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公开(公告)号：CN117459046A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311526413.9
申请日：2023-11-15
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H03K17/723
Abstract: 本发明公开了一种串联Mos栅控晶闸管的触发电路，其包括若干依次级联连接的隔离驱动模块；每个隔离驱动模块包括隔离变压器、驱动器和高压隔离电源；隔离变压器分别与对称设置在其两侧的驱动器连接；驱动器对称设置在隔离变压器两侧；高压隔离电源对称设置在隔离变压器两侧；位于同一侧的高压隔离电源和驱动器连接；MOS控制晶闸管对称设置在每个隔离驱动模块两侧；驱动器与其位于同一侧的MOS控制晶闸管连接；隔离变压器，用于接收信号源输入的驱动信号并对其进行隔离，之后输出至驱动器；驱动器，用于将隔离变压器输出的信号整形触发MOS控制晶闸管；高压隔离电源，用于为驱动器供电。本发明具有触发脉冲同步性、一致性好的优点。
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公开(公告)号：CN111540656B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202010254629.4
申请日：2020-04-02
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种S，C波段双频可控高功率微波器件，所述微波器件内具有同轴的内导体和四腔慢波结构，微波器件左端设置与四腔慢波结构内直径相同的圆环封闭结构；所述四腔慢波结构可轴向调节其在微波器件内的相对位置，其轴向总长度为170mm，内直径为76mm；调节四腔慢波结构最右端与内导体最左端轴向距离为240mm时，环形电子束在微波器件内传输，辐射产生S波段高功率微波；调节四腔慢波结构最右端与内导体最左端轴向距离为162.5mm时，环形电子束在微波器件内传输，辐射产生C波段高功率微波。采用本发明的一种S，C波段双频可控高功率微波器件，能够实现S及C波段可控高功率微波输出。
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公开(公告)号：CN111540660B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202010255114.6
申请日：2020-04-02
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种C，X波段双频紧凑型高功率微波器件，包括依次设置包含同轴内导体的非周期性C波段慢波结构和X波段慢波结构，所述C波段慢波结构轴向总长度与C波段辐射波长的比值为1.6，X波段慢波结构轴向总长度与X波段辐射波长的比值为1.97，所述微波器件的内直径为76mm；电压380kV，电流6kA，内直径为60mm，外直径为70mm的环形电子束在0.63T的轴向磁场引导下在微波器件内传输，辐射产生4GHz及8GHz的双频高功率微波。采用本发明的一种C，X波段双频紧凑型高功率微波器件，能够同时辐射产生4GHz及8GHz的双频高功率微波。
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公开(公告)号：CN111540659B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202010255035.5
申请日：2020-04-02
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种4GHz高功率微波器件，具有同轴内导体的四腔微波器件的轴向总长度与辐射微波波长的比值为1.6；所述四腔微波器件内沿电子束传输方向依次设置环形内直径均为76mm的第一腔体、第二腔体、第三腔体和第四腔体；所述第一腔体外直径为120mm，轴向长度为15mm；第二腔体外直径为100mm，轴向长度为15mm；第三腔体外直径为110mm，轴向长度为15mm；第四腔体外直径为110mm，轴向长度为15mm；第一腔体与第二腔体之间间隔为15mm；第二腔体与第三腔体之间间隔为35mm；第三腔体与第四腔体之间间隔为10mm；所述内导体直径为30mm。采用本发明的一种4GHz高功率微波器件其轴向结构尺寸极大简洁，具有小型化，轻量化的优点。
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公开(公告)号：CN111540659A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010255035.5
申请日：2020-04-02
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种4GHz高功率微波器件，具有同轴内导体的四腔微波器件的轴向总长度与辐射微波波长的比值为1.6；所述四腔微波器件内沿电子束传输方向依次设置环形内直径均为76mm的第一腔体、第二腔体、第三腔体和第四腔体；所述第一腔体外直径为120mm，轴向长度为15mm；第二腔体外直径为100mm，轴向长度为15mm；第三腔体外直径为110mm，轴向长度为15mm；第四腔体外直径为110mm，轴向长度为15mm；第一腔体与第二腔体之间间隔为15mm；第二腔体与第三腔体之间间隔为35mm；第三腔体与第四腔体之间间隔为10mm；所述内导体直径为30mm。采用本发明的一种4GHz高功率微波器件其轴向结构尺寸极大简洁，具有小型化，轻量化的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108615665A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810608335.X
申请日：2018-06-13
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种利用磁体尾场的相对论返波振荡器，解决了现有磁体系统的尺寸过大、重量过重，不利于器件实现小型化的问题，包括在器件的外筒内设置的阴极和慢波结构，所述阴极与外筒共轴，其特征在于所述慢波结构包括沿套筒轴线方向依次设置的基模结构和过模结构，所述过模结构利用磁体的末端引导磁场，对基模结构产生的高功率微波进行放大。本发明采用上述结构的相对论返波振荡器，能够充分利用引导磁场的尾场来实现高功率微波的产生，器件系统的整体结构更加紧凑，更利于器件系统的小型化发展。
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公开(公告)号：CN105577151A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610128145.9
申请日：2016-03-07
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H03K7/08
CPC classification number: H03K7/08
Abstract: 本发明公开了一种矩形脉冲发生器，包括：矩形脉冲形成线T1、脉冲功率合成传输线T2、脉冲功率合成传输线T3，所述矩形脉冲形成线T1的外皮上一端连接到脉冲功率合成传输线T2的内芯，另一端连接到脉冲功率合成传输线T3的内芯，所述脉冲功率合成传输线T2另一端的内芯连接到所述脉冲功率合成传输线T3另一端的外皮，所述脉冲功率合成传输线T3与脉冲功率合成传输线T2连接一端的内芯连接输出负载；本发明提升了现有窄脉宽矩形脉冲发生器的性能，简单的线路结构提高了发生器的可靠性。可广泛应用于微细电化学加工、电火花加工等精细化加工、超辐射及激光器驱动系统等领域要求。
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公开(公告)号：CN111540658A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010254724.4
申请日：2020-04-02
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种C，X波段双频可控紧凑型高功率微波器件，包括依次设置包含同轴内导体的非周期性C波段慢波结构和X波段慢波结构，所述C波段慢波结构和X波段慢波结构之间设置可轴向移动的金属圆波导，控制金属圆波导的轴向位置可定向掩盖C波段慢波结构或X波段慢波结构的部分腔体；所述C波段慢波结构轴向总长度与C波段辐射波长的比值为1.6，X波段慢波结构轴向总长度与X波段辐射波长的比值为1.97，所述微波器件的内直径为76mm；电压380kV，电流6kA，内直径为60mm，外直径为70mm的环形电子束在0.63T的磁场引导下在微波器件内传输，可控辐射产生4GHz或8GHz的高功率微波。采用本发明的一种C，X波段双频可控紧凑型高功率微波器件，可控制辐射产生4GHz或8GHz的高功率微波。
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公开(公告)号：CN111540656A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010254629.4
申请日：2020-04-02
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种S，C波段双频可控高功率微波器件，所述微波器件内具有同轴的内导体和四腔慢波结构，微波器件左端设置与四腔慢波结构内直径相同的圆环封闭结构；所述四腔慢波结构可轴向调节其在微波器件内的相对位置，其轴向总长度为170mm，内直径为76mm；调节四腔慢波结构最右端与内导体最左端轴向距离为240mm时，环形电子束在微波器件内传输，辐射产生S波段高功率微波；调节四腔慢波结构最右端与内导体最左端轴向距离为162.5mm时，环形电子束在微波器件内传输，辐射产生C波段高功率微波。采用本发明的一种S，C波段双频可控高功率微波器件，能够实现S及C波段可控高功率微波输出。
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公开(公告)号：CN108615665B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201810608335.X
申请日：2018-06-13
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种利用磁体尾场的相对论返波振荡器，解决了现有磁体系统的尺寸过大、重量过重，不利于器件实现小型化的问题，包括在器件的外筒内设置的阴极和慢波结构，所述阴极与外筒共轴，其特征在于所述慢波结构包括沿套筒轴线方向依次设置的基模结构和过模结构，所述过模结构利用磁体的末端引导磁场，对基模结构产生的高功率微波进行放大。本发明采用上述结构的相对论返波振荡器，能够充分利用引导磁场的尾场来实现高功率微波的产生，器件系统的整体结构更加紧凑，更利于器件系统的小型化发展。
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