公开(公告)号：CN101393837A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810232181.5

申请日：2008-11-10

Applicant: 中国兵器工业第二〇五研究所

Inventor： 程宏昌 ,  石峰 ,  侯志鹏 ,  师宏立 ,  程耀进 ,  刘照路 ,  刘晖 ,  冯刘

IPC: H01J29/04 ,  H01J1/34 ,  H01J9/12

Abstract: 本发明公开了一种纳秒响应微光像增强器的光电阴极及其制作方法，该光电阴极以Φ18mm多碱S20毫秒响应光电阴极为基础，其有效直径为Φ30mm，导电膜为纳秒响应级0.08μm厚的镍膜，光电发射层为500nm厚的(Cs)Na2KSb层；在制备光电发射层的工艺中，采用先蒸镀一层30nm后的K膜，以便于光电流监控仪在光电发射层制备过程中对各阶段膜厚的监控。本发明的光电阴极很好地解决了用现有技术微光成像器件对核爆炸过程(或其它纳秒响应事件)的记录过程中暴露出来的时间响应速度慢，事件细节丢失；有效面积小，捕捉信息量少，细节分辨不清的问题。

公开(公告)号：CN101393837B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810232181.5

申请日：2008-11-10

Applicant: 中国兵器工业第二〇五研究所

Inventor： 程宏昌 ,  石峰 ,  侯志鹏 ,  师宏立 ,  程耀进 ,  刘照路 ,  刘晖 ,  冯刘

IPC: H01J29/04 ,  H01J1/34 ,  H01J9/12

Abstract: 本发明公开了一种纳秒响应微光像增强器的光电阴极及其制作方法，该光电阴极以Φ18mm多碱S20毫秒响应光电阴极为基础，其有效直径为Φ30mm，导电膜为纳秒响应级0.08μm厚的镍膜，光电发射层为500nm厚的(Cs)Na2KSb层；在制备光电发射层的工艺中，采用先蒸镀一层30nm后的K膜，以便于光电流监控仪在光电发射层制备过程中对各阶段膜厚的监控。本发明的光电阴极很好地解决了用现有技术微光成像器件对核爆炸过程(或其它纳秒响应事件)的记录过程中暴露出来的时间响应速度慢，事件细节丢失；有效面积小，捕捉信息量少，细节分辨不清的问题。