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公开(公告)号：CN115208322A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210809232.6
申请日：2022-07-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种集成本振源的太赫兹混频器，属于太赫兹射频技术领域，其包括：磷化铟InP基板电路、金属腔体、射频波导以及减高波导，InP基板电路上依次设有射频接地结构、射频探针过渡结构、射频匹配结构、反向并联共振隧穿二极管对、本振匹配结构、本振低通滤波结构、本振双工结构、基于共振隧穿二极管本振源结构、中频低通滤波器结构；非线性器件采用单片集成的反向并联共振隧穿二极管实现，位于射频匹配结构与本振匹配结构之间；本振源采用基于共振隧穿二极管实现，通过本振双工结构馈入反向并联二极管。本发明采用全单片集成的方式实现，共振隧穿二极管为混频器提供本振信号，减小了体积，降低了复杂性，改善了变频损耗，提高了器件的稳定性。
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