公开(公告)号：CN119390452A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202510000140.7

申请日：2025-01-02

Applicant: 中南大学

Inventor： 李杨 ,  张文龙 ,  肖鹏

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明涉及一种不含B的常压烧结高纯SiC陶瓷材料及应用，属于高纯致密陶瓷开发技术领域。本发明以α‑SiC粉体、β‑SiC粉体为原料，将原料粉末加入到改性液中，搅拌均匀后，干燥，然后压制成形并在保护气氛下烧结，得到高纯SiC陶瓷；所述改性液中含有烧结助剂，所述烧结助剂为硅碳原子比0.95~1.05的高分子聚合物；其用量为原料粉末质量的8~25%；在保护气氛下烧结的温度为1700~2200℃；所得高纯SiC陶瓷中SiC的质量百分含量大于等于99.9%。所得高纯SiC陶瓷用在半导体领域。本发明工艺简单、可控，所得产品性能优良，便于工业化应用，本发明所得产品可广泛应用于半导体领域。

公开(公告)号：CN119390452B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202510000140.7

申请日：2025-01-02

Applicant: 中南大学

Inventor： 李杨 ,  张文龙 ,  肖鹏

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明涉及一种不含B的常压烧结高纯SiC陶瓷材料及应用，属于高纯致密陶瓷开发技术领域。本发明以α‑SiC粉体、β‑SiC粉体为原料，将原料粉末加入到改性液中，搅拌均匀后，干燥，然后压制成形并在保护气氛下烧结，得到高纯SiC陶瓷；所述改性液中含有烧结助剂，所述烧结助剂为硅碳原子比0.95~1.05的高分子聚合物；其用量为原料粉末质量的8~25%；在保护气氛下烧结的温度为1700~2200℃；所得高纯SiC陶瓷中SiC的质量百分含量大于等于99.9%。所得高纯SiC陶瓷用在半导体领域。本发明工艺简单、可控，所得产品性能优良，便于工业化应用，本发明所得产品可广泛应用于半导体领域。

公开(公告)号：CN119484367A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411684676.7

申请日：2024-11-22

Applicant: 中南大学

Inventor： 施鹤远 ,  付玉来 ,  彭瑞康 ,  陈万里 ,  张文龙 ,  胡超

IPC: H04L43/18 ,  H04L69/00

Abstract: 本公开实施例中提供了一种协议模糊测试引导的网络协议格式推理方法，属于数据处理技术领域，具体包括：步骤1，捕获目标系统的流量并进行过滤，识别并分离出目标协议的报文序列；步骤2，对报文序列进行字段分割，得到分割结果；步骤3，根据分割结果推断协议格式；步骤4，根据推断的协议格式构建输入数据包并发送至服务器进行格式验证；步骤5，当格式验证通过时，根据推断的协议格式对应的分割结果进行循环反馈的模糊测试引导，直至得到最优分割结果。通过本公开的方案，可以提高协议逆向字段切割的精度，从而提升了协议格式推断的效率和准确性。