一种用于微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的基片台

    公开(公告)号:CN106929828B

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN201710334592.4

    申请日:2017-05-12

    Abstract: 本发明公开一种用于微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的基片台,属于晶体合成技术领域。该基片台置于微波等离子体化学气相沉积金刚石膜装置反应腔体内的水冷台上,其结构包含用于放置沉积基底的中心凹槽、环形外凸出部、环形内凸出部、介于内外凸出部之间的环形凹槽及位于外凸出部外侧的外表面。该基片台独立于反应腔体及水冷台,用于放置沉积基底并在其上方形成均匀稳定的电场及等离子体分布,提高所制备的金刚石膜的均匀性,同时能够有效防止基片台非沉积区域生成的杂质溅射至沉积基底上污染金刚石膜。本发明具有设计制作简单、能够制备大面积金刚石膜、易于调节尺寸以适合制备不同尺寸及厚度的金刚石膜、制备的金刚石膜品质高等优点。

    一种用于真空二极管电压测量的D-dot探头

    公开(公告)号:CN107037254B

    公开(公告)日:2023-04-21

    申请号:CN201710048853.6

    申请日:2017-01-23

    Abstract: 本发明公开了一种用于真空二极管电压测量的D‑dot探头,属于脉冲功率技术中真空二极管电压测量领域,包括电缆座、探头外壳、O型密封圈、绝缘套筒、接地外壳、测量电极、连接杆、真空密封电缆连接器、金属密封圈和绝缘薄片,所述电缆座、所述真空密封电缆连接器、所述O型密封圈、所述探头外壳、所述绝缘套筒、所述连接杆、所述测量电极和绝缘薄片之间均为同轴心结构,安装连接形成探头整体;本发明在测量电极上安装由耐高温耐烧蚀高分子材料制成的绝缘薄片阻挡等离子体,避免绝缘击穿;采用真空密封电缆连接器及金属密封圈保证真空密封性能;将分压器的主体部分采用螺纹连接方式形成一个整体,使得拆卸过程造成的测量误差最小化。

    一种用于真空二极管电压测量的D‑dot探头

    公开(公告)号:CN107037254A

    公开(公告)日:2017-08-11

    申请号:CN201710048853.6

    申请日:2017-01-23

    CPC classification number: G01R19/0084 G01R1/06711 G01R1/06733

    Abstract: 本发明公开了一种用于真空二极管电压测量的D‑dot探头,属于脉冲功率技术中真空二极管电压测量领域,包括电缆座、探头外壳、O型密封圈、绝缘套筒、接地外壳、测量电极、连接杆、真空密封电缆连接器、金属密封圈和绝缘薄片,所述电缆座、所述真空密封电缆连接器、所述O型密封圈、所述探头外壳、所述绝缘套筒、所述连接杆、所述测量电极和绝缘薄片之间均为同轴心结构,安装连接形成探头整体;本发明在测量电极上安装由耐高温耐烧蚀高分子材料制成的绝缘薄片阻挡等离子体,避免绝缘击穿;采用真空密封电缆连接器及金属密封圈保证真空密封性能;将分压器的主体部分采用螺纹连接方式形成一个整体,使得拆卸过程造成的测量误差最小化。

    一种可远程调节束参数的紧凑型强流二极管

    公开(公告)号:CN107887449B

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN201711360439.5

    申请日:2017-12-18

    Abstract: 本发明公开了一种可远程调节束参数的紧凑型强流二极管,包括设置在密封空间的阴极座和设置在阴极座上的环形阴极、与环形阴极对应设置的阳极内筒,设置在阳极内筒外表面的阳极外筒,所述环形阴极与阳极内筒同轴设置、但环形阴极与阳极内筒在轴向上不重叠,所述阴极座的轴向上设置有磁场,阳极外筒的轴向上设置有磁场,阴极与阳极内筒之间相对距离可以调节,通过距离调节实现输出阻抗变化;本发明设计巧妙,结构简单易于实现,可远程调节阴阳极间距从而调节二极管阻抗,而不再像传统的二极管每次调节需要破坏整个真空环境,极大提高调节工作效率,具有突出的实质性特点和显著进步,适合大规模推广应用。

    一种采用微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的方法

    公开(公告)号:CN107164740B

    公开(公告)日:2019-05-07

    申请号:CN201710334072.3

    申请日:2017-05-12

    Abstract: 本发明公开一种采用微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的方法,属于晶体合成技术领域。该方法中,基片台置于微波等离子体化学气相沉积金刚石膜装置反应腔体内的水冷台上,其结构包含用于放置沉积基底的中心凹槽、环形外凸出部、环形内凸出部、介于内外凸出部之间的环形凹槽及位于外凸出部外侧的外表面。该基片台独立于反应腔体及水冷台,用于放置沉积基底并在其上方形成均匀稳定的电场及等离子体分布,提高所制备的金刚石膜的均匀性,同时能够有效防止基片台非沉积区域生成的杂质溅射至沉积基底上污染金刚石膜。本发明具有设计制作简单、能够制备大面积金刚石膜、适合于制备不同尺寸及厚度的金刚石膜、制备的金刚石膜品质高等优点。

    一种可调节高阻抗小型化高压二极管

    公开(公告)号:CN107895719A

    公开(公告)日:2018-04-10

    申请号:CN201711360438.0

    申请日:2017-12-18

    CPC classification number: H01L23/481 H01L29/861

    Abstract: 本发明公开了一种可调节高阻抗小型化高压二极管,包括绝缘子、阳极筒、阴极杆、阴极座、环形阴极和飘移管,所述阳极筒与飘移管同轴线设置,其外部表面同轴设置有主引导磁场,所述阴极杆、阴极座、环形阴极依次同轴连接为一体,与阳极筒同轴线设置,与阳极筒在轴向位置上不重叠,所述阴极杆上同轴设置有补充磁场,所述环形阴极与阳极筒之间的轴向距离可以调节;本发明能够实现高压二极管的高阻抗性能,设计巧妙,结构简单易于实现,使用方便且制作和维护费用较低,体积小,重量轻,能耗低,在高阻抗微波器件研制中具有广泛的应用前景,在移动平台应用中尤为有利,具有突出的实质性特点和显著进步,适合大规模推广应用。

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