公开(公告)号：CN108470823B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201810327626.1

申请日：2018-04-12

Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所

Inventor： 孙权 ,  张旭 ,  覃双 ,  崔洪亮 ,  刘兴宇 ,  徐兴烨 ,  邵志强 ,  张鹏

IPC: H01L41/047 ,  H01L41/29

Abstract: 一种用于高分子薄膜的高压电极化系统，本发明属于高分子压电材料有序取向领域，具体涉及一种用于高分子薄膜的高压电极化系统。本发明有效保证待极化样品极化后β向晶体方向性一致性均匀分布、样品极化区域形态多样化、且避免单点电晕极化存在的单一场强过大使得样品被击穿导致成品率下降，从而有效提高了极化的成品率。该极化系统由高压极化电源、高压电极、极化电场组件、薄膜极化组件和加热装置组成；所述极化电场组件由极化平板上电极和极化平板下电极组成；所述薄膜极化组件由主极化硅片和底板极化硅片组成。本发明用于生产高分子极化薄膜。

公开(公告)号：CN109282941A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201811399260.5

申请日：2018-11-22

Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所

Inventor： 孙权 ,  覃双 ,  张旭 ,  陈宝成 ,  刘兴宇 ,  徐兴烨 ,  刘志远 ,  姜晓龙

IPC: G01L27/00

Abstract: 一种基于整体式霍普金森杆PVDF传感器的冲击测试系统，本发明属于PVDF传感器测试标定技术领域，具体涉及一种基于整体式霍普金森杆PVDF传感器的冲击测试系统。本发明是为了解决现有采用分离式霍普金森杆每个冲击脉冲仅能标定一个PVDF传感器，如多传感器同时标定会出现冲击脉冲信号叠加不均匀现象以及标定量程短的问题。一种基于整体式霍普金森杆PVDF传感器的冲击测试系统由整体式霍普金森杆、PVDF传感器测试组件、信号采集系统组成；所述整体式霍普金森杆为一体式结构；PVDF传感器测试组件通过螺纹固定于整体式霍普金森杆的待测样品处；本发明结构简单，可以实现多批次PVDF样品同时标定。

公开(公告)号：CN108470823A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201810327626.1

申请日：2018-04-12

Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所

Inventor： 孙权 ,  张旭 ,  覃双 ,  崔洪亮 ,  刘兴宇 ,  徐兴烨 ,  邵志强 ,  张鹏

IPC: H01L41/047 ,  H01L41/29

Abstract: 一种用于高分子薄膜的高压电极化系统，本发明属于高分子压电材料有序取向领域，具体涉及一种用于高分子薄膜的高压电极化系统。本发明有效保证待极化样品极化后β向晶体方向性一致性均匀分布、样品极化区域形态多样化、且避免单点电晕极化存在的单一场强过大使得样品被击穿导致成品率下降，从而有效提高了极化的成品率。该极化系统由高压极化电源、高压电极、极化电场组件、薄膜极化组件和加热装置组成；所述极化电场组件由极化平板上电极和极化平板下电极组成；所述薄膜极化组件由主极化硅片和底板极化硅片组成。本发明用于生产高分子极化薄膜。