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公开(公告)号：CN111341564B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202010168294.4
申请日：2020-03-13
Applicant: 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂)
Abstract: 本发明提供了一种钽芯被膜方法、钽芯以及包括该钽芯的钽电容器和应用，涉及电容器制备技术领域，上述被膜方法首先将钽芯浸渍入硝酸锰溶液中，随后将浸渍过硝酸锰溶液的钽芯进行热分解，使硝酸锰热分解为二氧化锰，完成被膜。上述被膜方法能够在钽芯的外层形成二氧化锰层，进而保护钽芯的五氧化二钽介质层，提高钽电容器的可靠性。
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公开(公告)号：CN102820135A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210303438.8
申请日：2012-08-24
Applicant: 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司
Abstract: 本发明一种降低铌电容器高温电容量变化率的工艺方法，涉及电解电容器辅助阴极层制备技术，是将氧化铌电容器阳极芯块按传统工艺完成阴极电解质二氧化锰层加工后得到的阴极电解质的阳极块经碳层制备和制备导电引出层后再按现工艺完成电容器的后面工序。由于本发明碳层的制备采用浸渍两次石墨水液，并在两次浸渍之间浸渍一次表面活化剂，完成碳层制备的阴极电解质阳极块又经导电浆料的处理，使碳层与阴极电解质层、导电引出层间的结合更紧密，有效的抑制了铌电容器在温度升高时的电容量增加。
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公开(公告)号：CN102800480A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210303439.2
申请日：2012-08-24
Applicant: 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司
IPC: H01G9/032
Abstract: 本发明一种铌电容器阴极制备方法，涉及一种电解电容器阴极电解质的制备方法。本发明是将氧化铌粉压制成氧化铌电容器阳极芯块，按传统工艺经烧结，阳极形成，形成介电层后，将形成介电层的铌阳极芯块经浸渍低浓度硝酸锰溶液、高浓度硝酸锰溶液、乙酸水溶液中形成处理等7个步骤完成在含介电层的阳极块表面制备二氧化锰阴极层。由于本发明采用浸渍低浓度硝酸锰溶液与高浓度高硝酸锰溶液交替浸渍和热分解方式，使分解得到的二氧化锰颗粒能够渗透到阳极块的微孔中，并与阳极块紧密接触，从而实现电容量的完全引出，降低了二氧化锰阴极层的接触电阻，达到降低产品等效串联电阻ESR的目的。
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公开(公告)号：CN102800480B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210303439.2
申请日：2012-08-24
Applicant: 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司
IPC: H01G9/032
Abstract: 本发明一种铌电容器阴极制备方法，涉及一种电解电容器阴极电解质的制备方法。本发明是将氧化铌粉压制成氧化铌电容器阳极芯块，按传统工艺经烧结，阳极形成，形成介电层后，将形成介电层的铌阳极芯块经浸渍低浓度硝酸锰溶液、高浓度硝酸锰溶液、乙酸水溶液中形成处理等7个步骤完成在含介电层的阳极块表面制备二氧化锰阴极层。由于本发明采用浸渍低浓度硝酸锰溶液与高浓度高硝酸锰溶液交替浸渍和热分解方式，使分解得到的二氧化锰颗粒能够渗透到阳极块的微孔中，并与阳极块紧密接触，从而实现电容量的完全引出，降低了二氧化锰阴极层的接触电阻，达到降低产品等效串联电阻ESR的目的。
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公开(公告)号：CN103065797A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310014783.4
申请日：2013-01-15
Applicant: 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种氧化铌电容器的混粉工艺，该工艺依次经过将苯甲酸溶解于二氯甲烷中，再将溶解有苯甲酸的二氯甲烷溶液倒入氧化铌粉中，充分搅拌均匀；然后将装有氧化铌粉的容器置于水中加热，并每隔一段时间搅拌氧化铌粉一次，3～20min后将装有氧化铌粉的容器取出；将樟脑溶解于二氯甲烷中，再将溶解有樟脑的二氯甲烷溶液倒入氧化铌粉中，然后对氧化铌粉水浴加热、搅拌均匀；最后将混有苯甲酸、樟脑的氧化铌粉过0.2～1.0mm的网筛，在搪瓷盘内均匀摊开，置于抽风下晾干1～4h。由于本发明采用了多次混粉的处理工艺，使添加剂与氧化铌粉混合更加均匀；本发明采用了水浴加热的处理工艺，改善了氧化铌粉的流动性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102800485A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210292938.6
申请日：2012-08-17
Applicant: 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司
Abstract: 本发明一种铌电容器介质膜强化方法，属电子元件制作技术领域，是将现有工艺电化学制造后有介质膜的阳极块进行强化处理，其处理方法是将阳极块在250℃～400℃的烘箱中干烘10～30min，再在0.1%～1%v/v、60℃～90℃的硝酸水溶液的电解槽中，以与阳极块连接的电极为正极对阳极块实施电化学氧化。由于对第一次制备的介质氧化膜采取了“干烘+形成”的工艺处理后，明显降低了阳极块的漏电流值，介质膜的晶粒更小，膜层更致密。
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公开(公告)号：CN111341564A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010168294.4
申请日：2020-03-13
Applicant: 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂)
Abstract: 本发明提供了一种钽芯被膜方法、钽芯以及包括该钽芯的钽电容器和应用，涉及电容器制备技术领域，上述被膜方法首先将钽芯浸渍入硝酸锰溶液中，随后将浸渍过硝酸锰溶液的钽芯进行热分解，使硝酸锰热分解为二氧化锰，完成被膜。上述被膜方法能够在钽芯的外层形成二氧化锰层，进而保护钽芯的五氧化二钽介质层，提高钽电容器的可靠性。
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公开(公告)号：CN103065798A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310014512.9
申请日：2013-01-15
Applicant: 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司
IPC: H01G9/04
Abstract: 本发明公开一种片式氧化铌电容器石墨、银浆层制备方法，包括将被膜好的氧化铌块芯子浸入水性石墨、浸入苯甲醇溶液、浸入银浆和烘干固化等步骤，完成对氧化铌电容器的石墨、银浆层的制备。本发明由于采用了在油性石墨前增加浸渍苯甲醇溶液的处理工艺，有效的抑制了氧化铌电容器在高温125℃容量变化，提高了氧化铌电容器在高温环境中的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN102800484A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210292935.2
申请日：2012-08-17
Applicant: 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司
IPC: H01G9/04
Abstract: 本发明一种制作铌电容器阳极芯块的方法，属电子元件制作技术领域，是将氧化铌粉分别与粘合剂苯甲酸乙酯和粘合剂聚乙烯醇混合，并通过0.2mm～1.0mm的网筛，自然晾干后按现有工艺将粉料压制成所需的铌电容器阳极芯块。本发明采用两次粘合剂两次混粉，混合后的粉体100%过筛，使混粉颗粒大小基本一致，阳极块压实密度均匀，无破裂、断裂、缺角等问题，因而使铌固体电解电容器的等效串联电阻ESR小，漏电流值小。
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公开(公告)号：CN102800484B
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201210292935.2
申请日：2012-08-17
Applicant: 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司
IPC: H01G9/04
Abstract: 本发明一种制作铌电容器阳极芯块的方法，属电子元件制作技术领域，是将氧化铌粉分别与粘合剂苯甲酸乙酯和粘合剂聚乙烯醇混合，并通过0.2mm～1.0mm的网筛，自然晾干后按现有工艺将粉料压制成所需的铌电容器阳极芯块。本发明采用两次粘合剂两次混粉，混合后的粉体100%过筛，使混粉颗粒大小基本一致，阳极块压实密度均匀，无破裂、断裂、缺角等问题，因而使铌固体电解电容器的等效串联电阻ESR小，漏电流值小。
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