铌钨氧化物材料在制备热电池正极材料中的应用

    公开(公告)号:CN118335965A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202410442819.7

    申请日:2024-04-12

    Abstract: 本发明涉及热电池技术领域,具体来说是铌钨氧化物材料在制备热电池正极材料中的应用。本发明将电池级Nb2O5与纳米WO3混合后研磨,并经筛分后得到混合粉末;将混合粉末进行热处理,得到三种铌钨氧化物材料,分别为Nb12WO33、Nb14W3O44或Nb18W16O93。采用本发明的方法能够同时合成三种不同的铌钨氧化物,且制得的铌钨氧化物材料均具有Wadsley‑Roth相所特有的剪切状结构,内部形成3D的无限隧道,以供锂离子快速传输,三种铌钨氧化物材料热稳定高、不易溶于电解质且不吸水,均具有优异的电化学性能,首次被作为热电池正极材料进行应用。

    表面具有高导电结构缺陷的氟化碳及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118083956B

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202410508381.8

    申请日:2024-04-26

    Abstract: 本发明属于氟化碳材料技术领域,公开了表面具有高导电结构缺陷的氟化碳及其制备方法和应用。所述制备方法为:于惰性气氛中,将氟化碳和氮源混合后进行研磨处理,获得混合物;于惰性气氛中,将所述混合物于200~500℃下进行热处理,即获得表面具有高导电结构缺陷的氟化碳。本发明通过将氟化碳和氮源研磨后进行热处理,使氮源在热处理过程中分解产生气体,成功制备出表面高导电结构缺陷的氟化碳,降低了表面C‑F共价键和C‑F2\C‑F3非活性基团,形成了高导电石墨畴界面,引入适当的缺陷和氮掺杂,显著提升氟化碳的离子/电子导电性,降低锂/氟化碳一次电池的初始电压滞后性,提高放电电压平台。

    表面具有高导电结构缺陷的氟化碳及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118083956A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410508381.8

    申请日:2024-04-26

    Abstract: 本发明属于氟化碳材料技术领域,公开了表面具有高导电结构缺陷的氟化碳及其制备方法和应用。所述制备方法为:于惰性气氛中,将氟化碳和氮源混合后进行研磨处理,获得混合物;于惰性气氛中,将所述混合物于200~500℃下进行热处理,即获得表面具有高导电结构缺陷的氟化碳。本发明通过将氟化碳和氮源研磨后进行热处理,使氮源在热处理过程中分解产生气体,成功制备出表面高导电结构缺陷的氟化碳,降低了表面C‑F共价键和C‑F2\C‑F3非活性基团,形成了高导电石墨畴界面,引入适当的缺陷和氮掺杂,显著提升氟化碳的离子/电子导电性,降低锂/氟化碳一次电池的初始电压滞后性,提高放电电压平台。

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