公开(公告)号：CN113122918A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110388484.1

申请日：2021-04-12

Applicant: 中南林业科技大学

Inventor： 孟凡桂 ,  董天下

IPC: C30B25/02 ,  C30B35/00 ,  C04B41/87

Abstract: 本发明公开一种用于第三代半导体晶体生长的TaC涂层坩埚及制备方法，该TaC涂层坩埚包括基体和TaC涂层，基体为石墨坩埚，TaC涂层生长在石墨坩埚的表面；TaC涂层与基体为反应结合，界面结合强度在3～8MPa之间。TaC涂层与基体为反应结合，界面结合强度高，不易发生脱落；此外，在气象生长条件下，TaC涂层坩埚不易被腐蚀破坏，使用寿命长，制备的晶体不会由于坩埚被破坏而污染。该制备方法利用K2TaF7和金属Ta粉在熔盐介质中发生歧化反应而生成高活性金属原子，该高活性金属原子直接和基体发生反应形成预涂层，经高温处理后在基体表面形成TaC涂层。TaC涂层与基体为反应结合，有效解决了TaC涂层与基体热失配的问题。

公开(公告)号：CN113122918B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202110388484.1

申请日：2021-04-12

Applicant: 中南林业科技大学

Inventor： 孟凡桂 ,  董天下

IPC: C30B25/02 ,  C30B35/00 ,  C04B41/87

Abstract: 本发明公开一种用于第三代半导体晶体生长的TaC涂层坩埚及制备方法，该TaC涂层坩埚包括基体和TaC涂层，基体为石墨坩埚，TaC涂层生长在石墨坩埚的表面；TaC涂层与基体为反应结合，界面结合强度在3～8MPa之间。TaC涂层与基体为反应结合，界面结合强度高，不易发生脱落；此外，在气象生长条件下，TaC涂层坩埚不易被腐蚀破坏，使用寿命长，制备的晶体不会由于坩埚被破坏而污染。该制备方法利用K2TaF7和金属Ta粉在熔盐介质中发生歧化反应而生成高活性金属原子，该高活性金属原子直接和基体发生反应形成预涂层，经高温处理后在基体表面形成TaC涂层。TaC涂层与基体为反应结合，有效解决了TaC涂层与基体热失配的问题。