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公开(公告)号:CN112683999B
公开(公告)日:2024-08-13
申请号:CN202011450705.5
申请日:2020-12-10
Applicant: 中国人民解放军空军工程大学
IPC: G01N27/90
Abstract: 本发明公开了基于磁阻元件的涡流阵列传感器及其裂纹定量监测方法,包括激励线圈、基底、磁阻元件;基底底面印刷激励线圈,基底顶面上方设置成阵列方式排布的磁阻元件,基底顶面与磁阻元件的导线连接;将基于磁阻元件的涡流阵列传感器贴在具有裂纹的结构件表面上,激励线圈内通电产生激励电流,裂纹处产生扰动涡流,影响磁阻元件的输出电压信号,根据输出电压信号判断是否有裂纹产生以及裂纹的长度。本发明基于磁阻元件的涡流阵列传感器裂纹定量监测方法在用于原位监测时,既可以适用于结构表面的裂纹监测,也可以适用于结构内部的裂纹监测,同时还可以扩大监测范围,提高裂纹的定量监测效果,进一步提高结构健康监控的技术水平。
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公开(公告)号:CN110849942A
公开(公告)日:2020-02-28
申请号:CN201911182511.9
申请日:2019-11-27
Applicant: 中国人民解放军空军工程大学
IPC: G01N27/20
Abstract: 本发明公开了一种基于PVD的格栅式薄膜传感器,格栅式薄膜传感器阵列覆盖整个检测区域,包括有两根导电棒,两根导电棒之间设置有若干根并联的导电格栅通道,其中一根导电棒的尾部连接有温度补偿通道;导电棒、导电格栅通道及温度补偿通道结构均相同,均为具有层状结构的薄膜传感器。本传感器通过减少传感元与导线的焊接点可以显著增强该传感元的稳定性。还提供了上述传感器的制备方法,包括,步骤1:制备绝缘层;步骤2:制备传感层;步骤3:制备保护层。
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公开(公告)号:CN112683999A
公开(公告)日:2021-04-20
申请号:CN202011450705.5
申请日:2020-12-10
Applicant: 中国人民解放军空军工程大学
IPC: G01N27/90
Abstract: 本发明公开了基于磁阻元件的涡流阵列传感器及其裂纹定量监测方法,包括激励线圈、基底、磁阻元件;基底底面印刷激励线圈,基底顶面上方设置成阵列方式排布的磁阻元件,基底顶面与磁阻元件的导线连接;将基于磁阻元件的涡流阵列传感器贴在具有裂纹的结构件表面上,激励线圈内通电产生激励电流,裂纹处产生扰动涡流,影响磁阻元件的输出电压信号,根据输出电压信号判断是否有裂纹产生以及裂纹的长度。本发明基于磁阻元件的涡流阵列传感器裂纹定量监测方法在用于原位监测时,既可以适用于结构表面的裂纹监测,也可以适用于结构内部的裂纹监测,同时还可以扩大监测范围,提高裂纹的定量监测效果,进一步提高结构健康监控的技术水平。
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