公开(公告)号：CN118919589A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410996909.0

申请日：2024-07-24

Applicant: 中国石油大学(华东)

Inventor： 殷宇霞 ,  张腾 ,  宋辰灏 ,  彭立安 ,  陈渝鑫 ,  张军

IPC: H01L31/048 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种将醋酸铯(CsAc)作为修饰剂调控全无机CsPbBr3钙钛矿薄膜晶体生长的方法。通过预埋CsAc牺牲层修饰底界面，使CsPbBr3薄膜上由于膨胀产生的裂纹消失，晶粒大且均匀，缺陷态明显减少。引入CsAc后ETL的电子迁移率由6.19×10‑4提高至9.52×10‑4cm2V‑1s‑1,提高了53％，且修饰后的器件缺陷态密度由1.448×1017降低到6.725×1016cm‑3，减少了50％，最后基于CsAc中间层的CsPbBr3PSC获得了10.07％的PCE。主要原因是一定浓度的CsAc溶液旋涂在SnO2上，通过两步法制备CsPbBr3薄膜时，CsAc中的Cs+首先与PbBr2反应，在底界面预先生成一部分CsPb2Br5，而后CsPb2Br5又与CsBr溶液反应，进一步生成纯相CsPbBr3，由此改善了薄膜的结晶过程，使晶粒更大且分布均匀，薄膜质量增强。受益于CsAc基钙钛矿薄膜埋底界面的增强，相应PSC光伏参数都得到了显著改善。