锆钇合金靶件的制备方法

    公开(公告)号:CN101629276B

    公开(公告)日:2010-12-29

    申请号:CN200910060257.5

    申请日:2009-08-05

    Abstract: 本发明属于材料制造技术领域,提供了一种锆钇合金靶件的制备方法。本发明的制备方法是通过真空感应熔炼,在熔炼过程充氩抑制挥发,加热炉保温浇注成型制成锆钇合金锭,再通过包覆热轧、淬火热处理、去应力退火热处理得到锆钇合金靶件。本发明的制备方法制备的锆钇合金靶件金属钇质量含量为5%~20%,钇均匀性偏差在±1%以内,密度大于98%TD(理论密度),晶粒度在5级以上,可用于电弧离子镀和反应磁控溅射制备氧化钇稳定氧化锆(YSZ)涂层,满足电弧离子镀和反应磁控溅射制备优良氧化钇稳定的氧化锆(YSZ)涂层对靶件的技术要求。

    锆钇合金靶件的制备方法

    公开(公告)号:CN101629276A

    公开(公告)日:2010-01-20

    申请号:CN200910060257.5

    申请日:2009-08-05

    Abstract: 本发明属于材料制造技术领域,提供了一种锆钇合金靶件的制备方法。本发明的制备方法是通过真空感应熔炼,在熔炼过程充氩抑制挥发,加热炉保温浇注成型制成锆钇合金锭,再通过包覆热轧、淬火热处理、去应力退火热处理得到锆钇合金靶件。本发明的制备方法制备的锆钇合金靶件金属钇质量含量为5%~20%,钇均匀性偏差在±1%以内,密度大于98%TD(理论密度),晶粒度在5级以上,可用于电弧离子镀和反应磁控溅射制备氧化钇稳定氧化锆(YSZ)涂层,满足电弧离子镀和反应磁控溅射制备优良氧化钇稳定的氧化锆(YSZ)涂层对靶件的技术要求。

    真空连续晶化炉
    5.
    实用新型

    公开(公告)号:CN2161624Y

    公开(公告)日:1994-04-13

    申请号:CN93218911.3

    申请日:1993-07-20

    Abstract: 本实用新型公开一种真空连续晶化炉,用于晶化处理快淬后的钕铁硼磁粉。它包括炉体,与炉体连接的真空机组,与炉体和真空机组连接的供水冷却装置,炉体两端的上、下侧分别设有加料斗和贮料筒,炉体内设有屏蔽式内加热炉和循环传送带输料装置,磁粉由传送带输入加热炉加热晶化,经两次预冷再迅速冷却到室温出料,利用微机控制炉温,真空度和传送带速度,可连续生产,能耗低,结构简单紧凑,操作维修方便。

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