公开(公告)号：CN112861878B

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202110163367.5

申请日：2021-02-05

Applicant: 中国地质大学(武汉)

Inventor： 孙琨 ,  王力哲 ,  刘娟

IPC: G06V10/44 ,  G06V10/46 ,  G06V10/422 ,  G06V10/774 ,  G06V10/764 ,  G06V10/75 ,  G06V10/74 ,  G06K9/62

Abstract: 本发明公开了一种应用结构偏移特征进行误匹配剔除的方法，属于计算机视觉技术领域，首先，利用特征匹配算法获得两幅图像之间的初始匹配集；其次，给每个匹配选择邻居匹配，为降低传统k近邻包含错误匹配的概率，给每一个关键点提取局部变换矩阵，并据此筛选每对初始匹配的有效邻居；最后，计算有效邻居匹配相对于中心匹配在两幅图像上的位次之差，所得的向量称之为结构偏移特征。本发明所提特征简单直观，可以在多种典型分类器上进行训练和测试，经实验证明所提方法可以有效的剔除错误匹配。

公开(公告)号：CN101570332A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200910062637.2

申请日：2009-06-12

Applicant: 中国地质大学(武汉)

Inventor： 靳洪允 ,  侯书恩 ,  许亮 ,  刘娟

IPC: C01B33/18

Abstract: 本发明公开了一种高纯度、低放射性球形硅微粉，该硅微粉中SiO2含量不低于99.90％，放射性元素U含量≤1×10－9g/g，球形化率为90～100％，非晶率为99～100％。该硅微粉的制备方法是：用放射性元素U含量≤1×10－9g/g的硅源制备纯度不低于 99.90％且其中任一杂质离子含量均≤5×10－6g/g的稳定硅溶胶；对硅溶胶进行浓缩，使其固含量为41～70％；将浓缩后的硅溶胶造粒，使其粒径为0.5～60μm；将造粒得到的氧化硅微粉于500～1100℃焙烧，然后在火焰燃烧器和球形化炉中进行球形化处理，冷却后分级、收集即可得到。本发明的球形硅微粉满足大规模集成电路对封装填料的要求，且本发明工艺简单、成本低，所需设备简单，适用于工业化生产。

公开(公告)号：CN112861878A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202110163367.5

申请日：2021-02-05

Applicant: 中国地质大学(武汉)

Inventor： 孙琨 ,  王力哲 ,  刘娟

IPC: G06K9/46 ,  G06K9/52 ,  G06K9/62

Abstract: 本发明公开了一种应用结构偏移特征进行误匹配剔除的方法，属于计算机视觉技术领域，首先，利用特征匹配算法获得两幅图像之间的初始匹配集；其次，给每个匹配选择邻居匹配，为降低传统k近邻包含错误匹配的概率，给每一个关键点提取局部变换矩阵，并据此筛选每对初始匹配的有效邻居；最后，计算有效邻居匹配相对于中心匹配在两幅图像上的位次之差，所得的向量称之为结构偏移特征。本发明所提特征简单直观，可以在多种典型分类器上进行训练和测试，经实验证明所提方法可以有效的剔除错误匹配。

公开(公告)号：CN101570332B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200910062637.2

申请日：2009-06-12

Applicant: 中国地质大学(武汉)

Inventor： 靳洪允 ,  侯书恩 ,  许亮 ,  刘娟

IPC: C01B33/18

Abstract: 本发明公开了一种高纯度、低放射性球形硅微粉，该硅微粉中SiO2含量不低于99.90％，放射性元素U含量≤1×10-9g/g，球形化率为90～100％，非晶率为99～100％。该硅微粉的制备方法是：用放射性元素U含量≤1×10-9g/g的硅源制备纯度不低于99.90％且其中任一杂质离子含量均≤5×10-6g/g的稳定硅溶胶；对硅溶胶进行浓缩，使其固含量为41～70％；将浓缩后的硅溶胶造粒，使其粒径为0.5～60μm；将造粒得到的氧化硅微粉于500～1100℃焙烧，然后在火焰燃烧器和球形化炉中进行球形化处理，冷却后分级、收集即可得到。本发明的球形硅微粉满足大规模集成电路对封装填料的要求，且本发明工艺简单、成本低，所需设备简单，适用于工业化生产。