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公开(公告)号：CN119591110A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411750146.8
申请日：2024-11-29
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: C01B32/949
Abstract: 本发明涉及纳米材料制备领域，具体是一种Mo2CTx二维材料及其制备方法和应用。本发明提供的Mo2CTx二维材料的制备方法通过简单的一步水热反应刻蚀Mo2Ga2C，利用无毒试剂氟化铵，一步法大批量刻蚀MAX前驱体和制备Mo2CTx二维材料，制备工艺简单，易于大批量生产，安全可靠，无需引入强酸、强碱或化学插层剂；所得到的Mo2CTx二维材料表面形貌光滑，缺陷较少，并具有与Mo2Ga2C类似的高结晶性，在能量存储、催化等多个领域具有应用前景，尤其推动了MXene材料在新能源领域的实际应用。
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