基于深度学习的正电子湮没多普勒展宽谱仪及其测试方法

    公开(公告)号:CN118090796A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410209382.2

    申请日:2024-02-26

    Abstract: 本发明公开了一种基于深度学习的正电子湮没多普勒展宽谱仪及其测试方法,包括伽马光子探测模块、数据采集模块、数据处理模块、深度神经网络训练模块、分类模块和数据分析模块。本发明利用深度神经网络,通过对预先分类的高纯锗探测器脉冲波形进行训练学习,从而对未知样本进行分类,可以有效甄别出畸变与堆积脉冲,使测量结果不易受到信号堆积,电子学抖动等因素的影响,大幅提升数字化正电子湮没多普勒展宽谱仪的测试结果准确性,提升谱仪性能,同时利用深度神经网络从原始数据中自动学习特征,减少人工干预的影响,具有较好泛化能力,从而提升脉冲甄别的能力。

    一种用于测量薄膜样品的正电子湮没寿命谱仪

    公开(公告)号:CN113640852A

    公开(公告)日:2021-11-12

    申请号:CN202111096731.7

    申请日:2021-09-18

    Abstract: 本发明提出一种用于测量薄膜样品的正电子湮没寿命谱仪,包括反符合模块、伽马探测器、采集模块和数据处理模块,所述反符合模块、伽马探测器分别与采集模块相连,所述采集模块连接到数据处理模块;所述的伽马探测器由闪烁体和光电倍增器件组成;所述的反符合模块包括两片薄塑料闪烁体、光电倍增器件、待测薄膜样品和放射源;其中,两片薄塑料闪烁体将待测薄膜样品和放射源夹在中间。

    一种用于微米级薄膜测试的数字化正电子湮没多普勒展宽谱仪及其测试方法

    公开(公告)号:CN116930234A

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202310866482.8

    申请日:2023-07-14

    Abstract: 本发明涉及用于正电子湮没多普勒展宽测量的多普勒谱仪的技术领域,具体为一种用于微米级薄膜测试的数字化正电子湮没多普勒展宽谱仪及其测试方法。包括高纯锗探测器、放大器、反符合模块和数据采集处理模块,高纯锗探测器用于接收正负电子湮没产生的湮没光子并沉积能量;放大器对负指数核脉冲信号进行放大和高斯成型处理,得到高斯脉冲信号;高速数字示波器的一路采集反符合脉冲信号,另一路采集放大器的高斯脉冲信号;计算机得到高速数字示波器的双通道信号进行反符合逻辑判断,得到多普勒展宽谱并计算其S‑W参数,获得薄膜样品内缺陷信息。本发明采用反符合模块对湮没光子位置进行判断,实现了用于微米级薄膜测试的数字化反符合多普勒谱仪。

    一种用于测量薄膜样品的正电子湮没寿命-动量关联谱仪

    公开(公告)号:CN119126192A

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202411518209.7

    申请日:2024-10-29

    Abstract: 本发明提供一种用于测量薄膜样品的正电子湮没寿命‑动量关联谱仪,包括探测器模块、NIM电子学模块、数据采集模块和数据处理模块,探测器模块包括伽马探测器、高纯锗探测器和反符合模块,所述反符合模块、高纯锗探测器、伽马探测器分别与NIM电子学模块相连,NIM电子学模块与数据采集模块、数据处理模块依次相连。本发明实现微米级薄膜样品的正电子湮没寿命‑动量关联测量,拓展了该技术在材料科学领域的应用。

    一种用于微米级薄膜测量的正电子湮没符合多普勒展宽谱仪

    公开(公告)号:CN118604035A

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202410852288.9

    申请日:2024-06-28

    Abstract: 本发明公开了一种用于微米级薄膜测量的正电子湮没符合多普勒展宽谱仪,包括高纯锗探测器模块、反符合探测器模块、脉冲采集模块、以及数据处理模块;其中,高纯锗探测器模块,用于测量正电子湮没背对背发射的湮没伽马光子对的能量,进而得到两个湮没伽马光子的多普勒展宽;反符合探测器模块,用于确定正电子的湮没位置,实现微米薄膜样品的测量;脉冲采集模块,用于对来自高纯锗探测器模块和反符合探测器模块的脉冲进行采样;数据处理模块,用于对数字脉冲数据进行在线处理和逻辑判断。本发明具有多功能集成和重构特性,节省谱仪成本,通过数字化脉冲波形处理降低错误示例率,给谱仪带来更优秀的性能。

    一种数字化β+-γ符合正电子湮没寿命谱仪

    公开(公告)号:CN118444362A

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202410607090.4

    申请日:2024-05-16

    Abstract: 本发明提出一种数字化β+‑γ符合正电子湮没寿命谱仪,其具有超高计数率的特点。所述谱仪包括起始信号探测器模块、终止信号探测器模块、信号采集模块、数据处理模块。其中,起始信号探测器模块和终止信号探测器模块与信号采集模块相连,信号采集模块与数据处理模块相连。本发明采用硅光电倍增管(SiPM)与闪烁体组合作为正电子探测器,采用光电倍增管(PMT)与闪烁体组合作为湮没辐射γ光子探测器。其中,SiPM具有光子探测效率高、结构紧凑、时间分辨优异等特点,更适合作为β+‑γ符合正电子湮没寿命谱仪的正电子探测器的组分,有利于实现时间分辨的改善及非样品中湮没事例的区分。并且SiPM的价格远低于PMT,有利于降低谱仪的成本。

    一种β+-γ-γ符合正电子湮没寿命-动量关联谱仪

    公开(公告)号:CN119493144A

    公开(公告)日:2025-02-21

    申请号:CN202411478125.5

    申请日:2024-10-22

    Abstract: 本发明公开了一种β+‑γ‑γ符合正电子湮没寿命‑动量关联谱仪,属于核探测技术领域。所述谱仪包括正电子湮没寿命探测模块、正电子湮没γ光子能量探测模块、信号采集模块、控制与分析模块,其中,正电子湮没寿命探测模块用于获取AMOC谱中的寿命部分;正电子湮没γ光子能量探测模块用于通过探测正电子湮没产生的γ光子,获取AMOC谱中的动量部分;信号采集模块用于采集正电子湮没寿命探测模块和正电子湮没γ光子能量探测模块产生的信号;控制与分析模块用于控制信号采集模块并基于信号采集模块采集到的信号获取AMOC谱。本发明可以有效提高符合计数率,具有良好的符合时间分辨和极低的源成分,并且有利于降低谱仪的搭建成本。

    一种自动优化能窗的数字化正电子湮没寿命谱仪

    公开(公告)号:CN119126191A

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202411517953.5

    申请日:2024-10-29

    Abstract: 本发明提供一种自动优化能窗的数字化正电子湮没寿命谱仪,包括:能窗优化装置和数字化正电子湮没寿命测量装置;能窗优化装置用于自动获取最佳能窗阈值,使得数字化正电子湮没寿命测量装置在该能窗阈值下进行测量;数字化正电子湮没寿命测量装置用于在最佳能窗阈值下测量正电子的湮没寿命;通过能窗优化装置在设定的参数和算法下自动搜寻最佳能窗阈值,数字化正电子湮没寿命测量装置在该阈值下进行测量。本发明根据特定参数和算法自动搜寻最优能窗配置,而非以往通过人工经验进行手动选择调试,操作繁琐且存在人为误差,这使正电子湮没寿命测量实施更简洁、便捷与精确。

    一种用于测量薄膜样品的正电子湮没寿命谱仪

    公开(公告)号:CN113640852B

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202111096731.7

    申请日:2021-09-18

    Abstract: 本发明提出一种用于测量薄膜样品的正电子湮没寿命谱仪,包括反符合模块、伽马探测器、采集模块和数据处理模块,所述反符合模块、伽马探测器分别与采集模块相连,所述采集模块连接到数据处理模块;所述的伽马探测器由闪烁体和光电倍增器件组成;所述的反符合模块包括两片薄塑料闪烁体、光电倍增器件、待测薄膜样品和放射源;其中,两片薄塑料闪烁体将待测薄膜样品和放射源夹在中间。

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