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公开(公告)号：CN105974369A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610492033.1
申请日：2016-06-29
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: G01S7/02
CPC classification number: G01S7/02
Abstract: 本发明公开了一种多路全相位微波数控移相器控制系统,所述控制系统包括远程端和本地端，所述远程端包括依次连接的控制软件、计算机和光纤收发器A，所述本地端包括依次连接的光纤收发器B、串口服务器、时序控制器和数控移相器，所述光纤收发器A与所述光纤收发器B互相配对使用，收发光纤信号。采用本系统使得数控移相器在高频范围实现了0~360º大范围的移相，采用“串口服务器+时序控制器”的方式设计多路移相器的控制系统，简化外部线缆连接，提高系统的可靠性，有效解决在移相器在180°（反向）之后相位精度变小，存在非线性变化的问题，保证移相精度小于2.5º。
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公开(公告)号：CN105827222A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610330118.X
申请日：2016-05-18
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
CPC classification number: H03K5/131 , H04L7/0091
Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA高速串行总线的纳秒级数字同步机，所述数字同步机包括依次电连接的出发信号模块、信号隔离模块、FPGA控制时序模块、信号转换模块和脉冲信号输出模块，所述FPGA控制时序模块通过422串口模块与上位机相连接，该技术方案实现了多路延时精度为1ns的脉冲同步触发和脉宽调制，体积小，延时范围宽，脉冲宽度可调，满足了多台大型物理装置的同步触发的不同需求。
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公开(公告)号：CN104638372A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510101287.1
申请日：2015-03-09
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01Q13/02 , H01Q15/14 , H01Q15/24 , H01Q19/02 , H01Q19/185
Abstract: 本发明公开了一种极化可重构的高功率微波馈源，包括一个内部抽真空的箱体，箱体内采用波纹喇叭、两个相位修正镜和两个圆极化栅网的组合，可按需输出左旋/右旋/任意极化方向线极化的波束，且输出波束截面幅度和相位分布可通过相位修正镜的设计进行控制。本发明结构紧凑，输出波束的极化状态可按需进行变换,且波束的截面电场幅度和相位分布可设计，可广泛应用于高功率微波发射系统和雷达发射系统等领域。
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公开(公告)号：CN102706272A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210174522.4
申请日：2012-05-31
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: G01B7/312
Abstract: 本发明提供一种新型筒形磁场轴心测量装置，包括法兰盘、探头、探头夹具及连接件，法兰盘固定在筒形磁场外围装置上，法兰盘中心有通孔，法兰盘面均匀分布有测量孔，法兰盘通孔内套装有连接件，连接件顶端安装有旋转把手和转盘，探头从连接件中心通孔中穿过；连接件下端一侧连接探头夹具的一端，探头夹具的另一端夹持从连接件通孔中贯穿的探头，使探头形成U型；探头向上对应测量孔。本发明一种新型筒形磁场轴心测量装置，测量探头可通过探头夹具在筒形磁场上下法兰面进行与法兰中心等距离的旋转，通过测量平面轴对称上两点的R向磁场强度的相对差来确定这两点间的轴心位置是否几何中心点与磁轴重合，为磁轴校正提供依据。
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公开(公告)号：CN111540658A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010254724.4
申请日：2020-04-02
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种C，X波段双频可控紧凑型高功率微波器件，包括依次设置包含同轴内导体的非周期性C波段慢波结构和X波段慢波结构，所述C波段慢波结构和X波段慢波结构之间设置可轴向移动的金属圆波导，控制金属圆波导的轴向位置可定向掩盖C波段慢波结构或X波段慢波结构的部分腔体；所述C波段慢波结构轴向总长度与C波段辐射波长的比值为1.6，X波段慢波结构轴向总长度与X波段辐射波长的比值为1.97，所述微波器件的内直径为76mm；电压380kV，电流6kA，内直径为60mm，外直径为70mm的环形电子束在0.63T的磁场引导下在微波器件内传输，可控辐射产生4GHz或8GHz的高功率微波。采用本发明的一种C，X波段双频可控紧凑型高功率微波器件，可控制辐射产生4GHz或8GHz的高功率微波。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111540656A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010254629.4
申请日：2020-04-02
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种S，C波段双频可控高功率微波器件，所述微波器件内具有同轴的内导体和四腔慢波结构，微波器件左端设置与四腔慢波结构内直径相同的圆环封闭结构；所述四腔慢波结构可轴向调节其在微波器件内的相对位置，其轴向总长度为170mm，内直径为76mm；调节四腔慢波结构最右端与内导体最左端轴向距离为240mm时，环形电子束在微波器件内传输，辐射产生S波段高功率微波；调节四腔慢波结构最右端与内导体最左端轴向距离为162.5mm时，环形电子束在微波器件内传输，辐射产生C波段高功率微波。采用本发明的一种S，C波段双频可控高功率微波器件，能够实现S及C波段可控高功率微波输出。
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公开(公告)号：CN103996590A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410166917.9
申请日：2014-04-24
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01J25/10 , H01J23/36 , H01J23/027
Abstract: 本发明公开了一种内置收集极的相对论速调管放大器输出腔，输出腔鼻锥从输入方向朝向收集极连接处外径逐渐变大，收集极从与输出腔鼻锥连接处朝向收集极主体方向内径逐渐变大，在支撑杆与输出腔端盖之间的输出腔外筒内壁上设置有凸台，且三根支撑杆在输出腔外筒内同一圆周截面上均匀分布；本发明在不降低输出腔内电场角向均匀性的情况下降低输出腔Q值，从而降低输出腔中的电场强度，减少回流电子，降低回流电子对相对论速调管放大器工作稳定性的不利影响；降低电子束轰击收集极内表面的功率密度，减小二次电子和其他杂质的产生；进一步防止二次电子和其他杂质逸出收集极，从而提高RKA长脉冲重频运行的能力。
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公开(公告)号：CN111540657B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202010254638.3
申请日：2020-04-02
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种8GHz高功率微波器件，具有同轴内导体的六腔微波器件的轴向总长度与辐射微波波长的比值为1.97；所述六腔微波器件内沿电子束传输方向依次设置环形内直径均为76mm的第一腔体、第二腔体、第三腔体、第四腔体、第五腔体和第六腔体；所述第一腔体外直径为100mm，轴向长度为7mm；第二腔体外直径为84mm，轴向长度为8mm；第三腔体外直径为88mm，轴向长度为6mm；第四腔体外直径为84mm，轴向长度为6mm；第五腔体外直径为80mm，轴向长度为6mm；第六腔体外直径为88mm，轴向长度为6mm。采用本发明的一种8GHz高功率微波器件，其轴向结构尺寸极大简洁，具有小型化，轻量化的优点。
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公开(公告)号：CN111540657A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010254638.3
申请日：2020-04-02
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种8GHz高功率微波器件，具有同轴内导体的六腔微波器件的轴向总长度与辐射微波波长的比值为1.97；所述六腔微波器件内沿电子束传输方向依次设置环形内直径均为76mm的第一腔体、第二腔体、第三腔体、第四腔体、第五腔体和第六腔体；所述第一腔体外直径为100mm，轴向长度为7mm；第二腔体外直径为84mm，轴向长度为8mm；第三腔体外直径为88mm，轴向长度为6mm；第四腔体外直径为84mm，轴向长度为6mm；第五腔体外直径为80mm，轴向长度为6mm；第六腔体外直径为88mm，轴向长度为6mm。采用本发明的一种8GHz高功率微波器件，其轴向结构尺寸极大简洁，具有小型化，轻量化的优点。
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公开(公告)号：CN111540658B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202010254724.4
申请日：2020-04-02
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种C，X波段双频可控紧凑型高功率微波器件，包括依次设置包含同轴内导体的非周期性C波段慢波结构和X波段慢波结构，所述C波段慢波结构和X波段慢波结构之间设置可轴向移动的金属圆波导，控制金属圆波导的轴向位置可定向掩盖C波段慢波结构或X波段慢波结构的部分腔体；所述C波段慢波结构轴向总长度与C波段辐射波长的比值为1.6，X波段慢波结构轴向总长度与X波段辐射波长的比值为1.97，所述微波器件的内直径为76mm；电压380kV，电流6kA，内直径为60mm，外直径为70mm的环形电子束在0.63T的磁场引导下在微波器件内传输，可控辐射产生4GHz或8GHz的高功率微波。采用本发明的一种C，X波段双频可控紧凑型高功率微波器件，可控制辐射产生4GHz或8GHz的高功率微波。
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