公开(公告)号：CN113178556A

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN202110442588.6

申请日：2021-04-23

Applicant: 中国科学技术大学

Inventor： 王昌达 ,  祝爽 ,  储旺盛 ,  宋礼

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/58 ,  H01G11/24 ,  H01G11/26 ,  H01G11/30 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种Mo2C@MoS2异质结及其制备方法和应用；该制备方法包括以下步骤：将Mo2Ga2C MAX前驱体与水混合，依次加入氯化铵、DMSO溶解，并去除溶解氧，然后进行水热反应；得到的反应混合物冷却后，洗涤至中性，再经干燥，得到Mo2C@MoS2异质结。本发明提供了一种原位刻蚀Mo2Ga2C制备Mo2C@MoS2异质结的方法，通过简单的一步水热反应刻蚀Mo2Ga2C的同时，在其表面生成均一的无定型MoS2；本发明提供的制备方法工艺简单，易于大批量生产，得到的产物界面结构均一，表面吸附基团少，活性位点丰富，可应用于二次离子电池、超级电容器、电催化等领域，且具有潜在商业应用价值。

公开(公告)号：CN113178556B

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202110442588.6

申请日：2021-04-23

Applicant: 中国科学技术大学

Inventor： 王昌达 ,  祝爽 ,  储旺盛 ,  宋礼

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/58 ,  H01G11/24 ,  H01G11/26 ,  H01G11/30 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种Mo2C@MoS2异质结及其制备方法和应用；该制备方法包括以下步骤：将Mo2Ga2C MAX前驱体与水混合，依次加入氯化铵、DMSO溶解，并去除溶解氧，然后进行水热反应；得到的反应混合物冷却后，洗涤至中性，再经干燥，得到Mo2C@MoS2异质结。本发明提供了一种原位刻蚀Mo2Ga2C制备Mo2C@MoS2异质结的方法，通过简单的一步水热反应刻蚀Mo2Ga2C的同时，在其表面生成均一的无定型MoS2；本发明提供的制备方法工艺简单，易于大批量生产，得到的产物界面结构均一，表面吸附基团少，活性位点丰富，可应用于二次离子电池、超级电容器、电催化等领域，且具有潜在商业应用价值。