详细地测量激发过程。
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公开(公告)号:CN100495081C
公开(公告)日:2009-06-03
申请号:CN200510110054.4
申请日:2005-11-04
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: G02B5/18
Abstract: 一种制备纳米光栅的装置和方法,本发明的基本构思是:利用KDP晶体将一束激光倍频,形成偏振方向互相垂直两束激光。将这两束激光共光路聚焦到材料表面,在材料上形成周期纳米光栅。通过调节倍频光的能量,可以改变光栅结构的方向。本发明制备纳米光栅的装置,包括一飞秒激光器,并由沿该飞秒激光器输出的飞秒激光脉冲的光轴上依次是格兰棱镜、KDP晶体和聚焦透镜构成,所述的格兰棱镜和KDP晶体具有绕光轴旋转的调节机构。本发明的装置结构不复杂,制备方法简便,获得的光栅刻线规则,光栅面积较大,光栅方向可控。
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公开(公告)号:CN1758075A
公开(公告)日:2006-04-12
申请号:CN200510110054.4
申请日:2005-11-04
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: G02B5/18
Abstract: 一种制备纳米光栅的装置和方法,本发明的基本构思是:利用KDP晶体将一束激光倍频,形成偏振方向互相垂直两束激光。将这两束激光共光路聚焦到材料表面,在材料上形成周期纳米光栅。通过调节倍频光的能量,可以改变光栅结构的方向。本发明制备纳米光栅的装置,包括一飞秒激光器,并由沿该飞秒激光器输出的飞秒激光脉冲的光轴上依次是格兰棱镜、KDP晶体和聚焦透镜构成,所述的格兰棱镜和KDP晶体具有绕光轴旋转的调节机构。本发明的装置结构不复杂,制备方法简便,获得的光栅刻线规则,光栅面积较大,光栅方向可控。
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公开(公告)号:CN1431483A
公开(公告)日:2003-07-23
申请号:CN03115175.2
申请日:2003-01-27
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种超快过程的探测装置,其构成和位置关系如下:光源经过第一分光镜分成透射的泵浦光和反射的探针光,该泵浦光经过脉冲展宽器件和第一延时光路系统后,被第一全反光镜反射并经第一汇聚透镜垂直照射在被测样品上,该探针光经第二全反光镜和第三全反光镜后被第二汇聚透镜聚焦到样品上,在该探针光相对于样品的反射光路上设置有第一探测器,在该探针光通过样品的透射方向设有第二探测器,所述的泵浦光的脉冲宽度经脉冲展宽器件被展宽为探针光脉冲宽度的几倍、几十倍或几百倍,所述的探针光与泵浦光共焦。本发明主要适用于测量半导体和透明介质等块体材料和纳米结构材料在超短脉冲激光作用下的超快过程,尤其是适用于测量激发过程。
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公开(公告)号:CN2630843Y
公开(公告)日:2004-08-04
申请号:CN03228590.6
申请日:2003-01-27
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种超快过程的探测装置,其构成和位置关系如下:光源经过第一分光镜分成透射的泵浦光和反射的探针光,该泵浦光经过脉冲展宽器件和第一延时光路系统后,被第一全反光镜反射并经第一汇聚透镜垂直照射在被测样品上,该探针光经第二全反光镜和第三全反光镜后被第二汇聚透镜聚焦到样品上,在该探针光相对于样品的反射光路上设置有第一探测器,在该探针光通过样品的透射方向设有第二探测器,所述的泵浦光的脉冲宽度经脉冲展宽器件被展宽为探针光脉冲宽度的几倍、几十倍或几百倍,所述的探针光与泵浦光共焦。本实用新型主要适用于测量半导体和透明介质等块体材料和纳米结构材料在超短脉冲激光作用下的超快过程,尤其是适用于测量激发过程。
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