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公开(公告)号：CN105957903A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610412978.8
申请日：2016-06-14
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H01L31/02
CPC classification number: H01L31/02005
Abstract: 本发明公开了砷化镓光导开关的引线连接结构以及引线焊接工艺，解决了现有砷化镓光导开关在引线连接过程中出现尖端焊点、电极与引线的接触电阻较大的问题。本发明包括具有开关电极（2）的砷化镓光导开关本体（4），以及连接在开关电极（2）上的引线（5），其特征在于，所述引线（5）通过热风熔化焊锡膏（6）焊接在开关电极（2）上。本发明具有提高砷化镓光导开关的成品率，降低制作成本，减小电极与引线的接触电阻，使电极与引线连接牢固，不出现尖端焊点等优点。
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公开(公告)号：CN104485576A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410761110.X
申请日：2014-12-12
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明涉及高功率脉冲半导体激光二极管领域，尤其是涉及一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管。本发明针对现有技术存在的问题，提供一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管，通过调节半导体激光二极管芯组的数量M、芯组的间距D、每个半导体激光二极管芯组中半导体激光二极管芯片的数量N、芯片的间距H来调节半导体激光二极管输出的激光脉冲的激光能量、激光功率、光斑的面积和分布，以适应不同尺寸、不同结构的光导开关对激光脉冲参数的不同要求，显著提高在高功率半导体激光二极管驱动下的光导开关的导通性能和使用寿命，同时可降低光导开关的使用成本，减小光导开关触发系统的体积和重量，推动光导开关技术的进一步发展。
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公开(公告)号：CN205666238U
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201620567427.4
申请日：2016-06-14
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H01L31/02
Abstract: 本实用新型公开了砷化镓光导开关的引线连接结构，解决了现有砷化镓光导开关在引线连接过程中出现尖端焊点、电极与引线的接触电阻较大的问题。本实用新型包括具有开关电极（2）的砷化镓光导开关本体（4），以及连接在开关电极（2）上的引线（5），其特征在于，所述引线（5）通过热风熔化焊锡膏（6）连接在开关电极（2）上。本实用新型具有提高砷化镓光导开关的成品率，降低制作成本，减小电极与引线的接触电阻，使电极与引线连接牢固，不出现尖端焊点等优点。
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公开(公告)号：CN204349205U
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201420782017.2
申请日：2014-12-12
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本实用新型涉及高功率脉冲半导体激光二极管领域，尤其是涉及一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管。本实用新型针对现有技术存在的问题，提供一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管，通过调节半导体激光二极管芯组的数量M、芯组的间距D、每个半导体激光二极管芯组中半导体激光二极管芯片的数量N、芯片的间距H来调节半导体激光二极管输出的激光脉冲的激光能量、激光功率、光斑的面积和分布，以适应不同尺寸、不同结构的光导开关对激光脉冲参数的不同要求，显著提高在高功率半导体激光二极管驱动下的光导开关的导通性能和使用寿命，同时可降低光导开关的使用成本，减小光导开关触发系统的体积和重量，推动光导开关技术的进一步发展。
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