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公开(公告)号：CN105860376B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201610268357.7
申请日：2016-04-27
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于BNT单晶纳米线的介电复合材料及其制备方法，通过水热法制备得到长径比为20‑50的BNT单晶纳米线材料，将其用多巴胺进行化学修饰后再与偏氟乙烯‑六氟丙烯共聚物复合，得到介电复合材料。该介电复合材料实现了在低陶瓷相含量的条件下，获得高达458kV/mm的抗击穿电场，比纯聚合物P(VDF‑HFP)抗击穿电场398kV/mm更高，实现了12.7J/cm3的高能量密度。
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公开(公告)号：CN107311649B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201710621235.6
申请日：2017-07-26
Applicant: 中南大学
IPC: C04B35/47 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了钛酸铋钠‑钛酸锶的复合压电铁电材料，呈多晶亚微米棒形貌。本发明还提供了所述的复合材料的制备方法，包括步骤(1)：以钠源A和二氧化钛为反应物，按Na2Ti6O13的化学计量比称取并与熔盐混合；混合后的物料再在1000～1100℃下烧结；得钛酸钠单晶亚微米棒；步骤(2)：以二氧化钛、钠源B、铋源、锶源和钛酸钠单晶亚微米棒为反应物，按化学式Na0.5Bi0.5TiO3‑xSrTiO3化学计量比称取并与熔盐混合；混合后的物料再在850～950℃下烧结，烧结产物经洗涤、干燥，即得。本发明独创性地钛酸钠单晶亚微米棒作为前驱体，再结合后续的二段熔盐法的各关键参数的控制，通过拓扑反应；可出人意料地制得具有棒状亚微米级别的钛酸铋钠‑钛酸锶的复合压电铁电材料。
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公开(公告)号：CN106519516A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611004728.7
申请日：2016-11-15
Applicant: 中南大学
CPC classification number: C08L27/16 , C08J5/18 , C08J2327/16 , C08K2201/003 , C08K2201/011 , C08L2203/16 , C08L2203/20 , C08L91/06 , C08K9/10 , C08K7/08
Abstract: 本发明公开了一种基于石蜡包覆钛酸钡纳米颗粒的介电复合材料。利用成膜性和绝缘性好的石蜡作为修饰剂，包覆于150-200nm尺寸的钛酸钡球形颗粒表面，制备成钛酸钡@石蜡核壳纳米结构的颗粒，然后与聚偏氟乙烯六氟丙烯(P(VDF-HFP))聚合物基体复合，明显改善了其在P(VDF-HFP)基体中的分散性和相容性。石蜡包覆钛酸钡/P(VDF-HFP)复合物的渗流阈值相对钛酸钡/P(VDF-HFP)复合物明显增大。当石蜡包覆钛酸钡球形纳米颗粒占复合物的体积分数为50％时，复合物介电常数在1kHz时增大到49.0，同时损耗低至0.06。在石蜡包覆钛酸钡球形纳米颗粒的体积分数为30％的条件下，复合物获得220kV/mm的抗击穿电场，能量密度高达13.85J/cm3。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107311649A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710621235.6
申请日：2017-07-26
Applicant: 中南大学
IPC: C04B35/47 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了钛酸铋钠-钛酸锶的复合压电铁电材料，呈多晶亚微米棒形貌。本发明还提供了所述的复合材料的制备方法，包括步骤(1)：以钠源A和二氧化钛为反应物，按Na2Ti6O13的化学计量比称取并与熔盐混合；混合后的物料再在1000～1100℃下烧结；得钛酸钠单晶亚微米棒；步骤(2)：以二氧化钛、钠源B、铋源、锶源和钛酸钠单晶亚微米棒为反应物，按化学式Na0.5Bi0.5TiO3-xSrTiO3化学计量比称取并与熔盐混合；混合后的物料再在850～950℃下烧结，烧结产物经洗涤、干燥，即得。本发明独创性地钛酸钠单晶亚微米棒作为前驱体，再结合后续的二段熔盐法的各关键参数的控制，通过拓扑反应；可出人意料地制得具有棒状亚微米级别的钛酸铋钠-钛酸锶的复合压电铁电材料。
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公开(公告)号：CN105153604A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510454320.9
申请日：2015-07-29
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碳纳米管的介电复合材料；所述的介电复合材料是由甲氧基聚乙二醇修饰后的碳纳米管与聚偏氟乙烯树脂或聚偏氟乙烯共聚物树脂基体复合而成；得到了在低碳纳米管含量条件下，介电常数相对于纯聚合物基体得到了明显的增加，并且保持了非常低的介电损耗。本发明为开发高性能的介电复合材料提供了新的途径。
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公开(公告)号：CN105860376A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610268357.7
申请日：2016-04-27
Applicant: 中南大学
CPC classification number: C08K9/04 , C01G23/003 , C01P2004/03 , C01P2004/16 , C08K7/08 , C08L27/16
Abstract: 本发明公开了一种基于BNT单晶纳米线的介电复合材料及其制备方法，通过水热法制备得到长径比为20?50的BNT单晶纳米线材料，将其用多巴胺进行化学修饰后再与偏氟乙烯?六氟丙烯共聚物复合，得到介电复合材料。该介电复合材料实现了在低陶瓷相含量的条件下，获得高达458kV/mm的抗击穿电场，比纯聚合物P(VDF?HFP)抗击穿电场398kV/mm更高，实现了12.7J/cm3的高能量密度。
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公开(公告)号：CN105153604B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201510454320.9
申请日：2015-07-29
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碳纳米管的介电复合材料；所述的介电复合材料是由甲氧基聚乙二醇修饰后的碳纳米管与聚偏氟乙烯树脂或聚偏氟乙烯共聚物树脂基体复合而成；得到了在低碳纳米管含量条件下，介电常数相对于纯聚合物基体得到了明显的增加，并且保持了非常低的介电损耗。本发明为开发高性能的介电复合材料提供了新的途径。
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公开(公告)号：CN106519516B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201611004728.7
申请日：2016-11-15
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石蜡包覆钛酸钡纳米颗粒的介电复合材料。利用成膜性和绝缘性好的石蜡作为修饰剂，包覆于150‑200nm尺寸的钛酸钡球形颗粒表面，制备成钛酸钡@石蜡核壳纳米结构的颗粒，然后与聚偏氟乙烯六氟丙烯(P(VDF‑HFP))聚合物基体复合，明显改善了其在P(VDF‑HFP)基体中的分散性和相容性。石蜡包覆钛酸钡/P(VDF‑HFP)复合物的渗流阈值相对钛酸钡/P(VDF‑HFP)复合物明显增大。当石蜡包覆钛酸钡球形纳米颗粒占复合物的体积分数为50％时，复合物介电常数在1kHz时增大到49.0，同时损耗低至0.06。在石蜡包覆钛酸钡球形纳米颗粒的体积分数为30％的条件下，复合物获得220kV/mm的抗击穿电场，能量密度高达13.85J/cm3。
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