公开(公告)号：CN112461844B

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202011312737.9

申请日：2020-11-20

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 赖灿雄 ,  阮泳嘉 ,  陈选龙 ,  杨少华 ,  李树旺 ,  廖文渊 ,  黄云 ,  路国光

IPC: G01N21/88 ,  G01N25/72 ,  G01N23/2255

Abstract: 本发明涉及电子元器件失效分析技术领域，公开了一种电子元器件瑕疵定位方法及存储介质，包括通过第一成像技术获取电子元器件的第一瑕疵图像；根据第一瑕疵图像在瑕疵点所在区域刻蚀出标志点；通过第一成像技术对瑕疵点所在区域进行成像，获取电子元器件的第二瑕疵图像；根据第二瑕疵图像获取瑕疵点与标志点间的相对位置信息；通过第二成像技术对标志点进行成像，获取标志点的位置信息；根据相对位置信息以及标志点的位置信息确定瑕疵点的位置信息；根据瑕疵点的位置信息，通过第二成像技术对瑕疵点进行刻蚀，获取电子元器件的瑕疵点剖面形貌。本发明可以实现对表面具有明显损伤或表面无损伤形貌的电子元器件内部的瑕疵进行定位，且定位精度高。

公开(公告)号：CN112461844A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011312737.9

申请日：2020-11-20

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 赖灿雄 ,  阮泳嘉 ,  陈选龙 ,  杨少华 ,  李树旺 ,  廖文渊 ,  黄云 ,  路国光

IPC: G01N21/88 ,  G01N25/72 ,  G01N23/2255

Abstract: 本发明涉及电子元器件失效分析技术领域，公开了一种电子元器件瑕疵定位方法及存储介质，包括通过第一成像技术获取电子元器件的第一瑕疵图像；根据第一瑕疵图像在瑕疵点所在区域刻蚀出标志点；通过第一成像技术对瑕疵点所在区域进行成像，获取电子元器件的第二瑕疵图像；根据第二瑕疵图像获取瑕疵点与标志点间的相对位置信息；通过第二成像技术对标志点进行成像，获取标志点的位置信息；根据相对位置信息以及标志点的位置信息确定瑕疵点的位置信息；根据瑕疵点的位置信息，通过第二成像技术对瑕疵点进行刻蚀，获取电子元器件的瑕疵点剖面形貌。本发明可以实现对表面具有明显损伤或表面无损伤形貌的电子元器件内部的瑕疵进行定位，且定位精度高。