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公开(公告)号：CN116253284A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211658717.6
申请日：2022-12-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
Abstract: 晶圆级封装的热式MEMS流量传感器芯片及其制作方法，涉及传感器技术领域。本发明是为了解决现有热式MEMS流量传感器替换性差、测量精度差的问题。本发明所述的晶圆级封装的热式MEMS流量传感器芯片，芯片表面通过晶圆级键合工艺设有通道构件，所述通道构件与芯片的电阻之间构成气流通道。采用MEMS工艺制作气流通道，并且采用先进的MEMS晶圆级键合工艺将气流通道整体安装于芯片上，将气流通道的截面加工误差和安装误差从毫米级降低至微米级。
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公开(公告)号：CN113156059B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202110424020.1
申请日：2021-04-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所 , 哈尔滨工业大学
IPC: G01N33/00
Abstract: 一种管状结构纳米锰氧化物材料的制备方法，本发明涉及一种管状结构纳米锰氧化物材料的制备方法。本发明以碳纤维和高猛酸钾为主要原料，将碳纤维与高猛酸钾放入硫酸溶液中，采用水浴反应法在碳纤维表面反应沉积不同质量锰氧化物，通过沉积锰氧化物的碳纤维煅烧去除制得了管状结构纳米锰氧化物材料。该方法具有工艺流程简单、重复性高、环境友好等特点。基于该材料的气体传感器具有灵敏度高、室温工作等特点，在气体传感器领域具有广泛的应用价值。本发明应用于气体传感器、催化降解、能量储存、生物传感器、药物传递的领域。
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公开(公告)号：CN114288879A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111646604.X
申请日：2021-12-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
Abstract: 一种气体分离膜及其制备方法和应用，本发明属于气体传感检测技术领域。本发明要解决现有三维结构的MOFs/聚合物膜表面粗糙，气体分离性能及气体选择性较低的问题。方法：一、二维CuBDC‑NH2的制备；二、聚氨酯低聚物的制备；三、二维CuBDC‑NH2/聚氨酯气体分离膜的制备。本发明用于气体分离膜及其制备方法和应用。
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公开(公告)号：CN112557264A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011320563.0
申请日：2020-11-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
Abstract: 一种高温金属屑传感器敏感芯体及其制备方法，属于传感器制造技术领域，本发明为解决现有技术无法解决高温环境下发动机滑油中微米级金属屑颗粒在线监测的问题。它包括一组感应线圈和两个激励线圈；所述两个激励线圈分立在感应线圈的两侧，激励线圈和感应线圈之间填充隔离陶瓷，其中一个激励线圈的外侧设置转接陶瓷板；两个激励线圈差动连接；金属屑能够使感应线圈的输出电压产生变化，电压的幅值变化和频率变化能够判断金属屑的颗粒大小和材料属性。本发明用于对高温环境下的滑油管道金属屑进行实时监测。
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公开(公告)号：CN112268632A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011121722.4
申请日：2020-10-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
Abstract: 一种温度系数可调的耐1000℃高温金属薄膜热电阻及其制备方法，本发明属于温度传感器技术领域，具体涉及一种高温金属薄膜热电阻及其制备方法。本发明的目的是为了解决现有Pt膜热电阻在1000℃高温环境下Pt膜结构稳定性差、高温环境Pt膜表面防护弱、温度系数难以调控和高温引线连接可靠性低的问题。一种温度系数可调的耐1000℃高温金属薄膜热电阻包括耐高温基底层、高稳定感温层、耐高温防护层和高可靠引线防护层，且集成一体。方法：清洗陶瓷片；二、制备高稳定感温层；三、制备耐高温防护层；四、引线焊接；五、制备高可靠引线防护层。本发明通过三层的感温膜防护技术，实现高温环境下稳定测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112002800A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010910500.4
申请日：2020-09-02
Applicant: 哈尔滨工程大学 , 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC: H01L41/257 , H01L41/29 , H01L41/33 , H01L41/333 , H01L41/338 , H01L41/45
Abstract: 一种复合压电驻极体材料的制备方法，涉及一种制备方法。本发明解决了现有压电驻极体相对于压电陶瓷等压电材料压电系数低、力学性能差而使其在柔性传感器的应用领域受到限制的问题。本发明的步骤一：制备聚丙烯压电薄膜；先将聚丙烯熔融，然后与石墨烯粉末混合均匀，得到混合均匀的熔体；所述聚丙烯与石墨烯的质量比为1:0～0.025；将所述混合均匀的熔体注射到模具中，混合均匀的熔体注射完毕后，将模具在一定温度下保存一段时间，接着卸压冷却定型，得到具有孔洞结构的可用于压电材料的聚丙烯压电薄膜；步骤二：对聚丙烯压电薄膜进行一次膨化处理；步骤三：对聚丙烯压电薄膜进行二次膨化处理。本发明用于压电驻极体材料的制备。
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公开(公告)号：CN109883603B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201910190483.9
申请日：2019-03-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01L9/08
Abstract: 一种基于SOI的硅微谐振式压力敏感芯片谐振器，涉及一种谐振器。本发明解决了现有的谐振器存在复合压力敏感膜的同振质量影响谐振器现象的问题。当静电激励的驱动频率与谐振单元的固有频率耦合时，发生谐振现象，谐振单元的振幅变化明显，谐振单元的一阶振型为沿平行于长方形短边方向的同向振动，二阶振型为沿平行于长方形短边方向的相向振动，该振型为所需的测试振型。当固定于锚块的复合压力敏感模型收到测试介质的压力时，该谐振器的固有频率发生变化，但其二阶振型不发生变化，因此避免了复合压力敏感膜片同振质量的影响，产品精度得到很大程度的提高。本发明用于压力敏感测试。
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公开(公告)号：CN111780653A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010526219.0
申请日：2020-06-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
Abstract: 基于碳膜纳米导电材料的电阻体及其制备方法，属于传感器制备技术领域，本发明为解决现有导电塑料电位式位移传感器耐磨性差、进而导致传感器可靠性差的问题。本发明本发明所述基于碳膜纳米导电材料的电阻体包括衬底陶瓷、电阻薄膜、金属焊盘和信号引出孔；衬底陶瓷为圆环状结构，在衬底陶瓷圆环的内侧上表面印刷有带开口的金属焊盘，金属焊盘开口处的衬底陶瓷上设置有信号引出孔，衬底陶瓷外表面上制备有电阻薄膜；所述电阻薄膜是基于碳-康铜双靶共溅射法制备的碳膜纳米导电材料。本发明用于电阻体制备。
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公开(公告)号：CN106930750B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201710289069.4
申请日：2017-04-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC: E21B47/008 , E21B47/12
Abstract: 为了解决现有的数据采集装置传输时受干扰的问题，本发明提供一种潜油电泵井下数据采集装置。包括井上数据接收系统和井下数据发送系统；井上数据接收系统通过井上三相电抗器和三相动力电缆与井下数据发送系统连接，通过井上电力载波模块与井下数据发送系统交换数据；井下数据发送系统通过井下电力载波模块与传感器接口模块交换数据，并通过潜油电泵电机绕组与井上数据接收系统交换数据。本发明的电力载波模块以潜油电泵的供电线为载体，通过电力线载波通讯，结合扩频技术，在同一变压器下对传感器信号实现变频，将信号频谱搬移到多个频段，再将信号通过耦合电容耦合到电力线上的方法实现数据传输。
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公开(公告)号：CN110879627A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201911340023.6
申请日：2019-12-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种具有电流输出能力的带隙基准电压的拓扑结构，涉及带隙电压输出领域。本发明是为了解决现有带隙基准电压在驱动电阻或电流形式负载时，需要在带隙基准和负载间串入缓冲器，不但结构形式复杂，而且缓冲器还会引入额外的失调和噪声，影响带隙基准电压输出精度的问题。电流镜像电路检测带隙基准电压，并将该电压转化为电流，反馈给具有不平衡输入级的电流输入放大器；正温度系数电流产生电路产生正温度系数电流；具有不平衡输入级的电流输入放大器接收反馈电流和正温度系数电流，对两路电流做差并放大，生成放大后的控制电压；NMOS功率管M0根据控制电压调整NMOS功率管M0的驱动电流，维持带隙基准电压稳定输出。用于稳定带隙基准电压。
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