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公开(公告)号：CN109297627A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811250428.6
申请日：2018-10-25
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
CPC classification number: G01L5/0047 , G01N1/28
Abstract: 本申请涉及一种TSV成品界面残余应力测试方法及界面梁结构试样制作方法。TSV成品界面残余应力测试方法包括：获取悬臂梁结构试样的长度和第一翘曲量；悬臂梁结构试样为截断界面梁结构试样得到；获取在悬臂梁结构试样的固定端上去除预设尺寸的材料层时、悬臂梁结构试样的第二翘曲量；根据悬臂梁结构试样的长度、第一翘曲量、第二翘曲量和预设尺寸，得到对应材料层的残余应力，从而本申请TSV成品界面残余应力测试方法通过在取自TSV成品的悬臂梁结构试样上去除不同尺寸的材料层后所产生对应的翘曲量，来实现准确测量界面梁结构试样不同位置的残余应力，准确地测量TSV成品的不同位置的残余应力，进而为改进TSV成品的TSV工艺，提高良率和可靠性提供良好支持。
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公开(公告)号：CN109743857A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910011059.3
申请日：2019-01-07
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H05K5/00
Abstract: 本发明涉及一种抗振电子元器件封装结构，包括管壳基座及密封盖板，所述管壳基座内设有封装腔体，所述管壳基座上设有与所述封装腔体连通的安装口，所述密封盖板覆盖所述安装口，所述管壳基座面向所述密封盖板的一侧设有用于防应力集中的凹槽，所述密封盖板面向所述管壳基座的一侧上设有用于防应力集中的凸块，所述凸块位于所述凹槽内并与所述凹槽密封配合，所述密封盖板面向所述管壳基座的一侧与所述管壳基座面向所述密封盖板的一侧焊接。上述抗振电子元器件封装结构，有利于降低焊接界面出现拉脱失效现象的几率，避免焊接界面开裂从而保证电子元器件的气密性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109342914B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201811275513.8
申请日：2018-10-23
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种IGBT结温监控方法、装置及计算机设备，其中，IGBT结温监控方法包括以下步骤：获取与待测IGBT器件的集电极电流对应的饱和导通压降；集电极电流为加热大电流或恒定小电流；基于结温和饱和导通压降拟合曲面，获取对应饱和导通压降的当前结温；在当前结温小于设定结温时，增大输入待测IGBT器件的集电极的加热大电流；在当前结温大于设定结温，且未到达预设加热工作时间时，减小输入待测IGBT器件的集电极的加热大电流；在当前结温大于设定结温，且到达预设加热工作时间时，向待测IGBT器件的集电极输入恒定小电流，并冷却待测IGBT器件。本发明实施例能够实现对待测IGBT器件结温的实时监控，提高了IGBT结温监控精度，以及提高了IGBT结温监控可靠性。
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公开(公告)号：CN110600390B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201910703529.2
申请日：2019-07-31
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L21/66
Abstract: 本申请涉及一种TSV结构电击穿寿命测试方法、装置、系统和控制设备；所述方法包括在第一个温度循环周期内，通过信号采集设备采集待测TSV矩阵晶圆样品在初始电压下的初始漏电流；第一个温度循环周期为控制温度调节设备调节待测TSV矩阵晶圆样品的测试环境温度循环变化的第一个周期；在初始漏电流小于或等于预设值时，控制电源设备以初始电压为起点逐渐增大施加在待测TSV矩阵晶圆样品上的电压，并通过信号采集设备实时采集待测TSV矩阵晶圆样品的当前漏电流；在当前漏电流满足失效判据时，获取电源设备调节电压的总时长，并将总时长确认为待测TSV矩阵晶圆样品的失效时间，实现高效准确地测试TSV结构的寿命性能，实现高效准确地测试TSV结构的电击穿可靠性。
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公开(公告)号：CN109297627B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201811250428.6
申请日：2018-10-25
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种TSV成品界面残余应力测试方法及界面梁结构试样制作方法。TSV成品界面残余应力测试方法包括：获取悬臂梁结构试样的长度和第一翘曲量；悬臂梁结构试样为截断界面梁结构试样得到；获取在悬臂梁结构试样的固定端上去除预设尺寸的材料层时、悬臂梁结构试样的第二翘曲量；根据悬臂梁结构试样的长度、第一翘曲量、第二翘曲量和预设尺寸，得到对应材料层的残余应力，从而本申请TSV成品界面残余应力测试方法通过在取自TSV成品的悬臂梁结构试样上去除不同尺寸的材料层后所产生对应的翘曲量，来实现准确测量界面梁结构试样不同位置的残余应力，准确地测量TSV成品的不同位置的残余应力，进而为改进TSV成品的TSV工艺，提高良率和可靠性提供良好支持。
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公开(公告)号：CN110600390A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910703529.2
申请日：2019-07-31
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L21/66
Abstract: 本申请涉及一种TSV结构电击穿寿命测试方法、装置、系统和控制设备；所述方法包括在第一个温度循环周期内，通过信号采集设备采集待测TSV矩阵晶圆样品在初始电压下的初始漏电流；第一个温度循环周期为控制温度调节设备调节待测TSV矩阵晶圆样品的测试环境温度循环变化的第一个周期；在初始漏电流小于或等于预设值时，控制电源设备以初始电压为起点逐渐增大施加在待测TSV矩阵晶圆样品上的电压，并通过信号采集设备实时采集待测TSV矩阵晶圆样品的当前漏电流；在当前漏电流满足失效判据时，获取电源设备调节电压的总时长，并将总时长确认为待测TSV矩阵晶圆样品的失效时间，实现高效准确地测试TSV结构的寿命性能，实现高效准确地测试TSV结构的电击穿可靠性。
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公开(公告)号：CN109342914A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811275513.8
申请日：2018-10-23
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2601 , G01R31/2619
Abstract: 本发明涉及一种IGBT结温监控方法、装置及计算机设备，其中，IGBT结温监控方法包括以下步骤：获取与待测IGBT器件的集电极电流对应的饱和导通压降；集电极电流为加热大电流或恒定小电流；基于结温和饱和导通压降拟合曲面，获取对应饱和导通压降的当前结温；在当前结温小于设定结温时，增大输入待测IGBT器件的集电极的加热大电流；在当前结温大于设定结温，且未到达预设加热工作时间时，减小输入待测IGBT器件的集电极的加热大电流；在当前结温大于设定结温，且到达预设加热工作时间时，向待测IGBT器件的集电极输入恒定小电流，并冷却待测IGBT器件。本发明实施例能够实现对待测IGBT器件结温的实时监控，提高了IGBT结温监控精度，以及提高了IGBT结温监控可靠性。
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