公开(公告)号：CN111555652A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010439352.2

申请日：2020-05-22

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 原熙博 ,  李炎 ,  张永磊 ,  张雷 ,  徐一埔 ,  叶飞 ,  李哲 ,  李耀华 ,  王子建

IPC: H02M7/5387 ,  H02M7/493 ,  H02M1/092 ,  H02M1/32 ,  H02M7/00 ,  H05K7/20

Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅MOSFET模块的大功率高功率密度变流器及结构，适用于电力电子技术领域。包括五台三相DC/AC变流器、直流汇流母排和交流汇流母排；五台三相DC/AC变流器顺序编号，五台三相DC/AC变流器的直流侧通过两根直流汇流母排与直流电源或电池连接；五台三相DC/AC变流器的交流侧通过三根交流汇流母排与三相电网或三相负载连接。其能够实现直流到交流、交流到直流的能量双向流动。系统整体结构依托碳化硅MOSFET的特性，可实现系统整体的高功率密度设计。