一种用于芯片高K介质金属栅钌栅平坦化的抛光液及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN120041101A

    公开(公告)日:2025-05-27

    申请号:CN202510186127.5

    申请日:2025-02-20

    Abstract: 本发明涉及化学机械抛光技术领域,本发明公开了一种用于芯片高K介质金属栅钌栅平坦化的抛光液及其制备方法与应用,包含以下浓度组分:氧化铝磨粒0.05~0.2wt%;氧化剂0.05~0.2wt%;络合剂20~80mmol/L;去离子水;所述络合剂为DTPA(NH4)5复合型络合剂;本发明制备的抛光液能有效提高钌栅化学机械抛光过程中的去除速率,同时确保抛光后的钌栅表面具有纳米级的表面粗糙度和无缺陷特性,解决由于钌的高硬度,高化学惰性导致的抛光速率低的问题,实现钌栅的高质量表面加工。

    一种用于钴互连阻挡层钛的化学机械抛光液及化学机械抛光方法

    公开(公告)号:CN118791973A

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202410792194.7

    申请日:2024-06-19

    Abstract: 本发明公开了一种用于钴互连阻挡层钛的化学机械抛光液及化学机械抛光方法,所述化学机械抛光液由1‑10wt.%的磨料、0.5‑5wt.%的氧化剂、10‑150mmol/L的络合剂、pH调节剂以及余量的水组成,所述络合剂为柠檬酸或柠檬酸盐。本发明的化学机械抛光液选用合适的氧化剂、络合剂种类和浓度配比,在抛光液中化学物质的化学反应和磨粒的机械磨损协同作用下,提高金属钛的材料去除速率,并获得优质光滑的表面在钴互连阻挡层钛的CMP工艺中具有广阔的应用前景。

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