一种鹿茸草的育苗方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113678696B

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202111183991.8

    申请日:2021-10-11

    Inventor: 穆滨 李伟权 翟斌

    Abstract: 本发明公开了一种鹿茸草的育苗方法,包括如下步骤:将红壤土、河沙、腐叶土均匀平铺,在阳光下暴晒或使用紫外线杀菌,杀菌后按照红壤土80份、河沙20份、腐叶土20份的比例分别称取各组分;将称取的各组分倒入混料机中搅拌,搅拌时间为20‑40min,得到育苗土,并将鹿茸草种子放入到20‑30℃的温水中浸泡1‑2h;将育苗土铺设在培养盘中,育苗土厚度10‑15cm,等待种子浸泡完成后,取出播撒在育苗土中,得到有鹿茸草种子的培养盘;将培养盘放置到温度控制在20‑30℃,湿度控制在30%‑70%的温室中,并使用全光谱植物灯模拟日光;使用遮阳网放置到全光谱植物灯与培养盘之间。本发明涉及鹿茸草育苗方法领域,具体是指一种鹿茸草的育苗方法。

    一种鹿茸草的人工栽培方法

    公开(公告)号:CN113692927B

    公开(公告)日:2023-02-14

    申请号:CN202111183986.7

    申请日:2021-10-11

    Inventor: 穆滨 李伟权 翟斌

    Abstract: 本发明公开了一种鹿茸草的人工栽培方法,包括如下步骤:步骤一,培育幼苗:选取颗粒饱满且成熟约一月左右的新生野生鹿茸草种子,对选好的种子用氯气灭菌3h,用赤霉素溶液将种子浸泡36小时,然后取出种子,用清水冲洗干净并风干,然后将种子放在培养基中进行培养,培养温度保持在20‑30℃,待种子发芽并长成种苗;步骤二,建设种植基地:选择土壤肥沃、排水良好、阳光充足、海拔100米以上低山的向阳面,对山地进行开垦平整,然后在山地上挖定植穴坑,在定植穴坑内施足充分的有机肥作为底肥;步骤三,移植:春季栽植,选取种苗,将种苗栽入定植穴坑内。本发明涉及鹿茸草栽培技术领域,具体是提供了一种鹿茸草的人工栽培方法。

    一种鹿茸草的繁育方法
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113692928B

    公开(公告)日:2023-02-14

    申请号:CN202111183992.2

    申请日:2021-10-11

    Inventor: 穆滨 李伟权 翟斌

    Abstract: 本发明公开了一种鹿茸草的繁育方法,将采收的果荚晒干干燥后密封贮藏;选取颗粒饱满,无病虫害和破损的种子,将种子浸泡消毒液进行消毒处理后清洗晾干备用;选择温室大棚,将温室大棚内土层进行翻地处理,并施加基肥,将土层润透;将步骤二得到的种子用赤霉素浸泡,浸泡过程处于自然光照下,然后在温室大棚内均匀撒播;待种子发芽并且苗株生长至10~20cm高,花谢后、展叶前进行移栽,移栽时苗株根须均需带着泥土,并注意尽量不要损害根系,以确保存活率;挖大穴,并在栽植前应在大穴内施足充分腐熟的有机肥料作底肥,然后带着泥土的苗株载至大穴内封土,并浇足水。本发明涉及鹿茸草繁育技术领域,具体是提供了一种种子萌发率高的鹿茸草的繁育方法。

    一种鹿茸草的人工栽培方法

    公开(公告)号:CN113692927A

    公开(公告)日:2021-11-26

    申请号:CN202111183986.7

    申请日:2021-10-11

    Inventor: 穆滨 李伟权 翟斌

    Abstract: 本发明公开了一种鹿茸草的人工栽培方法,包括如下步骤:步骤一,培育幼苗:选取颗粒饱满且成熟约一月左右的新生野生鹿茸草种子,对选好的种子用氯气灭菌3h,用赤霉素溶液将种子浸泡36小时,然后取出种子,用清水冲洗干净并风干,然后将种子放在培养基中进行培养,培养温度保持在20‑30℃,待种子发芽并长成种苗;步骤二,建设种植基地:选择土壤肥沃、排水良好、阳光充足、海拔100米以上低山的向阳面,对山地进行开垦平整,然后在山地上挖定植穴坑,在定植穴坑内施足充分的有机肥作为底肥;步骤三,移植:春季栽植,选取种苗,将种苗栽入定植穴坑内。本发明涉及鹿茸草栽培技术领域,具体是提供了一种鹿茸草的人工栽培方法。

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