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公开(公告)号:CN113611853A
公开(公告)日:2021-11-05
申请号:CN202110531898.5
申请日:2021-05-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01M4/58 , B82Y30/00 , C01G23/00 , H01M4/62 , H01M10/054
Abstract: 二维钛基纳米材料及其制备方法与其储镁应用,本发明提供了一种二维纳米材料,所述二维纳米材料由钛酸钠组成,晶面间距为0.85nm。这独特的形貌能够充分暴露钛酸钠材料的活性晶面,缩短镁离子传输路径,加强材料的离子导电性,从而提高其电化学动力学性能;同时,该二维纳米材料应用于电极材料时能够通过贯穿的钛酸钠和金属钛界面进行电子传输,提高材料的电子传输效率,进而增强整个电极的电子导电性。此外,该二维纳米材料还表现出优异的储镁性能。
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公开(公告)号:CN113611853B
公开(公告)日:2023-02-03
申请号:CN202110531898.5
申请日:2021-05-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01M4/58 , B82Y30/00 , C01G23/00 , H01M4/62 , H01M10/054
Abstract: 二维钛基纳米材料及其制备方法与其储镁应用,本发明提供了一种二维纳米材料,所述二维纳米材料由钛酸钠组成,晶面间距为0.85nm。这独特的形貌能够充分暴露钛酸钠材料的活性晶面,缩短镁离子传输路径,加强材料的离子导电性,从而提高其电化学动力学性能;同时,该二维纳米材料应用于电极材料时能够通过贯穿的钛酸钠和金属钛界面进行电子传输,提高材料的电子传输效率,进而增强整个电极的电子导电性。此外,该二维纳米材料还表现出优异的储镁性能。
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