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公开(公告)号:CN117774301A
公开(公告)日:2024-03-29
申请号:CN202311810647.6
申请日:2023-12-27
Applicant: 中南大学
IPC: B29C64/106 , B29C64/393 , B33Y10/00 , B33Y50/02
Abstract: 本发明涉及增材制造技术领域,公开了一种三明治结构状复合材料及其3D打印方法。该方法包括:(1)对光固化树脂进行第一打印处理,得到共挤出组件;(2)将浆料I和浆料II置于共挤出装置中进行第二打印处理,得到所述三明治结构状复合材料。本发明提供的方法实现了微米级双面电极涂敷,有效避免了多喷头打印时喷头难以高精度定位的问题,且极大减少了电极浆料的用量。
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公开(公告)号:CN110518115B
公开(公告)日:2021-03-16
申请号:CN201910858173.X
申请日:2019-09-11
Applicant: 中南大学
IPC: H01L41/18 , H01L41/187 , H01L41/37 , H01L41/39
Abstract: 一种剪切型压电复合材料的制备方法及其驱动器的制备,包括以下步骤:将压电陶瓷块沿厚度方向极化;将极化后的压电陶瓷块沿其厚度方向作第一次切割成薄片;沿所述的薄片的厚度方向,垂直于极化方向作第二次切割,或是沿所述的薄片的厚度方向,平行于极化方向作第二次切割;第二次切割过程中薄片时并没有切透,其中一部分保留作为基体,形成带间隙压电陶瓷薄片;将聚合物填充到所述的压电陶瓷薄片的间隙中,经固化,减薄。将电极复合至(4)步所得到的压电陶瓷薄片上、下表面。将(4)步所得的材料沿厚度方向施加电场。制备简单,易于操作,性能好,且可以实现两种构型的d15型压电纤维复合材料的制备。
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公开(公告)号:CN110518115A
公开(公告)日:2019-11-29
申请号:CN201910858173.X
申请日:2019-09-11
Applicant: 中南大学
IPC: H01L41/18 , H01L41/187 , H01L41/37 , H01L41/39
Abstract: 一种剪切型压电复合材料的制备方法及其驱动器的制备,包括以下步骤:将压电陶瓷块沿厚度方向极化;将极化后的压电陶瓷块沿其厚度方向作第一次切割成薄片;沿所述的薄片的厚度方向,垂直于极化方向作第二次切割,或是沿所述的薄片的厚度方向,平行于极化方向作第二次切割;第二次切割过程中薄片时并没有切透,其中一部分保留作为基体,形成带间隙压电陶瓷薄片;将聚合物填充到所述的压电陶瓷薄片的间隙中,经固化,减薄。将电极复合至(4)步所得到的压电陶瓷薄片上、下表面。将(4)步所得的材料沿厚度方向施加电场。制备简单,易于操作,性能好,且可以实现两种构型的d15型压电纤维复合材料的制备。
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公开(公告)号:CN107910434A
公开(公告)日:2018-04-13
申请号:CN201711112739.1
申请日:2017-11-13
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种剪切型压电纤维复合材料的制备方法,包括以下步骤:将沿厚度方向极化的锆钛酸铅压电陶瓷片的一面进行切割,形成均匀排列的压电纤维;在纤维间隙内填充环氧树脂并固化,得填充有环氧树脂的压电纤维;将锆钛酸铅压电陶瓷片的与切割面相对的一面减薄,得锆钛酸铅压电陶瓷-环氧树脂复合层;在锆钛酸铅压电陶瓷-环氧树脂复合层的上下两面用环氧树脂复合柔性叉指状电极,上下两面的柔性叉指状电极呈镜面对称,且柔性叉指状电极的指部与压电纤维平行;对环氧树脂进行固化,即得。该方法工艺简单,所得压电纤维复合材料整体性好、压电纤维清晰、具有一定的柔性、能抵御弯曲变形,并且电学性能、应变性能和驱动性能均良好。
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公开(公告)号:CN117722934A
公开(公告)日:2024-03-19
申请号:CN202311677271.6
申请日:2023-12-08
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部 , 中南大学
IPC: G01B7/00
Abstract: 本发明的一种航天器用可通过式零位检测装置及其检测方法,航天器包括转动端和固定端,转动端安装有触发销,固定端安装有检测臂,检测臂连接有数据处理模块,触发销绕转动中心圆周运动,检测臂一侧设置于圆周运动的轨迹上,检测臂包括柔性悬臂梁、设置于柔性悬臂梁上的检测片。检测片包括粘贴在柔性悬臂梁两侧的柔性压电传感器,柔性压电传感器通过导线连接至数据处理模块。能够判断旋转机构是否接触并停靠到设定的零位、限位位置及是否穿过零位位置,通过设计控制触发销与矩形悬臂梁重叠部分长度,实现在宽温域环境下的稳定测量。柔性压电传感器无需外加电源,整套系统搭建简单,实际操作难度小,对零位和限位位置的判断方式简单,可靠性高。
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公开(公告)号:CN117715500A
公开(公告)日:2024-03-15
申请号:CN202311677273.5
申请日:2023-12-08
Applicant: 中南大学 , 北京空间飞行器总体设计部
IPC: H10N30/097 , H10N30/06 , H10N30/30 , H10N30/853 , H10N30/87
Abstract: 本发明涉及压电传感技术领域,具体公开了一种铌酸钾钠基柔性压电传感器及其制备方法和应用。该方法的步骤包括:将碳酸钠、碳酸钾、五氧化二铌、氧化锆、氧化铋依次经第一球磨、第二球磨,再与聚乙烯醇缩丁醛进行第一接触混合、经涂覆银浆、极化后得到混合物I;再将所述混合物I减薄后切割成纤维阵列,并在所述纤维阵列的间隙中填充环氧树脂,固化后得到压电复合片,经镍电极溅射和一体封装,最终得到铌酸钾钠基柔性压电传感器。该方法制备得到的铌酸钾钠基柔性压电传感器柔性优异,传感灵敏度高,且能克服传统铌酸钾钠基传感器大尺寸制备的问题。
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公开(公告)号:CN114836716B
公开(公告)日:2023-01-24
申请号:CN202210292866.9
申请日:2022-03-23
Applicant: 中南大学
IPC: C23C14/16 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/56 , C23C14/04 , C23C28/00 , H01L21/02 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种无顶电极夹持HfO2基薄膜材料的制备方法及应用,制备步骤如下:以Si为基底,采用标准的RCA工艺对其进行表面清洁;采用直流磁控溅射方法在Si底上溅射一层金属Ti层;将Ti/Si置入原子层沉积ALD系统中,进行HfO2基薄膜的沉积;将沉积完的HfO2基薄膜/Ti/Si进行退火;退火完成后,再将HfO2基薄膜/Ti/Si放入磁控溅射里,采用掩模版进行顶电极溅射,得到无顶电极夹持HfO2基薄膜材料。通过本发明方法既可以消弱顶电极对薄膜铁电性的决定性作用,同时也能保证HfO2基薄膜材料具有强铁电性和稳定性,又可以避开FeFET制备过程当中顶电极刻蚀这一过程,保障干净的界面质量,并实现工艺的简单化和低成本化。
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公开(公告)号:CN107910434B
公开(公告)日:2019-12-13
申请号:CN201711112739.1
申请日:2017-11-13
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种剪切型压电纤维复合材料的制备方法,包括以下步骤:将沿厚度方向极化的锆钛酸铅压电陶瓷片的一面进行切割,形成均匀排列的压电纤维;在纤维间隙内填充环氧树脂并固化,得填充有环氧树脂的压电纤维;将锆钛酸铅压电陶瓷片的与切割面相对的一面减薄,得锆钛酸铅压电陶瓷‑环氧树脂复合层;在锆钛酸铅压电陶瓷‑环氧树脂复合层的上下两面用环氧树脂复合柔性叉指状电极,上下两面的柔性叉指状电极呈镜面对称,且柔性叉指状电极的指部与压电纤维平行;对环氧树脂进行固化,即得。该方法工艺简单,所得压电纤维复合材料整体性好、压电纤维清晰、具有一定的柔性、能抵御弯曲变形,并且电学性能、应变性能和驱动性能均良好。
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公开(公告)号:CN115643783A
公开(公告)日:2023-01-24
申请号:CN202211382150.4
申请日:2022-11-07
Applicant: 中南大学
IPC: H10N30/85 , H10N30/50 , H10N30/30 , H10N30/092 , H10N30/057 , H02N2/18
Abstract: 多层定向多孔压电复合材料及制备和压电能量收集器,压电复合材料包含有多层压电陶瓷聚合物复合薄片叠加,叠加至最底层和最顶层以及复合薄片之间为电极片层;相邻两个复合薄片之间的一边区域未被电极片层覆盖,该区域设为正极,而另一边为电极片层覆盖的区域,设为负极,多层结构中电极片层每层的正极、负电极交错分布,相邻两层复合薄片的极化方向相反,每层复合薄片中,含有多个沿孔隙的长度方向定向排列的狭长型不规则定向孔,所述定向孔长度的方向与复合薄片叠加方向一致,定向孔内填充有聚合物。本发明还提供了所述压电复合材料的制备以及采用该压电复合材料制备得到压电能量收集器。
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公开(公告)号:CN114836716A
公开(公告)日:2022-08-02
申请号:CN202210292866.9
申请日:2022-03-23
Applicant: 中南大学
IPC: C23C14/16 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/56 , C23C14/04 , C23C28/00 , H01L21/02 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种无顶电极夹持HfO2基薄膜材料的制备方法及应用,制备步骤如下:以Si为基底,采用标准的RCA工艺对其进行表面清洁;采用直流磁控溅射方法在Si底上溅射一层金属Ti层;将Ti/Si置入原子层沉积ALD系统中,进行HfO2基薄膜的沉积;将沉积完的HfO2基薄膜/Ti/Si进行退火;退火完成后,再将HfO2基薄膜/Ti/Si放入磁控溅射里,采用掩模版进行顶电极溅射,得到无顶电极夹持HfO2基薄膜材料。通过本发明方法既可以消弱顶电极对薄膜铁电性的决定性作用,同时也能保证HfO2基薄膜材料具有强铁电性和稳定性,又可以避开FeFET制备过程当中顶电极刻蚀这一过程,保障干净的界面质量,并实现工艺的简单化和低成本化。
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