-
公开(公告)号:CN103084388B
公开(公告)日:2015-03-11
申请号:CN201310029982.2
申请日:2013-01-25
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种超薄Ta-W合金箔材的制备方法;属于Ta-W合金加工技术领域。本发明包括粉末冶金法制备合金坯锭、冷轧开坯、冷轧/真空退火的循环操作以及3~5μm箔材的退火等步骤;所制备的箔材厚度可达到3~5μm,本发明工艺简单,制备的箔材精度高,与纯Ta箔材以及其他Ta-W合金箔材相比具有强度高、表面质量好等优点。本发明所制备厚度为3~5μm的Ta-(5.0~7.5wt%)W合金箔材适用于电子电工、航空航天等工业上大功率微波管和行波管等真空器件。本发明在实现大功率高性能微波管国产化、提高微波管使用性能和使用寿命等方面具有重要意义。
-
公开(公告)号:CN103100563A
公开(公告)日:2013-05-15
申请号:CN201310028339.8
申请日:2013-01-25
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种超薄Mo-Re合金箔材的制备方法,属于Mo-Re合金加工技术领域。本发明克服了难以制备出厚度小于10μm、表面质量良好的Mo-Re合金箔材的难题,成功制备出了厚度为3~5μm、表面质量良好的Mo-Re合金箔材。本发明的制备方法包括粉末冶金法制备合金坯锭、冷轧开坯、冷轧/真空退火的循环操作以及3~5μm箔材的退火等步骤。本发明所制备的合金箔材其成分范围为:Re:43.5~47.5wt%,余量为Mo;其厚度为3~5μm。本发明工艺简单;所制备的箔材的弹性系数为340~350GPa、1200℃时的抗拉强度220~260MPa、显微硬度420~450HV、表面粗糙度(Rmax)0.02~0.05μm,适用于航空航天设备中大功率微波管和行波管等真空器件。
-
公开(公告)号:CN100410402C
公开(公告)日:2008-08-13
申请号:CN200510032207.8
申请日:2005-09-30
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及一种Cu-TiB2合金及其制备方法。采用Cu-Ti和Cu-B作为中间合金,将中间合金分别熔化并过热至1300℃~1400℃后,使两熔体混合发生原位反应,生成TiB2纳米粒子和纯铜熔体的均匀混合体,将此混合体用喷射沉积的方法快速冷凝,制成Cu-TiB2合金坯锭,加工制成Cu-TiB2合金成品。本发明合金与无氧铜相比,具有强度高、抗高温退火软化性能高的优势,其σ0.2可比无氧铜高3~12倍,抗退火软化温度900℃以上,而导电率可达95%IACS,高浓度Cu-TiB2合金导电率可达75%IACS,与Cu-Fe-P系、Cu-Ni-Si系、Cu-Cr-Zr系沉淀强化型合金相比,Cu-TiB2合金具有较高的导电性和抗高温退火软化性能。
-
公开(公告)号:CN103084388A
公开(公告)日:2013-05-08
申请号:CN201310029982.2
申请日:2013-01-25
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种超薄Ta-W合金箔材的制备方法;属于Ta-W合金加工技术领域。本发明包括粉末冶金法制备合金坯锭、冷轧开坯、冷轧/真空退火的循环操作以及3~5μm箔材的退火等步骤;所制备的箔材厚度可达到3~5μm,本发明工艺简单,制备的箔材精度高,与纯Ta箔材以及其他Ta-W合金箔材相比具有强度高、表面质量好等优点。本发明所制备厚度为3~5μm的Ta-(5.0~7.5wt%)W合金箔材适用于电子电工、航空航天等工业上大功率微波管和行波管等真空器件。本发明在实现大功率高性能微波管国产化、提高微波管使用性能和使用寿命等方面具有重要意义。
-
公开(公告)号:CN1940103A
公开(公告)日:2007-04-04
申请号:CN200510032207.8
申请日:2005-09-30
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及一种Cu-TiB2合金及其制备方法。采用Cu-Ti和Cu-B作为中间合金,将中间合金分别熔化并过热至1300℃~1400℃后,使两熔体混合发生原位反应,生成TiB2纳米粒子和纯铜熔体的均匀混合体,将此混合体用喷射沉积的方法快速冷凝,制成Cu-TiB2合金坯锭,加工制成Cu-TiB2合金成品。本发明合金与无氧铜相比,具有强度高、抗高温退火软化性能高的优势,其σ0.2可比无氧铜高3~12倍,抗退火软化温度900℃以上,而导电率可达95%IACS,高浓度Cu-TiB2合金导电率可达75%IACS,与Cu-Fe-P系、Cu-Ni-Si系、Cu-Cr-Zr系沉淀强化型合金相比,Cu-TiB2合金具有较高的导电性和抗高温退火软化性能。
-
-
-
-