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公开(公告)号：CN116930234A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310866482.8
申请日：2023-07-14
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: G01N23/2251 , G01T1/203 , G01T1/208 , G01T1/24
Abstract: 本发明涉及用于正电子湮没多普勒展宽测量的多普勒谱仪的技术领域，具体为一种用于微米级薄膜测试的数字化正电子湮没多普勒展宽谱仪及其测试方法。包括高纯锗探测器、放大器、反符合模块和数据采集处理模块，高纯锗探测器用于接收正负电子湮没产生的湮没光子并沉积能量；放大器对负指数核脉冲信号进行放大和高斯成型处理，得到高斯脉冲信号；高速数字示波器的一路采集反符合脉冲信号，另一路采集放大器的高斯脉冲信号；计算机得到高速数字示波器的双通道信号进行反符合逻辑判断，得到多普勒展宽谱并计算其S‑W参数，获得薄膜样品内缺陷信息。本发明采用反符合模块对湮没光子位置进行判断，实现了用于微米级薄膜测试的数字化反符合多普勒谱仪。
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公开(公告)号：CN119555713A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411766005.5
申请日：2024-12-04
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 本发明公开了一种低源成分正电子湮没寿命谱仪，涉及正电子湮没寿命谱学技术领域。所述谱仪中，符合模块用于探测正电子产生的伴随伽马光子作为起始信号，探测正电子在待测样品中湮没产生的伽马光子作为终止信号；所述反符合模块用于探测放射源衰变产生的正电子反符合信号；所述数据采集模块用于采集起始信号、终止信号、反符合信号，并传输到所述计算机数据处理模块；所述计算机数据处理模块用于接收并处理数据采集模块采集的信号数据，得到所述待测样品的正电子湮没寿命谱。本发明中的反符合模块可以很好地去除正电子在薄塑料闪烁体中湮没的信号，使得最终的正电子湮没寿命谱只含有所述待测样品的正电子湮没寿命信息。
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公开(公告)号：CN119493144A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411478125.5
申请日：2024-10-22
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: G01T1/36
Abstract: 本发明公开了一种β+‑γ‑γ符合正电子湮没寿命‑动量关联谱仪，属于核探测技术领域。所述谱仪包括正电子湮没寿命探测模块、正电子湮没γ光子能量探测模块、信号采集模块、控制与分析模块，其中，正电子湮没寿命探测模块用于获取AMOC谱中的寿命部分；正电子湮没γ光子能量探测模块用于通过探测正电子湮没产生的γ光子，获取AMOC谱中的动量部分；信号采集模块用于采集正电子湮没寿命探测模块和正电子湮没γ光子能量探测模块产生的信号；控制与分析模块用于控制信号采集模块并基于信号采集模块采集到的信号获取AMOC谱。本发明可以有效提高符合计数率，具有良好的符合时间分辨和极低的源成分，并且有利于降低谱仪的搭建成本。
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公开(公告)号：CN116448798A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310285340.2
申请日：2023-03-22
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明涉及正电子湮没寿命的技术领域，具体涉及一种正电子湮没寿命二维分布测量系统。本发明的一种正电子湮没寿命二维分布测量系统，包括反符合模块、第一探测模块、第二探测模块、位移模块、数据采集模块和数据处理模块；反符合模块可以使得正电子打在待测样品的区域大小和放射盲孔的孔口大小一致，可准确得到待测样品该区域的寿命信息，进而分析出待测样品该区域的缺陷信息，本发明的测量系统可以通过改变薄塑料闪烁体中放射盲孔的大小，控制正电子射入待测样品的区域大小，进而得到不同位置分辨下的正电子湮没寿命二维分布，经数据处理模块处理分析处理得到待测样品不同位置分辨下的缺陷分布。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118604035A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410852288.9
申请日：2024-06-28
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: G01N23/225 , G01T1/203 , G01T1/208 , G01T1/24
Abstract: 本发明公开了一种用于微米级薄膜测量的正电子湮没符合多普勒展宽谱仪，包括高纯锗探测器模块、反符合探测器模块、脉冲采集模块、以及数据处理模块；其中，高纯锗探测器模块，用于测量正电子湮没背对背发射的湮没伽马光子对的能量，进而得到两个湮没伽马光子的多普勒展宽；反符合探测器模块，用于确定正电子的湮没位置，实现微米薄膜样品的测量；脉冲采集模块，用于对来自高纯锗探测器模块和反符合探测器模块的脉冲进行采样；数据处理模块，用于对数字脉冲数据进行在线处理和逻辑判断。本发明具有多功能集成和重构特性，节省谱仪成本，通过数字化脉冲波形处理降低错误示例率，给谱仪带来更优秀的性能。
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公开(公告)号：CN118444362A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410607090.4
申请日：2024-05-16
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 本发明提出一种数字化β+‑γ符合正电子湮没寿命谱仪，其具有超高计数率的特点。所述谱仪包括起始信号探测器模块、终止信号探测器模块、信号采集模块、数据处理模块。其中，起始信号探测器模块和终止信号探测器模块与信号采集模块相连，信号采集模块与数据处理模块相连。本发明采用硅光电倍增管（SiPM）与闪烁体组合作为正电子探测器，采用光电倍增管（PMT）与闪烁体组合作为湮没辐射γ光子探测器。其中，SiPM具有光子探测效率高、结构紧凑、时间分辨优异等特点，更适合作为β+‑γ符合正电子湮没寿命谱仪的正电子探测器的组分，有利于实现时间分辨的改善及非样品中湮没事例的区分。并且SiPM的价格远低于PMT，有利于降低谱仪的成本。
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公开(公告)号：CN119619199A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411766098.1
申请日：2024-12-04
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 本发明公开了一种用于微米级薄膜测量的低源成分正电子湮没寿命谱仪，涉及正电子湮没寿命领域，所述谱仪中，正电子湮没寿命测量装置用于探测放射源衰变产生的伽马光子作为起始探测器信号，探测正电子在薄膜样品中发生湮没产生的伽马光子作为终止探测器信号；反符合装置用于探测正电子未在薄膜样品中湮没产生的反符合信号；所述正电子湮没寿命测量装置依据所述反符合信号对正电子在薄膜样品中发生湮没的事例的起始探测器信号和终止探测器信号进行时间上的符合判定，计算符合时间条件的起始探测器信号与终止探测器信号间的时间差，统计时间差，并绘制正电子湮没寿命谱。本发明大大减少了正电子湮没寿命谱中的源成分，实现了用简单的装置进行薄膜样品的测量。
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公开(公告)号：CN118090796A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410209382.2
申请日：2024-02-26
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: G01N23/2251 , G06N3/04 , G06N3/08 , G06F18/24 , G01T1/36
Abstract: 本发明公开了一种基于深度学习的正电子湮没多普勒展宽谱仪及其测试方法，包括伽马光子探测模块、数据采集模块、数据处理模块、深度神经网络训练模块、分类模块和数据分析模块。本发明利用深度神经网络，通过对预先分类的高纯锗探测器脉冲波形进行训练学习，从而对未知样本进行分类，可以有效甄别出畸变与堆积脉冲，使测量结果不易受到信号堆积，电子学抖动等因素的影响，大幅提升数字化正电子湮没多普勒展宽谱仪的测试结果准确性，提升谱仪性能，同时利用深度神经网络从原始数据中自动学习特征，减少人工干预的影响，具有较好泛化能力，从而提升脉冲甄别的能力。
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公开(公告)号：CN116448798B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202310285340.2
申请日：2023-03-22
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明涉及正电子湮没寿命的技术领域，具体涉及一种正电子湮没寿命二维分布测量系统。本发明的一种正电子湮没寿命二维分布测量系统，包括反符合模块、第一探测模块、第二探测模块、位移模块、数据采集模块和数据处理模块；反符合模块可以使得正电子打在待测样品的区域大小和放射盲孔的孔口大小一致，可准确得到待测样品该区域的寿命信息，进而分析出待测样品该区域的缺陷信息，本发明的测量系统可以通过改变薄塑料闪烁体中放射盲孔的大小，控制正电子射入待测样品的区域大小，进而得到不同位置分辨下的正电子湮没寿命二维分布，经数据处理模块处理分析处理得到待测样品不同位置分辨下的缺陷分布。
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