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公开(公告)号：CN113178556B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202110442588.6
申请日：2021-04-23
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 本发明提供了一种Mo2C@MoS2异质结及其制备方法和应用；该制备方法包括以下步骤：将Mo2Ga2C MAX前驱体与水混合，依次加入氯化铵、DMSO溶解，并去除溶解氧，然后进行水热反应；得到的反应混合物冷却后，洗涤至中性，再经干燥，得到Mo2C@MoS2异质结。本发明提供了一种原位刻蚀Mo2Ga2C制备Mo2C@MoS2异质结的方法，通过简单的一步水热反应刻蚀Mo2Ga2C的同时，在其表面生成均一的无定型MoS2；本发明提供的制备方法工艺简单，易于大批量生产，得到的产物界面结构均一，表面吸附基团少，活性位点丰富，可应用于二次离子电池、超级电容器、电催化等领域，且具有潜在商业应用价值。
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公开(公告)号：CN111732103A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010523800.7
申请日：2020-06-10
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 本发明提供了一种无氟Mo2CTx MXenes材料的制备方法，包括：S1)将碳化钼纳米粉与金属镓混合加热研磨，得到混合物；所述碳化钼纳米粉与金属镓的摩尔比小于1:2；S2)将所述混合物在密闭低真空条件下，高温烧结，得到Mo2Ga2C MAX前驱体；S3)将所述Mo2Ga2C MAX前驱体与浓盐酸混合通过水热反应进行刻蚀，得到无氟Mo2CTx MXenes材料。与现有技术相比，本发明实现了无氟Mo2CTx MXenes的安全、可控制备，且所得到的Mo2CTx MXenes表面只含有氧基团和氯基团，而表面氯基团易被其它基团取代，增加了Mo2CTx MXenes材料的可调节性。
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公开(公告)号：CN117964370B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410384549.9
申请日：2024-04-01
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/626
Abstract: 本发明提供了一种高纯度镓系层状碳/氮化物MAX相材料及其制备方法；该制备方法包括以下步骤：a）将金属粉末M与石墨粉X/金属氮化物粉MN混合，在惰性气体氛围下进行预煅烧处理，得到MX前驱体；b）将步骤a）得到的MX前驱体浸润熔融金属Ga，在惰性气体氛围下进行煅烧处理，得到MAX相材料与未反应的金属Ga；再经酸处理除去未反应的金属Ga，得到的产物依次经离心清洗、冷冻干燥，得到高纯度镓系层状碳/氮化物MAX相材料。本发明的制备方法采用特定工艺步骤，实现整体较好的相互作用，不仅提高了MAX相材料的制备纯度与尺寸均匀性，而且丰富了其结构多样性；同时制备的高纯度MAX在电化学储能、催化、保护涂层或辐射防护等领域具有重要的应用潜力。
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公开(公告)号：CN111732103B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202010523800.7
申请日：2020-06-10
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 本发明提供了一种无氟Mo2CTx MXenes材料的制备方法，包括：S1)将碳化钼纳米粉与金属镓混合加热研磨，得到混合物；所述碳化钼纳米粉与金属镓的摩尔比小于1:2；S2)将所述混合物在密闭低真空条件下，高温烧结，得到Mo2Ga2C MAX前驱体；S3)将所述Mo2Ga2C MAX前驱体与浓盐酸混合通过水热反应进行刻蚀，得到无氟Mo2CTx MXenes材料。与现有技术相比，本发明实现了无氟Mo2CTx MXenes的安全、可控制备，且所得到的Mo2CTx MXenes表面只含有氧基团和氯基团，而表面氯基团易被其它基团取代，增加了Mo2CTx MXenes材料的可调节性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113178556A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110442588.6
申请日：2021-04-23
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 本发明提供了一种Mo2C@MoS2异质结及其制备方法和应用；该制备方法包括以下步骤：将Mo2Ga2C MAX前驱体与水混合，依次加入氯化铵、DMSO溶解，并去除溶解氧，然后进行水热反应；得到的反应混合物冷却后，洗涤至中性，再经干燥，得到Mo2C@MoS2异质结。本发明提供了一种原位刻蚀Mo2Ga2C制备Mo2C@MoS2异质结的方法，通过简单的一步水热反应刻蚀Mo2Ga2C的同时，在其表面生成均一的无定型MoS2；本发明提供的制备方法工艺简单，易于大批量生产，得到的产物界面结构均一，表面吸附基团少，活性位点丰富，可应用于二次离子电池、超级电容器、电催化等领域，且具有潜在商业应用价值。
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公开(公告)号：CN104261404B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410516116.0
申请日：2014-09-29
Applicant: 中国科学技术大学
Inventor： 刘道彬 , 王昌达 , 亚西尔·阿布杜尔·哈利姆 , 宋礼
Abstract: 本发明公开了一种纳米金刚石解团聚的方法，尤其是制备纳米金刚石水溶胶的方法，采用球磨的方式，在没有任何添加剂的情况下，获得了稳定分散的纳米金刚石水溶胶。其工艺过程为：将纳米金刚石原粉酸化处理后，加入一定量的球磨珠、去离子水进行湿法球磨；获得的纳米金刚石悬浮液与球磨珠一起进行超声分散，最后对所得的悬浮液进行静置和离心处理除去杂质和较大颗粒，即获得10nm左右的纳米金刚石水溶胶。此发明制备的水溶胶可以应用于精密抛光领域，相对于团聚的大颗粒纳米金刚石来说，将拥有更高的抛光精度；亦可作为添加剂应用于复合材料的力学性能增强应用；同时也可以应用于生物药物运输领域的研究。
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公开(公告)号：CN112573576A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011442753.X
申请日：2020-12-08
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 本发明提供了一种MnO2/CNT复合材料的制备方法，包括以下步骤：A)将碳纳米管加入浓硝酸中进行酸化反应，得到酸化的碳纳米管；B)将所述酸化的碳纳米管、高锰酸钾和硫酸锰在溶剂中混合，得到混合溶液；C)将所述混合溶液进行水热反应，得到MnO2/CNT复合材料。本发明生产工艺流程简单，合成的MnO2可以均匀地长在CNT上，避免了通过物理混合方法导致的不均匀性，显著提高了MnO2的导电性，加快离子传输速率，有利于提高MnO2在储能领域的倍率和循环稳定性，制备的MnO2/CNT复合材料适用于离子电池和超级电容器等多种能源存储领域。本发明还提供了一种MnO2/CNT复合材料及应用。
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公开(公告)号：CN117374300A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311301368.7
申请日：2023-10-08
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 本发明提供了一种具有原子级异质结的Mxenes衍生物材料，所述Mxenes衍生物材料中具有层内原子级异质结构；所述层内原子级异质结构具体为层间阳离子和阴离子之间的原子级异质结构。本发明采用MAX相作为原料，与路易斯酸熔盐按一定的摩尔比均匀混合后，经过一定温度和时间在氩气氛围下的煅烧处理，实现了A层原子的置换与刻蚀，得到了层间具有阴阳离子梯度的原子级异质结构Nb2Cl2C/Nb2CuC。本发明还能够通过控制反应温度与时间，实现了层间阴阳离子相对含量的调控。本发明丰富了Mxenes衍生物的结构多样性，所制备的层内原子级异质在电化学储能、催化、电磁屏蔽或电子器件等领域具有重要的应用潜力。
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公开(公告)号：CN104261404A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410516116.0
申请日：2014-09-29
Applicant: 中国科学技术大学
Inventor： 刘道彬 , 王昌达 , 亚西尔·阿布杜尔·哈利姆 , 宋礼
Abstract: 本发明公开了一种纳米金刚石解团聚的方法，尤其是制备纳米金刚石水溶胶的方法，采用球磨的方式，在没有任何添加剂的情况下，获得了稳定分散的纳米金刚石水溶胶。其工艺过程为：将纳米金刚石原粉酸化处理后，加入一定量的球磨珠、去离子水进行湿法球磨；获得的纳米金刚石悬浮液与球磨珠一起进行超声分散，最后对所得的悬浮液进行静置和离心处理除去杂质和较大颗粒，即获得10nm左右的纳米金刚石水溶胶。此发明制备的水溶胶可以应用于精密抛光领域，相对于团聚的大颗粒纳米金刚石来说，将拥有更高的抛光精度；亦可作为添加剂应用于复合材料的力学性能增强应用；同时也可以应用于生物药物运输领域的研究。
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