温压铁基粉末的制造方法

    公开(公告)号:CN1132711C

    公开(公告)日:2003-12-31

    申请号:CN01106813.2

    申请日:2001-01-04

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明涉及一种低成本温压用粉末原料的制造方法。温压是铁基粉末冶金技术的发展前沿,本发明针对一般温压技术中所用粉末原料的高成本阻碍温压技术的大规模应用这一技术障碍,设计了一类低成本温压用粉末原料。本发明设计制造的温压粉末原料采用了从转炉烟尘回收的铁粉作原料,可广泛用作密度低于7.35g/cm3中高强度铁基粉末冶金零部件的制造原料。本发明设计制造的温压粉末原料较以普通水雾化铁粉为原料时降低成本40%,可大幅度提高利用温压技术制造铁基粉末冶金零部件的范围和高强度零部件的应用水平。

    一种温压粉末原料的制备装置

    公开(公告)号:CN1300642A

    公开(公告)日:2001-06-27

    申请号:CN01106814.0

    申请日:2001-01-04

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 一种温压粉末原料的制备装置,由初始料破碎系统和半成品料混合系统组成。其中破碎系统形成一个闭式回路,由破碎机、筛分机及提升机组成流水线式作业,混合系统由采用真空状态下的双螺旋混料系统和真空冷凝回收装置组成,既能实现混合过程中的加温、冷却和溶剂的添加动作,又能通过真空回收挥发的有机溶剂。该装置体积小,能耗低,工作效率高,能高效回收有机溶剂,同时运行无污染,噪声小,可降低生产成本30%~40%。

    一种烧结钐钴基稀土永磁材料母合金的熔炼方法

    公开(公告)号:CN101775511B

    公开(公告)日:2011-12-07

    申请号:CN201010117231.2

    申请日:2010-03-03

    Applicant: 中南大学

    Inventor: 李丽娅 易建宏

    Abstract: 本发明公开了一种烧结钐钴基稀土永磁材料母合金的熔炼方法,采用真空感应熔炼技术熔炼合金锭,并浇铸在旋转的水冷铜辊、水冷钼辊、铜盘或钼盘上以获得大的冷却速度,来制备钐钴基母合金锭,1. 将具有高熔点的钴与铁、锆、铜、钆、镝、钬、镨等元素中的一种或多种放入真空速凝熔炼炉中的坩埚中先熔化,然后再加入钐进行精炼,可大幅减少钐的挥发;2. 采用旋转的水冷铜辊、水冷钼辊、铜盘或钼盘上对熔炼好的合金液体进行快速冷却,水冷铜辊、水冷钼辊、铜盘或钼盘上的转速为1-4m/s。本发明是一种可精确控制熔炼合金成分,并且炼制出具有柱状晶组织和单一相结构的烧结钐钴基稀土永磁材料母合金的熔炼方法。

    一种烧结钐钴基稀土永磁材料母合金的熔炼方法

    公开(公告)号:CN101775511A

    公开(公告)日:2010-07-14

    申请号:CN201010117231.2

    申请日:2010-03-03

    Applicant: 中南大学

    Inventor: 李丽娅 易建宏

    Abstract: 本发明公开了一种烧结钐钴基稀土永磁材料母合金的熔炼方法,采用真空感应熔炼技术熔炼合金锭,并浇铸在旋转的水冷铜辊、水冷钼辊、铜盘或钼盘上以获得大的冷却速度,来制备钐钴基母合金锭,(1)将具有高熔点的钴与铁、锆、铜、钆、镝、钬、镨等元素中的一种或多种放入真空速凝熔炼炉中的坩埚中先熔化,然后再加入钐进行精炼,可大幅减少钐的挥发;(2)采用旋转的水冷铜辊、水冷钼辊、铜盘或钼盘上对熔炼好的合金液体进行快速冷却,水冷铜辊、水冷钼辊、铜盘或钼盘上的转速为1-4m/s。本发明是一种可精确控制熔炼合金成分,并且炼制出具有柱状晶组织和单一相结构的烧结钐钴基稀土永磁材料母合金的熔炼方法。

    温压铁粉的制造方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1319468A

    公开(公告)日:2001-10-31

    申请号:CN01106813.2

    申请日:2001-01-04

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明涉及一种低成本温压用粉末原料的制造方法。温压是铁基粉末冶金技术的发展前沿,本发明针对一般温压技术中所用粉末原料的高成本阻碍温压技术的大规模应用这一技术障碍,设计了一类低成本温压用粉末原料。本发明设计制造的温压粉末原料采用了从转炉烟尘回收的铁粉作原料,可广泛用作密度低于7.35g/cm3中高强度铁基粉末冶金零部件的制造原料。本发明设计制造的温压粉末原料较以普通水雾化铁粉为原料时降低成本40%,可大幅度提高利用温压技术制造铁基粉末冶金零部件的范围和高强度零部件的应用水平。

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