公开(公告)号：CN111554426B

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202010419641.6

申请日：2020-05-18

Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所

Inventor： 朱小锋 ,  刘珉强 ,  赵洪超 ,  许献国 ,  周开明 ,  王艳

IPC: G21F1/08 ,  G21F1/12 ,  C22C27/02

Abstract: 本发明公开了一种硬X射线和光电子屏蔽复合材料，包括X射线屏蔽层和光电子屏蔽层，所述X射线屏蔽层的双面或单面设置光电子屏蔽层，所述X射线屏蔽层采用高Z材料制成，所述光电子屏蔽层采用低Z材料制成。本发明采用高Z材料和低Z材料组成的层叠型功能复合材料，不仅能够有效屏蔽X射线，又能对光电子进行有效屏蔽，减少光电子对电子设备的影响，解决了现有硬X射线屏蔽的屏蔽性能较差的问题。

公开(公告)号：CN111554426A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010419641.6

申请日：2020-05-18

Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所

Inventor： 朱小锋 ,  刘珉强 ,  赵洪超 ,  许献国 ,  周开明 ,  王艳

IPC: G21F1/08 ,  G21F1/12 ,  C22C27/02

Abstract: 本发明公开了一种硬X射线和光电子屏蔽复合材料，包括X射线屏蔽层和光电子屏蔽层，所述X射线屏蔽层的双面或单面设置光电子屏蔽层，所述X射线屏蔽层采用高Z材料制成，所述光电子屏蔽层采用低Z材料制成。本发明采用高Z材料和低Z材料组成的层叠型功能复合材料，不仅能够有效屏蔽X射线，又能对光电子进行有效屏蔽，减少光电子对电子设备的影响，解决了现有硬X射线屏蔽的屏蔽性能较差的问题。

公开(公告)号：CN108257703A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201810075738.2

申请日：2018-01-26

Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所

Inventor： 王艳 ,  曾超 ,  周开明

IPC: G21F1/12

Abstract: 本发明公开了一种抑制光电子发射的结构设计方法，在原有结构件的表面涂覆低原子序数材料层。本发明指在原有结构件的表面上镀膜一定厚度的低原子序数材料来抑制光电子发射的结构设计方法，该方法能够非常有效的抑制X射线辐照系统/系统内设备结构件时在其表面发射的光电子数量，从而大幅度降低X射线在系统/设备内部产生的SGEMP危害。