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公开(公告)号：CN117574755B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311407780.7
申请日：2023-10-27
Applicant: 中国石油大学(华东)
IPC: G06F30/27 , E21B43/26 , G06F30/23 , G06T17/00 , G06N3/126 , G06N20/00 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及一种页岩储层井工厂水平井压裂参数分层多级优化方法，包括以下步骤：获取构造、地质属性建模所需数据；通过补全修正的地震、测井解释成果；利用单井岩心及测井力学参数，耦合建立储层岩石力学物性场模型；利用数值模拟软件建立了井平台多井压裂模式下三维裂缝扩展模型；对参数运用敏感性分析方法进行主控因素分析；通过改进蒙特卡洛抽样方法扩大样本集；使用差分进化优化算法对代理模型使用优化算法。本发明提出多级优化方法将全区压裂优化问题分为子问题，内层优化结果带入外层优化为约束，建立页岩储层井工厂多元压裂施工参数的优化方法，为提升页岩储层水平井多井压裂作业效率提供一套科学经济有效的解决方案。
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公开(公告)号：CN117266844A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311320435.X
申请日：2023-10-12
Applicant: 中国石油大学(华东)
Abstract: 本发明公布了一种针对于缝洞体碳酸盐岩的重复暂堵酸压选井选层方法，包括以下步骤：步骤1，建立缝洞体碳酸盐岩基础评价集E，参数集P，构建重复暂堵酸压具体指标集I，形成缝洞体碳酸盐岩重复暂堵酸压选井评价数据库D和井史数据库H；步骤2，对井史数据库H进行标准化处理；步骤3，找出缝洞体碳酸盐岩区块已经压裂井的理想参数集Pi；步骤4，完成区块重复暂堵酸压选井；步骤5，构建待重复暂堵酸压井层位评价集e，参数集p；步骤6，建立单因素评价标准集T；步骤7，计算影响权重W；步骤8，计算其评分S=T*W。本发明能够表征多项参数对缝洞体碳酸盐岩重复暂堵酸压改造效果的影响，实现了重复暂堵酸压快速选井选层方法。
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公开(公告)号：CN116864570A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310833851.3
申请日：2023-07-07
Applicant: 山东能源集团有限公司 , 中国石油大学(华东) , 兖矿水煤浆气化及煤化工国家工程研究中心有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/06
Abstract: 本发明提供了无机金属卤化物SbX3在提高CsPbBr3钙钛矿太阳能电池的开路电压中的应用；所述X包括F、Cl、Br或I。本发明还提供了一种无机钝化制备具有高开路电压的CsPbBr3太阳能电池的方法。本发明采用无机的界面修饰材料SbX3对钙钛矿内的缺陷进行钝化，具有无机材料的稳定性，SbX3能弥补表面缺陷态，针对钙钛矿中的缺陷进行钝化，降低缺陷态密度，针对CsPbBr3/碳界面能级进行补偿，促进界面载流子提取与传输，减少界面能级势垒，而且与钙钛矿强键合释放钙钛矿薄膜内的残余应力，抑制晶格畸变，提高器件稳定性以及光伏性能。
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公开(公告)号：CN116779724A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310833812.3
申请日：2023-07-07
Applicant: 山东能源集团有限公司 , 中国石油大学(华东) , 兖矿水煤浆气化及煤化工国家工程研究中心有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种制备高开路电压的钙钛矿太阳能电池的方法，主要通过使用挥发性添加剂调控前驱体薄膜孔隙率，释放钙钛矿的残余应力，制备具有高开路电压的钙钛矿太阳能电池。其采用挥发性添加剂NH4Br对溴化铅薄膜孔隙率进行调节，减少PbBr2转变为CsPbBr3钙钛矿薄膜的残余应力，可将钙钛矿太阳能电池开路电压有效提高。经TiCl4处理后的SnO2在ETL/钙钛矿界面处设置中间能级，但PbBr2/DMF对处理后的ETL浸润性较差，制备的溴化铅薄膜孔隙率较高；本发明可调节该薄膜的孔隙率，实现钙钛矿晶粒生长过程中精确应力调控，抑制残余应力带来的晶格畸变，实现高效率器件载流子传输，提高钙钛矿薄膜的吸光强度。
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公开(公告)号：CN116598384A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310659715.7
申请日：2023-06-02
Applicant: 山东能源集团有限公司 , 中国石油大学(华东)
IPC: H01L31/18 , H01L31/04 , H01L31/032
Abstract: 本发明提供了一种高质量溴基钙钛矿薄膜的制备方法。与现有技术相比，本发明采用停留时间调节的两步法制备溴基钙钛矿薄膜，通过调节CsX′溶液的停留时间，调控了CsX′和PbX2的相互作用程度以及钙钛矿的形核结晶过程，从而调控了钙钛矿薄膜的缺陷和质量，减少了衍生相的产生，获得了高质量的钙钛矿薄膜；并且该方法制备工艺及设备简单、制备条件温和，能改善薄膜质量，优化薄膜相纯度，为利用简单的两步法制备CsPbBr3钙钛矿薄膜提供了新思路；再者将该方法制备的钙钛矿薄膜作为光吸收层组装成钙钛矿太阳能电池具有较高的效率，在高湿度、高温度的条件下具有优异的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112864325A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201911169820.2
申请日：2019-11-26
Applicant: 中国石油大学(华东)
Abstract: 本发明公开了一种利用多功能三苯胺分子钝化钙钛矿表面的方法。以N‑(4‑(N，N，N‑三苯基)苯乙基)溴化铵(TPA‑PEABr)作为表面钝化分子，可以将钙钛矿太阳能电池(PSCs)的效率从16.69％提高到18.15％，主要原因是修饰后的开路电压(Voc)由1.02V提高到1.09V。在引入TPA‑PEABr之后，缺陷态密度降低，TPA‑PEABr的轨道能级和空穴传输层的能级更加匹配。此外，由于TPA‑PEABr的疏水性，经TPA‑PEABr钝化的PSCs的稳定性有了很大的提高。因此,通过简单的旋涂过程将多功能TPA‑PEABr分子插入钙钛矿层与空穴传输层之间，得到具有低缺陷密度，能级更加匹配，稳定性更好的PSCs。本发明为设计表面钝化分子提出了新思路。
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公开(公告)号：CN117313472B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202311274805.0
申请日：2023-09-28
Applicant: 中国石油大学(华东)
IPC: G06F30/23 , G06F30/27 , G06F30/28 , G01V1/40 , G06F119/14 , G06F113/08
Abstract: 本发明公开了一种缝洞体碳酸盐岩储层的重复压裂参数优化设计方法，其技术方案是：包括以下步骤：建立包含缝洞体的碳酸盐岩储层三维地质模型；进行缝洞体碳酸盐岩储层三维地质力学建模；形成缝洞体碳酸盐岩储层初始三维地应力场；开展压裂裂缝流动一体化模拟，反演得到初压裂缝形态和不同时刻的压力场分布特征；建立缝洞体碳酸盐岩储层四维动态地应力模型；开展缝洞体碳酸盐岩储层重复压裂数值模拟和产量预测；进行缝洞体碳酸盐岩压裂参数优化；有益效果是：能够实现对缝洞体碳酸盐岩储层四维应力场的准确刻画，同时模拟实现产量计算，得到重复压裂最优的裂缝参数，提升模拟的效率，可以有效提高缝洞体碳酸盐岩储层的油气采出程度。
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公开(公告)号：CN112864325B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201911169820.2
申请日：2019-11-26
Applicant: 中国石油大学(华东)
Abstract: 本发明公开了一种利用多功能三苯胺分子钝化钙钛矿表面的方法。以N‑(4‑(N，N，N‑三苯基)苯乙基)溴化铵(TPA‑PEABr)作为表面钝化分子，可以将钙钛矿太阳能电池(PSCs)的效率从16.69％提高到18.15％，主要原因是修饰后的开路电压(Voc)由1.02V提高到1.09V。在引入TPA‑PEABr之后，缺陷态密度降低，TPA‑PEABr的轨道能级和空穴传输层的能级更加匹配。此外，由于TPA‑PEABr的疏水性，经TPA‑PEABr钝化的PSCs的稳定性有了很大的提高。因此,通过简单的旋涂过程将多功能TPA‑PEABr分子插入钙钛矿层与空穴传输层之间，得到具有低缺陷密度，能级更加匹配，稳定性更好的PSCs。本发明为设计表面钝化分子提出了新思路。
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公开(公告)号：CN116916668A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310863603.3
申请日：2023-07-13
Applicant: 山东能源集团有限公司 , 中国石油大学(华东) , 兖矿水煤浆气化及煤化工国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Spiro‑OHTAD分子多位点钝化的钙钛矿薄膜及其应用，属于有机‑无机杂化钙钛矿太阳能电池的开发与利用技术领域。所述Spiro‑OHTAD分子多位点钝化的钙钛矿薄膜包括钙钛矿薄膜层和覆盖在钙钛矿薄膜层表面的Spiro‑OHTAD修饰层。本发明通过钝化分子Spiro‑OHTAD中的羟基同时与钙钛矿薄膜中的多种缺陷(Pb2+、FA+、MA+、I‑、Br‑)相互作用，实现了单官能团多位点钝化的目的，并且Spiro‑OHTAD能够优化钙钛矿层与空穴传输层之间的能级，减少能量损失，从而在提高PSCs的光电转换效率的同时提高钙钛矿器件稳定性。所述Spiro‑OHTAD分子多位点钝化的钙钛矿薄膜的制备方法简单、条件温和，可适用于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN118919589A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410996909.0
申请日：2024-07-24
Applicant: 中国石油大学(华东)
IPC: H01L31/048 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种将醋酸铯(CsAc)作为修饰剂调控全无机CsPbBr3钙钛矿薄膜晶体生长的方法。通过预埋CsAc牺牲层修饰底界面，使CsPbBr3薄膜上由于膨胀产生的裂纹消失，晶粒大且均匀，缺陷态明显减少。引入CsAc后ETL的电子迁移率由6.19×10‑4提高至9.52×10‑4cm2V‑1s‑1,提高了53％，且修饰后的器件缺陷态密度由1.448×1017降低到6.725×1016cm‑3，减少了50％，最后基于CsAc中间层的CsPbBr3PSC获得了10.07％的PCE。主要原因是一定浓度的CsAc溶液旋涂在SnO2上，通过两步法制备CsPbBr3薄膜时，CsAc中的Cs+首先与PbBr2反应，在底界面预先生成一部分CsPb2Br5，而后CsPb2Br5又与CsBr溶液反应，进一步生成纯相CsPbBr3，由此改善了薄膜的结晶过程，使晶粒更大且分布均匀，薄膜质量增强。受益于CsAc基钙钛矿薄膜埋底界面的增强，相应PSC光伏参数都得到了显著改善。
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