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公开(公告)号：CN117134741B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311259844.3
申请日：2023-09-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: H03H11/16
Abstract: 本发明公开一种幅度相位一体化调控高低通网络电路及控制方法，电路包括高低通网络移相单元电路和幅度调制单元子电路，所述高低通网络移相单元电路包括高通网络子电路和低通网络子电路，所述高通网络子电路一端经相位调控开关管M1、M3接入所述低通网络子电路的一端，所述高通网络子电路的另一端经相位调控开关管M2、M4接入所述低通网络子电路的另一端，M1的体端及M2的体端各自经一路幅度调制单元子电路后连接，M3的体端和M4的体端各自经一路幅度调制单元子电路后连接；每路所述幅度调制单元子电路包括并联连接的幅度调控开关管和电阻；本发明实现了在同一个单元结构中同时实现幅度与相位的高精度调控。
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公开(公告)号：CN118282436A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410499641.X
申请日：2024-04-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明提供了一种高集成幅度可调双向宽带匹配系统，涉及收发电路系统技术领域。所述匹配系统利用“8”字形布线和层叠布线，在一个线圈尺寸范围内实现接收匹配、接收信号幅度控制、发射匹配、发射信号幅度控制四种功能，接受匹配变压器与发射匹配变压器空间共用，相比于传统结构，尺寸缩小60％以上，具有高集成度，能够收发双向匹配，收发双向信号幅度独立可调互不干扰的特点。
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公开(公告)号：CN114665908A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210281221.5
申请日：2022-03-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明公开了一种幅相精度可调节的衰减移相架构，属于芯片电路设计技术领域，包括有源数控衰减器、有源数控移相器、可查表码值寄存器。本发明在外部系统要求6位衰减6位移相的背景下，直接衰减位数和移相位数分别增加到9位，使得幅相精度进一步提升成为了可能；此外基于本架构，在系统复杂度和上电可查表码值寄存器写入数据时间允许的条件下，9位直接控制位仍可进一步增加；并随着直接控制位的增加，相应的衰减、移相位也从原来的各64位分别增加到512位，在外部6位控制位不变的条件下，每一个衰减态、移相态可从多个状态中选择；对于系统不同衰减移相精度的指标要求，可将不同的码值写入可查表码值寄存器实现幅相多功能芯片在片调节优化。
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公开(公告)号：CN118868859A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410916537.6
申请日：2024-07-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 一种用于提升矢量合成移相器幅相精度的电路结构属于芯片电路设计技术领域，解决象限交汇处相位变化大导致移相精度受限及由于跨导随偏置电流的平方根非线性变化所导致幅度波动大的问题，正交信号发生器用于产生相位相差90°，幅度相等的正交信号；DAC单元用于产生随控制变化的偏置电位，调节Gilbert单元尾电流，进而实现正交信号幅度控制，合成期望相位；电流校准电路用于对相位精度和幅度波动进行校准；本发明可用于相控阵系统中，通过对高精度移相和低寄生调幅的移相器设计来实现空间目标高精度扫描和低旁瓣干扰；本发明基于矢量合成移相器结构，创新的提出采用电流校准电路，从而提升矢量合成移相器幅相精度提升。
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公开(公告)号：CN117134741A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311259844.3
申请日：2023-09-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: H03H11/16
Abstract: 本发明公开一种幅度相位一体化调控高低通网络电路及控制方法，电路包括高低通网络移相单元电路和幅度调制单元子电路，所述高低通网络移相单元电路包括高通网络子电路和低通网络子电路，所述高通网络子电路一端经相位调控开关管M1、M3接入所述低通网络子电路的一端，所述高通网络子电路的另一端经相位调控开关管M2、M4接入所述低通网络子电路的另一端，M1的体端及M2的体端各自经一路幅度调制单元子电路后连接，M3的体端和M4的体端各自经一路幅度调制单元子电路后连接；每路所述幅度调制单元子电路包括并联连接的幅度调控开关管和电阻；本发明实现了在同一个单元结构中同时实现幅度与相位的高精度调控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114584090A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210281186.7
申请日：2022-03-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明公开了一种宽增益调节范围的可变增益放大器电路结构，属于可变增益放大器技术领域，包括三级宽带匹配变压器、两级数控可变增益放大器，信号先经第一级变压器的初级线圈耦合到次级线圈，再经第一级有源数控可变增益放大器由第二级变压器的初级线圈耦合到次级线圈。本发明采用两级有源数控可变增益放大器级联的形式，每级采用6位加权放大基础单元并联电路结构，能够实现宽增益调节范围；通过变压器实现输入、输出、级间匹配，进而设计实现宽带可变增益放大器电路结构；每级有源数控可变增益放大器采用大增益基础放大器并联的形式，使得在不同增益状态下实现低相位偏移。
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公开(公告)号：CN117176106A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311266978.8
申请日：2023-09-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明提供一种基于电阻衰减网络的幅度相位一体化调控电路，涉及调控电路技术领域。本发明提供一种基于电阻衰减网络的幅度相位一体化调控电路，该电路包括相位调控网络和对称的电阻衰减网络，其中相位调控网络包括相位调控开关管和相位调控电容，所述相位调控开关管的控制端连接控制信号，其他两个连接端分别接地、连接相位调控电容的第一端；所述相位调控电容第二端连接在电阻衰减网络的对称位置连接端。相比于现有的通过级联的幅相控制系统，本发明仅增加相位调控开关管与电容元件，可在衰减单元尺寸保持不变的情况下额外实现相位调控功能，同时，一体化设置，避免了电路插损，提升了电路效率。
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公开(公告)号：CN116886211A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310981877.2
申请日：2023-08-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明公开了一种正交信号幅相自校准系统，属于芯片电路设计技术领域，包括由至少5位控制码控制的调幅电路、由至少5位控制码控制的调相电路、相位补偿电路、用于检测不同控制码状态下的幅度的功率检测电路、比较器、锁存寄存器、用于在时钟CLK信号作用下切换控制码值的状态机，其中，调幅电路包括调幅电路I和调幅电路Q，调相电路包括调相电路I和调相电路Q，相位补偿电路包括相位补偿电路I和相位补偿电路Q，功率检测电路包括第一至第四功率检测模块，比较器包括第一比较器、第二比较器，状态机包括第一状态机、第二状态机。本发明能够显著提高正交信号的相位正交性和幅度一致性。
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公开(公告)号：CN114665908B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202210281221.5
申请日：2022-03-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明公开了一种幅相精度可调节的衰减移相系统，属于芯片电路设计技术领域，包括有源数控衰减器、有源数控移相器、可查表码值寄存器。本发明在外部系统要求6位衰减6位移相的背景下，直接衰减位数和移相位数分别增加到9位，使得幅相精度进一步提升成为了可能；此外基于本架构，在系统复杂度和上电可查表码值寄存器写入数据时间允许的条件下，9位直接控制位仍可进一步增加；并随着直接控制位的增加，相应的衰减、移相位也从原来的各64位分别增加到512位，在外部6位控制位不变的条件下，每一个衰减态、移相态可从多个状态中选择；对于系统不同衰减移相精度的指标要求，可将不同的码值写入可查表码值寄存器实现幅相多功能芯片在片调节优化。
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公开(公告)号：CN118413195B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202410499644.3
申请日：2024-04-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明提供了一种高集成高线性度低噪声放大电路，涉及放大电路技术领域。所述放大电路通过差分架构一体化匹配，将输入匹配变压器、输出匹配变压器和源简并电感高度集成，具备输入匹配、输出匹配和高线性度低噪声放大功能的同时大幅度提升了放大电路的集成度，实现了进一步的低成本设计。
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