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公开(公告)号：CN113122918A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110388484.1
申请日：2021-04-12
Applicant: 中南林业科技大学
Abstract: 本发明公开一种用于第三代半导体晶体生长的TaC涂层坩埚及制备方法，该TaC涂层坩埚包括基体和TaC涂层，基体为石墨坩埚，TaC涂层生长在石墨坩埚的表面；TaC涂层与基体为反应结合，界面结合强度在3～8MPa之间。TaC涂层与基体为反应结合，界面结合强度高，不易发生脱落；此外，在气象生长条件下，TaC涂层坩埚不易被腐蚀破坏，使用寿命长，制备的晶体不会由于坩埚被破坏而污染。该制备方法利用K2TaF7和金属Ta粉在熔盐介质中发生歧化反应而生成高活性金属原子，该高活性金属原子直接和基体发生反应形成预涂层，经高温处理后在基体表面形成TaC涂层。TaC涂层与基体为反应结合，有效解决了TaC涂层与基体热失配的问题。
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公开(公告)号：CN102634341A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210108733.8
申请日：2012-04-13
Applicant: 中南林业科技大学
IPC: C09K11/80
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 本发明公开了一种白光LED荧光粉的制备方法，属于荧光材料领域。该荧光粉的化学组成为8(A1-xEux)O·6Al2O3·2MO3，并符合如下条件：A为Ca、Sr和Ba中的任意一种；M为Mo和W中的任意一种；Eu为发光中心，掺杂位于A位，0.01≤x≤0.10。按照元素摩尔比分别称取原料混合均匀，装入刚玉坩埚中，在一氧化碳的还原气氛中，于1000-1200℃保温6-8小时，将烧结后的产物冷却后研磨，过筛得到LED荧光粉。该荧光粉激发光谱范围宽，发射波长可调，且制备工艺简单，化学性质稳定，发光性能优异，是理想的白光LED荧光粉。
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公开(公告)号：CN102634341B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201210108733.8
申请日：2012-04-13
Applicant: 中南林业科技大学
IPC: C09K11/80
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 本发明公开了一种白光LED荧光粉的制备方法，属于荧光材料领域。该荧光粉的化学组成为8(A1-xEux)O·6Al2O3·2MO3，并符合如下条件：A为Ca、Sr和Ba中的任意一种；M为Mo和W中的任意一种；Eu为发光中心，掺杂位于A位，0.01≤x≤0.10。按照元素摩尔比分别称取原料混合均匀，装入刚玉坩埚中，在一氧化碳的还原气氛中，于1000-1200℃保温6-8小时，将烧结后的产物冷却后研磨，过筛得到LED荧光粉。该荧光粉激发光谱范围宽，发射波长可调，且制备工艺简单，化学性质稳定，发光性能优异，是理想的白光LED荧光粉。
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公开(公告)号：CN113122918B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110388484.1
申请日：2021-04-12
Applicant: 中南林业科技大学
Abstract: 本发明公开一种用于第三代半导体晶体生长的TaC涂层坩埚及制备方法，该TaC涂层坩埚包括基体和TaC涂层，基体为石墨坩埚，TaC涂层生长在石墨坩埚的表面；TaC涂层与基体为反应结合，界面结合强度在3～8MPa之间。TaC涂层与基体为反应结合，界面结合强度高，不易发生脱落；此外，在气象生长条件下，TaC涂层坩埚不易被腐蚀破坏，使用寿命长，制备的晶体不会由于坩埚被破坏而污染。该制备方法利用K2TaF7和金属Ta粉在熔盐介质中发生歧化反应而生成高活性金属原子，该高活性金属原子直接和基体发生反应形成预涂层，经高温处理后在基体表面形成TaC涂层。TaC涂层与基体为反应结合，有效解决了TaC涂层与基体热失配的问题。
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