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公开(公告)号：CN101391248A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810232180.0
申请日：2008-11-10
Applicant: 中国兵器工业第二〇五研究所
Abstract: 本发明公开了一种制作微光像增强器荧光屏粉层用喷粉装置，包括含有圆台形壳体座、过滤网、U形管、电磁阀、减压阀的进气组件、带有气孔的喷粉室、带有活动挡板的荧光屏夹具，圆台形壳体座的大、小端分别与喷气室下端和U形管连接，U形管的另一端依次安装减压阀和电磁阀，荧光屏夹具安装在喷粉室的上端。使用时，荧光屏放置在荧光屏夹具上，在活动挡板闭合情况下，通过电磁阀的“开/关交替”状态使通过减压阀的气体以脉冲方式进入喷粉室，以对聚团的荧光粉进行分散；打开活动挡板并使电磁阀处于“开”状态，分散的荧光粉在连续气流作用下均匀地喷在荧光屏的胶层上。本发明解决了因荧光粉聚团而造成的粉层凸起点及手工撒粉不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN101393837A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810232181.5
申请日：2008-11-10
Applicant: 中国兵器工业第二〇五研究所
Abstract: 本发明公开了一种纳秒响应微光像增强器的光电阴极及其制作方法，该光电阴极以Φ18mm多碱S20毫秒响应光电阴极为基础，其有效直径为Φ30mm，导电膜为纳秒响应级0.08μm厚的镍膜，光电发射层为500nm厚的(Cs)Na2KSb层；在制备光电发射层的工艺中，采用先蒸镀一层30nm后的K膜，以便于光电流监控仪在光电发射层制备过程中对各阶段膜厚的监控。本发明的光电阴极很好地解决了用现有技术微光成像器件对核爆炸过程(或其它纳秒响应事件)的记录过程中暴露出来的时间响应速度慢，事件细节丢失；有效面积小，捕捉信息量少，细节分辨不清的问题。
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公开(公告)号：CN101393837B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810232181.5
申请日：2008-11-10
Applicant: 中国兵器工业第二〇五研究所
Abstract: 本发明公开了一种纳秒响应微光像增强器的光电阴极及其制作方法，该光电阴极以Φ18mm多碱S20毫秒响应光电阴极为基础，其有效直径为Φ30mm，导电膜为纳秒响应级0.08μm厚的镍膜，光电发射层为500nm厚的(Cs)Na2KSb层；在制备光电发射层的工艺中，采用先蒸镀一层30nm后的K膜，以便于光电流监控仪在光电发射层制备过程中对各阶段膜厚的监控。本发明的光电阴极很好地解决了用现有技术微光成像器件对核爆炸过程(或其它纳秒响应事件)的记录过程中暴露出来的时间响应速度慢，事件细节丢失；有效面积小，捕捉信息量少，细节分辨不清的问题。
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