公开(公告)号：CN103922312B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201410147866.5

申请日：2014-04-14

Applicant: 中南大学

Inventor： 于金刚 ,  陈晓青 ,  焦飞鹏 ,  蒋新宇 ,  赵秀辉 ,  于林燕

IPC: C01B31/02 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种卤化氢修饰碳纳米材料及其制备和纯化方法。以多孔材料为载体、氢卤酸为卤素源，在相转移催化剂作用下反应制备卤素接枝的碳纳米复合材料，克服了现有技术中通过氧化-Hunsdiecker反应接枝碘及采用氯、溴单质直接修饰碳纳米材料接枝氯、溴等制备工艺的反应条件苛刻、反应剧烈而致使碳纳米材料基本结构被破坏等缺点。本工艺所采用的实验条件温和，制得的碳纳米复合材料接枝卤素量高。此外，卤素接枝量可通过改变反应时间实现调控。

公开(公告)号：CN103922312A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410147866.5

申请日：2014-04-14

Applicant: 中南大学

Inventor： 于金刚 ,  陈晓青 ,  焦飞鹏 ,  蒋新宇 ,  赵秀辉 ,  于林燕

IPC: C01B31/02 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种卤化氢修饰碳纳米材料及其制备和纯化方法。以多孔材料为载体、氢卤酸为卤素源，在相转移催化剂作用下反应制备卤素接枝的碳纳米复合材料，克服了现有技术中通过氧化-Hunsdiecker反应接枝碘及采用氯、溴单质直接修饰碳纳米材料接枝氯、溴等制备工艺的反应条件苛刻、反应剧烈而致使碳纳米材料基本结构被破坏等缺点。本工艺所采用的实验条件温和，制得的碳纳米复合材料接枝卤素量高。此外，卤素接枝量可通过改变反应时间实现调控。