公开(公告)号：CN118465443A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410438572.1

申请日：2024-04-12

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 刘艺萌 ,  方思杨 ,  安梦涵 ,  姜竺明 ,  王冰雁 ,  王路伽

IPC: G01R31/12 ,  G01N21/3563 ,  G01N23/2251 ,  G01N23/2273 ,  G01N25/20

Abstract: 本发明公开了一种计及霉菌染污的复合绝缘子性能研究方法，基于仿真和实验手段，对霉菌染污条件下复合绝缘子沿面闪络特性进行分析，结合微观表征和结构测试，开展扫描电子显微镜观测分析、傅里叶变换红外光谱法分析、X射线光电子谱分析以及差式扫描量热等分析，探究霉菌染污对复合绝缘子性能劣化的影响。设备污秽闪络的形成与污染物种类有密切关系，其中霉菌污染成为引起污秽闪络的主要污染源之一，但目前为止，对霉菌污秽对运行中的硅橡胶绝缘子的影响研究较少，本发明为探究霉菌染污对运行中的硅橡胶绝缘子的影响提供一种方法参考。